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標(biāo)簽 > sic mosfet
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電動汽車 (EV) 以及更普遍的電動汽車的成功在很大程度上取決于為電池充電所需的時(shí)間。長期以來被認(rèn)為是電動汽車的弱點(diǎn)之一,充電時(shí)間逐漸減少,快速充電等先...
2022-07-26 標(biāo)簽:電動汽車轉(zhuǎn)換器充電系統(tǒng) 1598 0
富昌電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中心SiC版逆變器方案
該方案基于NXP Power架構(gòu)主控MCU平臺,融合了ON隔離預(yù)驅(qū)芯片及碳化硅功率器件,以及NXP電源管理芯片,可實(shí)現(xiàn)汽車功能安全標(biāo)準(zhǔn)ISO26262的...
2022-10-31 標(biāo)簽:逆變器碳化硅SiC MOSFET 879 0
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 796 0
新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測電路,設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測功能的驅(qū)動電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...
典型車用IGBT芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解析
Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(dāng)(+15V) ,但負(fù)柵壓仍有很大差別(-5V) ,Sic MOSFET開關(guān)速度快引起的EMII問...
SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設(shè)計(jì)中的優(yōu)勢
使用寬帶隙半導(dǎo)體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關(guān)現(xiàn)在在電力變換器中得到了廣泛應(yīng)用。SiC晶體管的高速開關(guān)特性以及低反向恢復(fù)電荷,或氮化鎵HEMT的...
2025-03-21 標(biāo)簽:電源開關(guān)LLC變換器SiC MOSFET 371 0
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