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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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onsemi推出新一代SiC智能電力模塊，助力降低能耗與系統(tǒng)成本

近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號(hào)為SPM31。這款以金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...

2025-03-18 標(biāo)簽：晶體管 SiC IPM 691 0

國(guó)內(nèi)首條8英寸車(chē)規(guī)級(jí)SiC產(chǎn)線正式通線！ST本土化戰(zhàn)略再進(jìn)一步

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道在2月27日，意法半導(dǎo)體（ST）和三安光電宣布雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠正式通線。這也意味著這個(gè)近年海外半導(dǎo)體巨頭...

2025-03-18 標(biāo)簽：ST SiC 4.4k 0

只有采用SiC碳化硅功率模塊的變流器PCS才能讓工商業(yè)儲(chǔ)能印鈔機(jī)狂飆

采用碳化硅（SiC）功率模塊的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器（PCS）之所以被稱(chēng)為“印鈔機(jī)”，是因?yàn)槠湓谛?、成本、可靠性和系統(tǒng)集成等方面實(shí)現(xiàn)了革命性突破，顯著提升了...

2025-03-17 標(biāo)簽：SiC 功率模塊變流器 632 0

SiC全橋碳化硅模塊在家儲(chǔ)系統(tǒng)電池充放電DC-DC中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

BMH027MR07E1G3碳化硅全橋模塊在家儲(chǔ)系統(tǒng)電池PACK充放電DC-DC中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì) BMH027MR07E1G3作為一款650V全橋碳化硅MO...

2025-03-17 標(biāo)簽：DC-DC SiC 碳化硅 440 0

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊取代英飛凌PIM模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊BMS065MR12EP2CA2替代IGBT模塊FP35R12N2T7_B67的綜合技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析 FP35R12N2T7_...

2025-03-16 標(biāo)簽：SiC pim 碳化硅 804 0

2025年SiC市場(chǎng)需求增長(zhǎng)點(diǎn)在哪？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過(guò)去的2024年，SiC市場(chǎng)經(jīng)歷了動(dòng)蕩的一年。從過(guò)去的供不應(yīng)求，受到大規(guī)模產(chǎn)能釋放的影響，迅速轉(zhuǎn)變?yōu)楣┻^(guò)于求；另一方面，...

2025-03-17 標(biāo)簽：SiC 3.6k 0

突破電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)的技術(shù)瓶頸：先進(jìn)的SiC溝槽技術(shù)

隨著汽車(chē)市場(chǎng)向主流采用加速，電力電子技術(shù)已成為創(chuàng)新的基石，推動(dòng)了卓越的性能和效率。在這一技術(shù)演變的前沿，碳化硅(SiC)功率模塊作為一項(xiàng)關(guān)鍵進(jìn)展，重新定...

2025-03-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)SiC 動(dòng)力系統(tǒng) 902 0

瞻芯電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L

近日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲(chǔ)能和充電樁等應(yīng)用場(chǎng)景，提供了高效、低...

2025-03-11 標(biāo)簽：封裝 SiC 瞻芯電子 1k 0

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊解決工商業(yè)儲(chǔ)能PCS多維度痛點(diǎn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

BMF240R12E2G3解決工商業(yè)儲(chǔ)能PCS多維度痛點(diǎn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析一、效率提升：高頻、低損耗與高溫穩(wěn)定性低導(dǎo)通電阻與開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢(shì) BMF240R...

2025-03-11 標(biāo)簽：SiC 儲(chǔ)能 PCS 534 0

中國(guó)制造2025：SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的高度國(guó)產(chǎn)化

碳化硅功率半導(dǎo)體的高國(guó)產(chǎn)化程度是中國(guó)制造2025戰(zhàn)略的典型成果，通過(guò) 政策引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)鏈整合、技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)需求共振，實(shí)現(xiàn)了從“進(jìn)口替代”到“全球競(jìng)爭(zhēng)”...

2025-03-09 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 1.7k 0

揚(yáng)杰科技聯(lián)合舉辦SiC和IGBT功率產(chǎn)品合作交流會(huì)

近日，由揚(yáng)州市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司聯(lián)合舉辦的“揚(yáng)帆起航共贏未來(lái)”SiC、IGBT功率產(chǎn)品合作交流會(huì)在揚(yáng)州隆重舉行。

2025-03-07 標(biāo)簽：IGBT SiC 揚(yáng)杰科技 1.1k 0

SiC與GaN技術(shù)專(zhuān)利競(jìng)爭(zhēng)：新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機(jī)遇

在過(guò)去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢(shì)，如降低功率損耗、更高的開(kāi)關(guān)速度以及能...

2025-03-07 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 755 0

2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年

2025年被廣泛視為碳化硅（SiC）器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的元年，在于國(guó)產(chǎn)SiC（碳化硅）單管和模塊價(jià)格首次低于進(jìn)口...

2025-03-07 標(biāo)簽：IGBT SiC 碳化硅 915 0

士蘭微電子8英寸碳化硅項(xiàng)目封頂

近日，士蘭微電子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（廈門(mén)士蘭集宏一期）正式封頂。封頂儀式現(xiàn)場(chǎng)，海滄臺(tái)商投資區(qū)管委會(huì)副主任眭國(guó)瑜，士蘭微電子...

2025-03-04 標(biāo)簽：士蘭微電子 SiC 碳化硅 924 0

全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)250億美元！

根據(jù)YoleGroup最近公布的市場(chǎng)預(yù)測(cè)，全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)到2030年的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到約250億美元。這一預(yù)測(cè)顯示了化合物半導(dǎo)體行業(yè)在未來(lái)幾年的快...

2025-03-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 化合物半導(dǎo)體 873 0

深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個(gè)必然”及其產(chǎn)業(yè)影響

深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個(gè)必然”及其產(chǎn)業(yè)影響 ? 一、功率半導(dǎo)體發(fā)展的“三個(gè)必然”的技術(shù)內(nèi)涵與歷史性變革分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“...

2025-03-04 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 693 0

SemiQ第三代SiC MOSFET：車(chē)充與工業(yè)應(yīng)用新突破

SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級(jí)，芯片面積縮小20%，開(kāi)關(guān)損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。...

2025-03-03 標(biāo)簽：MOSFET SiC 車(chē)充 1.2k 0

國(guó)產(chǎn)SiC模塊賦能組串式儲(chǔ)能變流器（PCS）助力能源高效利用

SiC模塊 BMF240R12E2G3 成為組串式儲(chǔ)能變流器（PCS）首選功率模塊并全面取代 IGBT 模塊和 IGBT 單管方案的核心原因如下： BM...

2025-03-03 標(biāo)簽：SiC 儲(chǔ)能 PCS 753 0

國(guó)產(chǎn)SiC器件飛跨電容三電平取代2000V器件兩電平MPPT升壓方案

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B3M013C120Z與二極管B3D80120H2組合大組串逆變器MPPT升壓方案優(yōu)勢(shì)分析以及全面取代老舊的2000V器件...

2025-03-03 標(biāo)簽：SiC MPPT 飛跨電容 734 0

瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓功率模塊

日前，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)，為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解...

2025-03-01 標(biāo)簽：封裝 SiC 功率模塊 1.1k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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