P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)，無鹵且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。產(chǎn)品具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作等特性，有助于提升系統(tǒng)效率，降低散熱需求，在并聯(lián)使用時(shí)也不會(huì)出現(xiàn)熱失控問題。可應(yīng)用于消費(fèi)類開關(guān)模式電源（SMPS）、功率因數(shù)校正（PFC）或DC/DC 階段的升壓二極管以及 AC/DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

碳化硅（SiC）屬于第三代半導(dǎo)體，派恩杰獨(dú)有的SiC 肖特基二極管結(jié)構(gòu)相比于傳統(tǒng)Si肖特基二極管具有更高的耐壓等級(jí)和更低的漏電流，大大提升了系統(tǒng)效率，特別適合在高壓高頻條件下工作。同時(shí)解決了Si二極管的耐壓極限問題和反向恢復(fù)損耗較大的問題，碳化硅二極管成本相對(duì)較低，已經(jīng)廣泛使用。派恩杰提供多種多樣封裝形式去適應(yīng)不同應(yīng)用場景。

*附件：SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特征

• 符合AECQ-101
• 100%UIS測(cè)試
• 極小的反向恢復(fù)損耗
• 優(yōu)異的高溫特性

優(yōu)勢(shì)

• 優(yōu)異的性能
• 減小系統(tǒng)體積
• 提升整體效率
• 減小散熱面積
• 車規(guī)級(jí)器件
• 降低系統(tǒng)成本
• 降低電磁干擾

應(yīng)用領(lǐng)域

• 光伏逆變器系統(tǒng)
• 充電器

熱特性

典型性能

封裝外形