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有效減少掃描電鏡荷電效應(yīng)的幾種方法

掃描電子顯微鏡（SEM簡(jiǎn)稱掃描電鏡）是一個(gè)集電子光學(xué)技術(shù)、真空技術(shù)、精細(xì)機(jī)械結(jié)構(gòu)以及現(xiàn)代計(jì)算機(jī)控制技術(shù)于一體的復(fù)雜系統(tǒng)

2023-11-24 標(biāo)簽：信噪比 SEM 靜電場(chǎng) 3602 0

集成電路為什么要做失效分析？失效分析流程？

失效分析(FA)是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過(guò)分析和驗(yàn)證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。

2023-09-06 標(biāo)簽：集成電路 SEM 失效分析 3425 0

FIB-TEM進(jìn)行微納加工和原位研究分析

聚焦離子束與電子束曝光系統(tǒng)相似，由發(fā)射源、離子光柱、工作臺(tái)、真空與控制系統(tǒng)等結(jié)構(gòu)組成，其核心為離子光學(xué)系統(tǒng)，適用的是液態(tài)金屬離子源（例如鎵離子源）。

2023-10-10 標(biāo)簽：SEM fib 光電探測(cè)器 3405 0

自支撐LiPON薄膜實(shí)現(xiàn)零外壓下致密金屬鋰沉積

鋰磷氧氮（LiPON）作為一種非晶態(tài)固態(tài)電解質(zhì)，在過(guò)去三十年中得到了廣泛的研究。盡管有望將其與各種電極材料配對(duì)，但LiPON的剛性和空氣敏感性限制了對(duì)其...

2023-08-12 標(biāo)簽：信噪比 SEM DMC 3383 0

什么是鄰道泄露抑制比（ACLR）？

鄰道泄露抑制比是用于衡量下行的發(fā)射性能，是主信道的發(fā)射功率與測(cè)得的相鄰信道的功率之比。

2023-10-10 標(biāo)簽：SEM 零中頻 DPD算法 3240 0

基于空穴傳輸管理實(shí)現(xiàn)效率超過(guò)23%的穩(wěn)定反式鈣鈦礦太陽(yáng)能電池

基于NiO?的反式鈣鈦礦太陽(yáng)能電池具有低成本、高效率和高穩(wěn)定性的優(yōu)點(diǎn)，在新一代光伏器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力。

2023-05-29 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池 UPS SEM 3240 0

鋰金屬電池用高性能PEO/陶瓷復(fù)合固體電解質(zhì)的合理設(shè)計(jì)

鋰金屬電池因其高的理論比容量(3860 mAh g?1)和能量密度而受到人們的廣泛關(guān)注。然而，傳統(tǒng)的鋰金屬電池中使用易燃、易揮發(fā)的有機(jī)液態(tài)電解液

2023-04-27 標(biāo)簽：SEM 電解質(zhì)CSE 3061 0

以硫化銀為正極的高穩(wěn)定性水系金屬硫化物電池

在放電過(guò)程中，Ag2S完全還原為Cu2S后，電解液中的Cu2+可以繼續(xù)還原為Cu/Cu2O，為電池提供額外的容量。

2022-10-31 標(biāo)簽：電池電壓 SEM 電解液 3029 0

什么是EM電遷移？它帶來(lái)的影響有哪些？

電遷移簡(jiǎn)寫(xiě)為EM，electromigration，這是一種很基本的電學(xué)現(xiàn)象，可能在電路課上講的少，反而物理課上會(huì)聽(tīng)過(guò)。

2023-12-06 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)PEM SEM 2942 0

怎樣看出被磨掉的芯片型號(hào)呢？

在芯片解密/單片機(jī)解密過(guò)程中，常常有客戶的芯片加密了，同時(shí)型號(hào)也被打磨了，由于無(wú)法確定型號(hào)。

2023-03-13 標(biāo)簽：ROM SEM 芯片解密 2906 0

高熵電解液賦能高可逆長(zhǎng)循環(huán)鎂金屬電池

可充電鎂金屬電池由于鎂的高豐度、高容量和良好的安全性而受到了極大的關(guān)注。

2023-06-09 標(biāo)簽：SEM 電解質(zhì)電解液 2747 0

基于SEM的電子束光刻技術(shù)開(kāi)發(fā)及研究

電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無(wú)掩膜光刻的一種，它利用波長(zhǎng)極短的聚焦電子直接作用于對(duì)電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成...

2024-03-04 標(biāo)簽：SEM 光刻技術(shù) 2717 0

闡明鋰金屬電池中與溫度相關(guān)的鋰沉積/剝離過(guò)程以及非活性鋰的演變

鋰金屬負(fù)極具有最高比容量、最低電化學(xué)勢(shì)和輕重量等優(yōu)點(diǎn)，是下一代負(fù)極的理想候選者。然而，鋰負(fù)極的商業(yè)化應(yīng)用一直受到鋰枝晶生長(zhǎng)和低庫(kù)侖效率的困擾

2023-12-13 標(biāo)簽：SEM 電解質(zhì)NMR 2392 0

雙離子Zn-Cu電解質(zhì)提升鋅離子電容器（ZICs）能量密度

金屬離子電容器是一種混合電化學(xué)電池，它連接了電池和電化學(xué)電容器，使它們能夠以快速充電或放電速率提供高能量密度。

2024-01-15 標(biāo)簽：電容器 SEM 電解質(zhì) 2332 0

內(nèi)部電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)雙S型異質(zhì)結(jié)，三重交錯(cuò)晶格的作用！

近日，湖南農(nóng)業(yè)大學(xué)環(huán)境與生態(tài)學(xué)院鄧垚成副教授和湖南農(nóng)業(yè)大學(xué)資源學(xué)院黃穎副教授在國(guó)際著名學(xué)術(shù)期刊Journal of Colloid and Interf...

2023-08-01 標(biāo)簽：瞬態(tài)電壓 SEM 光譜儀 2306 0

錳基電極材料在水系鈉離子電池中的研究進(jìn)展

水系鈉離子電池由于具有成本低、安全性高、環(huán)保、資源豐富等優(yōu)點(diǎn)，在大規(guī)模儲(chǔ)能領(lǐng)域展現(xiàn)了廣闊的應(yīng)用前景。

2023-09-11 標(biāo)簽：離子電池 SEM 電解質(zhì) 2287 0

直接快速高溫修復(fù)廢舊石墨的方法

回收廢舊的石墨變得越來(lái)越重要，這有助于保護(hù)自然資源，減少浪費(fèi)，并提供經(jīng)濟(jì)和環(huán)境效益。然而，目前的再生方法通常存在使用有害化學(xué)物質(zhì)、高能耗和高時(shí)間消耗以及...

2023-07-04 標(biāo)簽：FFT SEM 電解質(zhì) 2260 0

混合多功能界面作為人工SEI層實(shí)現(xiàn)無(wú)枝晶、長(zhǎng)壽命的金屬鈉負(fù)極

在循環(huán)過(guò)程中，鈉金屬負(fù)極的鈉枝晶生長(zhǎng)不受控制，SEI形成不穩(wěn)定，導(dǎo)致庫(kù)侖效率差，壽命較短。為了解決這一問(wèn)題，本文研究了一系列鈉離子導(dǎo)電合金型保護(hù)界面(N...

2023-06-29 標(biāo)簽：SEM DFT XRD 2214 0

如何理解掃描電子顯微鏡(SEM)中的充電效應(yīng)

掃描電子顯微鏡（SEM）已廣泛用于材料表征、計(jì)量和過(guò)程控制的研究和先進(jìn)制造中，我們?cè)趯?duì)半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)進(jìn)行觀測(cè)時(shí)，常常會(huì)遇到充電效應(yīng)，本文討論了與樣品充...

2023-12-29 標(biāo)簽：SEM 電荷電子顯微鏡 2186 0

富鎳層狀陰極涂層材料提高電池性能

富鎳層狀氧化物(NCM811)是一種極具發(fā)展前景的鋰離子電池正極材料，但是NCM顆粒表面很容易吸收空氣中的H2O和CO2，導(dǎo)致三價(jià)鎳的還原。

2022-09-30 標(biāo)簽：鋰離子電池充放電 SEM 2156 0

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RISC-V是一個(gè)基于精簡(jiǎn)指令集（RISC）原則的開(kāi)源指令集架構(gòu)（ISA），重點(diǎn)在于它是開(kāi)源的，這是與另外兩個(gè)主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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梁孟松

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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來(lái)到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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紫光展銳是我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以價(jià)值、未來(lái)、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
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