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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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瞻芯電子榮獲2024年電源行業(yè)配套品牌兩項(xiàng)大獎(jiǎng)
近日,第十五屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在深圳召開,同期舉行“第三屆電源行業(yè)配套品牌評(píng)選活動(dòng)”。此次評(píng)選旨在表彰在技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)表現(xiàn)和行業(yè)影響力方面具有卓越成...
/編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄...
2024-12-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體開關(guān)電源SiC 1266 0
芯聯(lián)集成SiC MOS主驅(qū)芯片榮獲中汽協(xié)創(chuàng)新成果獎(jiǎng)
芯聯(lián)集成控股子公司芯聯(lián)動(dòng)力的SiC MOS主驅(qū)芯片,在近日舉辦的中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)(簡(jiǎn)稱“中汽協(xié)”)頒獎(jiǎng)典禮上,成功斬獲“2024中國汽車芯片創(chuàng)新成果”獎(jiǎng)...
功率半導(dǎo)體性能表征的關(guān)鍵技術(shù)研究與應(yīng)用分析
引言全球能源結(jié)構(gòu)的變革深刻影響著電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件是電力電子設(shè)備能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)年P(guān)鍵,在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、軌道交通...
2024-12-10 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 647 0
市場(chǎng)上哪些功率半導(dǎo)體產(chǎn)品最受青睞?有哪些獨(dú)特優(yōu)勢(shì)
隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)意識(shí)的增強(qiáng)和能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型,光儲(chǔ)充系統(tǒng)作為連接光伏發(fā)電、儲(chǔ)能裝置和電動(dòng)汽車充電站的重要橋梁,正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。而功率半導(dǎo)體,作...
2024-12-09 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 863 0
天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料之一,近20年來隨著SiC材料加工技術(shù)的不斷提升,其應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大。目前SiC芯片的制備...
Sic功率芯片制造工藝技術(shù)知識(shí)與專家報(bào)告分享
Sic功率芯片:即碳化硅(Silicon Carbide,簡(jiǎn)稱SiC)芯片,是一種基于第三代半導(dǎo)體材料的芯片。SiC芯片具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電...
喜報(bào) | 芯森電子榮獲2024年珠海市“科創(chuàng)杯”創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽優(yōu)勝獎(jiǎng)
近日,珠海芯森電子科技有限公司在第十三屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽(廣東·珠海賽區(qū))暨2024年珠海市“科創(chuàng)杯”創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽中榮獲優(yōu)勝獎(jiǎng)。此次大賽匯聚了眾多創(chuàng)新企...
超31萬片!約102億!兩大半導(dǎo)體公司,合建SiC項(xiàng)目
來源:半導(dǎo)體材料與工藝 11月29日,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布,將為日本電裝與富士電機(jī)共同投資的碳化硅(SiC)半導(dǎo)體項(xiàng)目提供補(bǔ)貼,該項(xiàng)目投資額達(dá)2116億日...
2024-12-03 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體公司 619 0
瞻芯電子推出車規(guī)級(jí)1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,助力高效大功率應(yīng)用
為了滿足高效、大功率變換系統(tǒng)應(yīng)用需要,瞻芯電子開發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,其中TO247-2封裝器件產(chǎn)品IV2D12...
隨著清潔能源的快速增長,作為光伏系統(tǒng)心臟的太陽能逆變器儼然已經(jīng)成為能源革命浪潮中的超級(jí)賽道。高效的光伏系統(tǒng),離不開功率器件。全I(xiàn)GBT方案、混合SiC方...
瞻芯電子參與編制SiC MOSFET可靠性和動(dòng)態(tài)開關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
日前,在第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)上,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)發(fā)布了9項(xiàng)碳化硅 (SiC) MOSFET測(cè)試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)...
新品 | 第二代 CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝
新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21...
SiC在電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)中的應(yīng)用
在綠色出行浪潮的推動(dòng)下,電動(dòng)汽車(EV)作為一種重要的環(huán)保交通工具,正以勢(shì)不可擋之勢(shì)融入我們的日常生活。然而,要讓這些“鋼鐵俠”自由馳騁,高效可靠的充電...
2024-11-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體安富利 877 0
揚(yáng)杰科技推出全新SiC MOSFET產(chǎn)品
揚(yáng)杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK產(chǎn)品,產(chǎn)品均采用開爾文接觸,明顯減少了開關(guān)時(shí)間,降低了開關(guān)損耗,支持更高頻率的應(yīng)用與動(dòng)態(tài)...
安森美三大碳化硅解決方案賦能電動(dòng)汽車充電效率提升
習(xí)慣能在5分鐘內(nèi)完成能量補(bǔ)給的燃油車車主們,難免會(huì)對(duì)新能源汽車產(chǎn)生“里程焦慮”。這種焦慮源自于汽車的充電時(shí)間和續(xù)航能力。然而,隨著充電技術(shù)的不斷提升,特...
碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體,具有以下特性: 寬帶隙 :SiC的帶隙寬度約為3.26eV,遠(yuǎn)大于硅(Si)的1.12eV,這...
碳化硅(SiC)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,這得益于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)。以下是對(duì)碳化硅在高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析: 一、高溫穩(wěn)定性 碳化硅具有極高的熔點(diǎn)...
2024-11-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 2461 0
碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對(duì)比
碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個(gè)復(fù)雜步驟,以下是對(duì)SiC制造工藝的詳細(xì)介紹: 原材料選擇與預(yù)處理...
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