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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊...
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)洗牌:SiC碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司的批量淘汰
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司的批量淘汰,與其視為行業(yè)危機(jī),不如理解為市場(chǎng)機(jī)制的自我凈化——當(dāng)參數(shù)虛標(biāo)、低質(zhì)低價(jià)等亂象被清除,真正具備創(chuàng)新能力的企...
2025-06-24 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 168 0
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可復(fù)制的戰(zhàn)略框架與方向指引
國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)成功驗(yàn)證了國(guó)產(chǎn)碳化硅企業(yè)從“替代進(jìn)口”到“全球競(jìng)合”的可行路徑。隨著8英寸量產(chǎn)窗口臨近,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體...
2025-06-24 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 122 0
中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“結(jié)硬寨,打呆仗”的破局之路
中國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)從政策扶持、技術(shù)攻堅(jiān)到資本賦能的縮影。其發(fā)展揭示了中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的共性路徑:以IDM模式突破封鎖,以成本優(yōu)勢(shì)搶占市場(chǎng),以資本耐力換取技術(shù)時(shí)...
2025-06-24 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 142 0
硅基時(shí)代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?
革命性替代:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT? —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn),IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模...
基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析
從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析,中國(guó)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)步,具體體...
新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET
新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOS...
浮思特 | 緊湊型SiC模塊助力高功率密度車(chē)載充電器發(fā)展
電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的發(fā)展日新月異:電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)正朝著更高效率、更緊湊化的方向演進(jìn),以提升車(chē)輛自主性和續(xù)航里程。車(chē)載充電器(OBC)作為這一發(fā)展的核心部件,必須...
2025-05-29 標(biāo)簽:模塊SiC車(chē)載充電器 480 0
Power Integrations發(fā)布1700 V SiC開(kāi)關(guān)集成電路,專(zhuān)為800 V電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)
在全球電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)快速發(fā)展的背景下,PowerIntegrations公司近日推出了一款1700VSiC(碳化硅)開(kāi)關(guān)集成電路,專(zhuān)門(mén)為800V電動(dòng)汽車(chē)系...
2025-05-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)集成電路SiC 321 0
新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品
新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOS...
揚(yáng)杰科技出席2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議
此前,5月22日至24日,“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”在南京熹禾涵田酒店順利召開(kāi)。揚(yáng)杰科技受邀參加,董事長(zhǎng)梁勤女士親自參加會(huì)議,功率器件事業(yè)...
2025-05-26 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體揚(yáng)杰科技 707 0
什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應(yīng)用哪里?
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領(lǐng)域核心開(kāi)關(guān)器件,通過(guò)柵極電壓...
Wolfspeed破產(chǎn)重組 SiC行業(yè)格局生變
近日,行業(yè)先驅(qū)Wolfspeed被曝?cái)M通過(guò)破產(chǎn)保護(hù)程序?qū)嵤I(yè)務(wù)重組。這一動(dòng)向折射出SiC產(chǎn)業(yè)激烈競(jìng)爭(zhēng)下的洗牌趨勢(shì),也凸顯中國(guó)供應(yīng)鏈的快速崛起對(duì)傳統(tǒng)巨頭的...
選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率模塊,賦能盤(pán)式電機(jī)驅(qū)動(dòng)新紀(jì)元
傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開(kāi)關(guān)損耗和頻率瓶頸,而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢(shì),成為理想選擇?;景雽?dǎo)體推出的BMF240R12E2G3與BMF008...
逆變焊機(jī)新時(shí)代:碳化硅(SiC)技術(shù)開(kāi)啟高效節(jié)能新篇章
在工業(yè)制造領(lǐng)域,焊接設(shè)備是核心生產(chǎn)力工具之一,其效率與能耗直接影響生產(chǎn)成本和環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。傳統(tǒng)焊機(jī)多采用IGBT(絕緣柵雙極晶體管)技術(shù),但在高頻應(yīng)用場(chǎng)景下...
SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新,賦能高效能源未來(lái)
BASiC Semiconductor(基本半導(dǎo)體)作為領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件及驅(qū)動(dòng)解決方案提供商,始終致力于通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)電力電子系統(tǒng)的高效...
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑
在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來(lái)了替代其市場(chǎng)份額的重大機(jī)遇。
國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET在電力電子輔助電源中的全面進(jìn)口替代方案
隨著新能源、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域的快速發(fā)展,輔助電源對(duì)高效率、高功率密度及高溫穩(wěn)定性的需求日益迫切。傳統(tǒng)的硅基器件已逐漸難以滿足嚴(yán)苛的性能要求,而碳...
基本半導(dǎo)體SiC功率模塊:中國(guó)工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS廠商出海的“技術(shù)引擎”
在全球能源轉(zhuǎn)型與碳中和目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)下,工商業(yè)儲(chǔ)能市場(chǎng)正經(jīng)歷技術(shù)代際更迭的浪潮。碳化硅(SiC)功率模塊憑借其高頻高效、耐高溫高壓等特性,成為儲(chǔ)能變流器(P...
開(kāi)啟焊機(jī)高效時(shí)代:國(guó)內(nèi)首發(fā)400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析
碳化硅逆變焊機(jī)輸出整流應(yīng)用的革新之選:國(guó)內(nèi)首發(fā)400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析 引言:碳化硅技術(shù)引領(lǐng)焊機(jī)高效化浪潮 隨著電力電...
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