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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

深入解析Cache在AI處理器設(shè)計中的作用機制

最快的存儲器類型是SRAM，但每個SRAM單元需要六個晶體管，因此SRAM在SoC內(nèi)部很少使用，因為它會消耗大量的空間和功率。

2024-03-25 標簽：集成電路存儲器 sram 734 0

fpga是什么架構(gòu)

FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）的架構(gòu)主要由可配置邏輯模塊（CLB）、輸入/輸出模塊（IOB）以及可編程互連資源組成。

2024-03-14 標簽：FPGA 存儲器 sram 1248 0

GPU CUDA 編程的基本原理是什么

神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)能加速的有很多，當然使用硬件加速是最可觀的了，而目前除了專用的NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速單元），就屬于GPU對神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速效果最好了

2024-03-05 標簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)gpu sram 1193 0

人工智能與機器學習計算中的內(nèi)存挑戰(zhàn)

更多帶寬 – 隨著需要移動大量數(shù)據(jù)，我們目睹了所有 DRAM 類型繼續(xù)競相提高數(shù)據(jù)速率以提供更多內(nèi)存帶寬。

2024-03-04 標簽：DRAM sram 人工智能 446 0

英特爾Clearwater Forest系列突破高核心數(shù)服務(wù)器CPU

在封裝方面，英特爾表示，對于Clearwater Forest，將使用其他工藝節(jié)點來實現(xiàn)SRAM和I/O，因為這些節(jié)點在較新的工藝上無法很好地擴展。

2024-03-01 標簽：英特爾 cpu sram 786 0

電遷移導致半導體失效的機理探討

SRAM工藝的處理器是通過CMOS內(nèi)部管道切換的方式工作，其產(chǎn)品處理速度較高，被眾多用戶接受。但是，CMOS工藝有一個致命缺陷，由于工藝原因，伴隨CMO...

2024-02-29 標簽：處理器 FPGA CMOS 1089 0

GD32F4的TCMSRAM（緊耦合SRAM）該如何使用？

如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從...

2024-02-24 標簽：單片機 sram GD32 2380 0

TSV與異構(gòu)集成技術(shù)的前沿進展與趨勢展望

先進封裝是芯片設(shè)計的必由之路。TSV則是必由之路上的服務(wù)站。世界上各個主要的IC廠商包括設(shè)計、晶圓、封測廠商，開發(fā)了一大批專利技術(shù)，使用TSV達成各種復...

2024-02-25 標簽：sram 芯片設(shè)計 TSV 1618 0

未來十年：邏輯電路的發(fā)展趨勢與前景展望

實際測量的 SRAM 內(nèi)存面積比筆者通常聽到人們談?wù)摰钠舷到y(tǒng) (SOC) 產(chǎn)品的百分比要小得多。

2024-02-20 標簽：amd 邏輯電路 sram 1494 0

MRAM特性優(yōu)勢和存儲原理

MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同...

2024-02-19 標簽：存儲器 sram 晶體管 1929 0

SRAM CLA和SRAM有什么區(qū)別

每個SRAM單元的核心由兩個CMOS反相器構(gòu)成，這兩個反相器相互連接，每個反相器的輸出電位被用作另一個反相器的輸入。這種結(jié)構(gòu)使得每個SRAM單元都可以保...

2024-02-19 標簽：CMOS 存儲器 sram 1422 0

動態(tài)存儲器和靜態(tài)存儲器的區(qū)別

SRAM 中的每個存儲單元由多個觸發(fā)器構(gòu)成。每個觸發(fā)器可以存儲一個位的數(shù)據(jù)，并在電源供電時一直保持該狀態(tài)，不需要刷新操作。

2024-02-05 標簽：DRAM 存儲器 sram 6310 0

為什么GD32F303代碼運行在flash比sram更快？

我們知道一般MCU的flash有等待周期，隨主頻提升需要插入flash讀取的等待周期，以stm32f103為例，主頻在72M時需要插入2個等待周期，故而...

2024-01-31 標簽：單片機嵌入式 sram 1399 0

【BBuf的CUDA筆記】OpenAI Triton入門筆記一

這里來看官方的介紹：https://openai.com/research/triton ，從官方的介紹中我們可以看到OpenAI Triton的產(chǎn)生動...

2024-01-23 標簽：sram 多處理器 Cache 3138 0

先楫HPM片上Cache使用指南經(jīng)驗分享

高速緩存（Cache）主要是為了解決CPU運算速度與內(nèi)存（Memory）讀寫速度不匹配的矛盾而存在，是CPU與存儲設(shè)備之間的臨時存貯器，容量小，但是交...

2024-01-22 標簽：sram 高速緩存 Cache 1784 0

為什么半導體行業(yè)試圖取代 FinFET？

納米片晶體管并不能拯救摩爾定律，也不能解決代工廠在最先進工藝節(jié)點上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問題，代工廠正在尋求各種創(chuàng)新，例如背面供電（BSPD），以...

2024-01-22 標簽：sram eda 晶體管 1073 0

STM32單片機程序是如何編譯，運行的？

block 0 里面有一段叫做FLASH，也就是內(nèi)部FLASH，我們的程序就是下載到這個地方，起始地址是0X800 0000，大家注意，這個只有1M空間...

2024-01-12 標簽：單片機 FlaSh sram 3259 0

關(guān)于SRAM存儲容量及基本特點

通常我們將存儲容量表示為：字數(shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構(gòu)成一個字，一共有64個字。這個概念要相當熟悉，后面理解題目很有用。

2024-01-09 標簽：放大器 DRAM 存儲器 2768 0

深入探索MRAM的原理與技術(shù)

2024-01-09 標簽：存儲器 sram MRAM 2025 0

賽普拉斯的NV-SRAM接口解決方案

賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供...

2024-01-09 標簽：電容器控制器 sram 843 0

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