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      標(biāo)簽　>　sic mosfet

      sic mosfet

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      sic mosfet技術(shù)

      探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對(duì)開(kāi)關(guān)頻率的影響

      探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對(duì)開(kāi)關(guān)頻率的影響

      由于快速的開(kāi)關(guān)，傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓的增加，在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中增加了SiC MOSFET的使用。通過(guò)最快速的開(kāi)關(guān)速度和更高的頻率賦能，該框架減小了尺寸并提高...

      2021-03-19 標(biāo)簽：MOSFET開(kāi)關(guān)頻率SiC MOSFET 8200 0

      SiC功率模塊和SiC MOSFET單管不同的散熱安裝形式

      在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開(kāi)發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。

      2022-06-29 標(biāo)簽：安森美功率模塊熱管理 7510 0

      SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？

      SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？

      用+14V左右的穩(wěn)壓管Z1加上Z2管正向?qū)▔航担陂_(kāi)通時(shí)候?qū)㈦妷悍€(wěn)定在+15V左右，這樣在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)電容C10上就會(huì)有3V壓降。

      2021-12-06 標(biāo)簽：單電源SiC MOSFET 5344 0

      高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

      高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式，高擊穿電壓將嚴(yán)重限制器件的導(dǎo)通電流能力。例如對(duì)于10 kV 等級(jí)器件來(lái)說(shuō)，室溫下其電流等級(jí)約為 20~4...

      2023-02-03 標(biāo)簽：SiCSiC MOSFET 4332 0

      關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

      關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

      碳化硅（SiC）MOSFET提供了巨大的新特性和功能，但同時(shí)也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET，同時(shí)克服了驅(qū)動(dòng)...

      2021-04-02 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動(dòng)器 4252 0

      SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

      SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

      自舉式懸浮驅(qū)動(dòng)電路可以極大的簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)，只需要一路電源就可以驅(qū)動(dòng)上下橋臂兩個(gè)開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)，可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。

      2022-01-14 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電源自舉電路SiC MOSFET 4115 0

      TI柵極驅(qū)動(dòng)器提供大量設(shè)計(jì)支持工具幫助簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

      過(guò)去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 （IGBT）。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有比 IGBT 更高的...

      2022-10-11 標(biāo)簽：ti柵極驅(qū)動(dòng)器SiC MOSFET 3385 0

      特斯拉Model Y Gen-4主驅(qū)逆變器拆解

      特斯拉Model Y Gen-4主驅(qū)逆變器拆解

      Model-Y Drive Unit的主要改進(jìn)： 不再使用泄放電阻（可能使用電機(jī)繞組對(duì)母線(xiàn)電容放電）； 使用本地隔離偏置為柵極驅(qū)動(dòng)器電路供電，以降低...

      2023-06-15 標(biāo)簽：變壓器逆變器特斯拉 3340 0

      如何復(fù)制下一代柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器的改進(jìn)，以驅(qū)動(dòng)和保護(hù)SiC MOSFET

      如何復(fù)制下一代柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器的改進(jìn)，以驅(qū)動(dòng)和保護(hù)SiC MOSFET

      為了匹配CREE SiC MOSFET的低開(kāi)關(guān)損耗，柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。

      2021-05-24 標(biāo)簽：光電耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器SiC MOSFET 3189 0

      碳化硅和硅混合五電平單向整流器技術(shù)解析

      碳化硅和硅混合五電平單向整流器技術(shù)解析

      隨著云計(jì)算的概念越來(lái)越流行，數(shù)據(jù)量越來(lái)越大，數(shù)據(jù)中心每天都在改進(jìn)，最終開(kāi)始以更快的速度增長(zhǎng)。它們已成為最大和最快的能源消耗來(lái)源，而 UPS（不間斷電源）...

      2021-06-14 標(biāo)簽：整流器碳化硅SiC MOSFET 3131 0

      為什么需要注意SiC MOSFET柵極？

      作者：Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中SiC MOSFET的出現(xiàn)大大提高了性能和效率。但是，如果使...

      2021-03-11 標(biāo)簽：MOSFETSiC MOSFET 3122 0

      25 kW快充系統(tǒng)中的輔助電源設(shè)計(jì)

      在本系列的前幾篇文章中[1-6]，我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開(kāi)發(fā)的25kW EV快充系統(tǒng)，包括這個(gè)可擴(kuò)展系統(tǒng)的整...

      2022-06-27 標(biāo)簽：安森美輔助電源SiC MOSFET 2889 0

      SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

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      SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

      2023-12-05 標(biāo)簽：SiC驅(qū)動(dòng)電壓SiC MOSFET 2839 0

      SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

      SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

      關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，...

      2022-08-01 標(biāo)簽：英飛凌仿真SiC MOSFET 2594 0

      驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（七）——自舉電源在5kW交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用

      驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（七）——自舉電源在5kW交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用

      隨著功率半導(dǎo)體IGBT，SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化，電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場(chǎng)景越來(lái)越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200...

      2025-03-24 標(biāo)簽：電源電路設(shè)計(jì)PFC 2422 0

      一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)方案

      一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)方案

      通過(guò)對(duì)現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié)，從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。

      2023-04-26 標(biāo)簽：pcb半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 2162 0

      SiC MOSFET的短路測(cè)試下的引線(xiàn)鍵合應(yīng)力分析

      SiC MOSFET的短路測(cè)試下的引線(xiàn)鍵合應(yīng)力分析

      除了提供緊湊，高效的解決方案外，WBG材料還必須在異常或關(guān)鍵工作條件（例如短路和極端溫度操作）的情況下滿(mǎn)足安全要求。

      2021-05-18 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器功率轉(zhuǎn)換器CAD 2057 0

      橋式結(jié)構(gòu)中低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為

      具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSF...

      2022-07-06 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器引腳SiC MOSFET 1804 1

      SiC MOSFET應(yīng)用中的EMI改善方案分析

      寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開(kāi)關(guān)速度會(huì)導(dǎo)致較高Vds尖峰和較長(zhǎng)的振鈴時(shí)間。這種尖峰會(huì)降低設(shè)備的...

      2022-08-29 標(biāo)簽：emi柵極電阻寄生電感 1799 0

      《電動(dòng)汽車(chē)電力電子技術(shù)及市場(chǎng)-2023版》

      SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律，將迅速增長(zhǎng)并主導(dǎo)市場(chǎng)份額，IDTechEx在報(bào)告中給出了各類(lèi)器件的應(yīng)用時(shí)間表。雖然經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的SiC MOS...

      2023-02-23 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)功率器件SiC MOSFET 1642 0

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      • 快充技術(shù)
        快充技術(shù)
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      • 尼吉康
        尼吉康
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      • trinamic
        trinamic
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        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà)，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
      • 閾值電壓
        閾值電壓
        +關(guān)注
        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
      • 無(wú)線(xiàn)供電
        無(wú)線(xiàn)供電
        +關(guān)注
        無(wú)線(xiàn)供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
      • 寧德時(shí)代
        寧德時(shí)代
        +關(guān)注
      • 艾德克斯
        艾德克斯
        +關(guān)注
        ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
      • 快充
        快充
        +關(guān)注
        目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
      • Qi標(biāo)準(zhǔn)
        Qi標(biāo)準(zhǔn)
        +關(guān)注
        國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
      • Pebble
        Pebble
        +關(guān)注
        Pebble，是一家智能手表廠(chǎng)商。2015年2 月底，智能手表廠(chǎng)商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線(xiàn)不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
      • WPC
        WPC
        +關(guān)注
      • 手機(jī)快充
        手機(jī)快充
        +關(guān)注
        手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
      • 電池系統(tǒng)
        電池系統(tǒng)
        +關(guān)注
        　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
      • A4WP
        A4WP
        +關(guān)注
        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
      • MAX660
        MAX660
        +關(guān)注
        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
      • 智能變電站
        智能變電站
        +關(guān)注
        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
      • USB PD
        USB PD
        +關(guān)注
      • 太陽(yáng)能充電
        太陽(yáng)能充電
        +關(guān)注
      • PSR
        PSR
        +關(guān)注
      • 浪涌抑制器
        浪涌抑制器
        +關(guān)注
      • 光伏并網(wǎng)逆變器
        光伏并網(wǎng)逆變器
        +關(guān)注
        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線(xiàn)電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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        +關(guān)注
      • PWM信號(hào)
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        +關(guān)注
        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
        DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
      • 系統(tǒng)電源
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      • 董明珠
        董明珠
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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