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SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點,可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用,本...
SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標準,具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流...
SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標準,無...
SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準,無鹵且符合RoHS...
SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關(guān)、零反...
在電力電子和開關(guān)電源設(shè)計中,快恢復(fù)二極管和肖特基二極管是兩類高頻應(yīng)用中的核心器件。盡管兩者均用于整流和開關(guān)場景,但其工作原理、性能特點及適用場景存在顯著...
2025-02-24 標簽:肖特基二極管快恢復(fù)二極管SBD 688 0
具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設(shè)計
北京工業(yè)大學(xué)和中國北京大學(xué)報道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極管(SBD)的性能
碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡析
碳化硅(SiC)是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強和高電子飽和遷移率等特點使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
如何在linux系統(tǒng)配置交換分區(qū)(swap)呢?
SWAP(交換)分區(qū)是一種通過在硬盤中預(yù)先劃分一定的空間,然后將把內(nèi)存中暫時不常用的數(shù)據(jù)臨時存放到硬盤中
2023-11-14 標簽:Linux系統(tǒng)交換機SBD 1794 0
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成,續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料,按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(S...
SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點比較 SiC肖特基勢壘二極管的特征
我們從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示,為了形成肖特基勢壘,將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合(肖特基結(jié))。結(jié)構(gòu)與Si肖特...
提到低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件,很多工程師同學(xué)肯定能首先想到肖特基二極管(SBD)。但是,你真的會用肖特基二極管嗎?跟其他的二極管相比,肖特基二極...
2023-05-05 標簽:變壓器二極管開關(guān)電源 7306 0
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