近日，半導體技術公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號為SPM 31。這款以金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)為基礎的模塊，憑借卓越的能效和功率密度，成為行業(yè)內的一項重大技術進步。新一代EliteSiC SPM 31 IPM在體積上保持了最緊湊的設計，相較于傳統的場停7 IGBT技術，具有更顯著的能量效率和更低的系統總成本。

EliteSiC SPM 31 IPM的推出，旨在滿足對高性能電源解決方案日益增長的需求。得益于其改進的熱性能和較低的功率損耗，這些模塊特別適合應用于三相逆變器驅動，廣泛用于人工智能數據中心的電子換向(EC)風扇、熱泵、商用暖通空調系統、伺服電機、機器人及變頻驅動(VFD)等領域。此外，它們也適用于工業(yè)泵和風扇，滿足了現代工業(yè)對高效能和高可靠性的要求。

新款EliteSiC SPM 31 IPM提供多種電流等級，范圍從40A到70A，滿足不同應用的需求。同時，onsemi的IGBT SPM 31 IPM系列也為15A至35A的低電流水平提供了解決方案。這使得onsemi在行業(yè)內成為提供最廣泛、最靈活的集成電力模塊解決方案的供應商，能夠滿足市場上不同客戶的需求。

隨著全球數據中心數量的快速增加，市場對EC風扇的需求預計將持續(xù)上升。這些風扇在數據中心中扮演著至關重要的角色，確保設備在最佳工作條件下運行，從而保證數據傳輸的準確性和穩(wěn)定性。使用SiC IPM技術的EC風扇，能夠在更高的可靠性和效率下運行，顯著提升系統的整體性能。

在工業(yè)應用方面，EC風扇與傳統的較大IGBT解決方案相比，更加需要高功率密度和高效能。通過采用EliteSiC SPM 31 IPM，客戶不僅能夠獲得更小的系統占地面積，同時也能享受卓越的性能與簡化的設計。這種高集成度的解決方案縮短了開發(fā)周期，降低了整體系統成本，并有助于減少溫室氣體的排放。

舉例來說，若將一個傳統的IGBT電力集成模塊(PIM)替換為EliteSiC SPM 31 IPM，并且在70%負載下功率損耗為500W，預計每個EC風扇的年能耗和成本將下降52%。這一顯著的節(jié)能效果，不僅為客戶帶來了經濟效益，也為可持續(xù)發(fā)展貢獻了力量。

總之，onsemi的EliteSiC SPM 31 IPM代表了智能電力模塊技術的前沿，為各行業(yè)提供了高效、可靠的電力解決方案，助力實現更低的能耗和更優(yōu)的系統成本。隨著市場的進一步發(fā)展，onsemi將繼續(xù)致力于創(chuàng)新，為客戶提供更具競爭力的產品。