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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

CKS32F4xx系列低功耗模式之STANDBY模式

本章中，我們主要對CKS32F4xx系列的待機(jī)模式（STANDBY）做詳細(xì)介紹。在該模式下，芯片功耗最低，1.2V供電區(qū)域、PLL、HSI和HSE振蕩器...

2023-07-07 標(biāo)簽：芯片寄存器 sram 1534 0

海速芯TM52F1363單片機(jī)在智能電熱杯中的應(yīng)用

電熱杯加熱水主要是通過底部的發(fā)熱管起作用的，電熱杯底部發(fā)熱管通電后，內(nèi)部的電阻絲會產(chǎn)生熱量，并將熱量傳遞到杯身，從而對杯內(nèi)的水進(jìn)行加熱，當(dāng)水加熱沸騰時，...

2023-07-06 標(biāo)簽：單片機(jī)mcu 驅(qū)動器 830 0

半導(dǎo)體存儲器簡介

半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在...

2023-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM FlaSh 4695 0

淺談存算一體技術(shù)的發(fā)展路線

而存算一體則是把存儲單元和處理單元合二為一，把數(shù)據(jù)和計算融合在同一片區(qū)中，這樣處理的好處在于可以直接利用存儲器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，從根本上消除馮諾依曼架構(gòu)計算...

2023-06-20 標(biāo)簽：處理器存儲器 sram 3217 0

stm32上移植linux的實操案例經(jīng)驗分享

使用initramfs最簡單的方式，莫過于用已經(jīng)做好的cpio.gz把kernel里面那個空的給換掉。這是2.6 kernel天生支持的，所以，你不用做...

2023-06-16 標(biāo)簽：sram Linux STM32 2268 0

國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在可移動數(shù)據(jù)采集器中的應(yīng)用方案

在數(shù)據(jù)采集中，某些變化緩慢的直流信號，需要長時間監(jiān)測記錄信號變化;用性能可靠的移動存儲器接在工作現(xiàn)場進(jìn)行數(shù)據(jù)自動記錄采集，待采集完成后取回并接到計算機(jī)讀...

2023-06-15 標(biāo)簽：存儲器 sram 數(shù)據(jù)采集 865 0

PSRAM完全解讀

PSRAM的時序比較簡單,主要根據(jù)各個時序圖理解每個時序階段,及其參數(shù)。重點要理解DQS/DM是誰驅(qū)動的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時間即DQS上升沿延...

2023-06-08 標(biāo)簽：DRAM 存儲單元 sram 4.5萬 0

嵌入式系統(tǒng)存儲正確性和壓力測試方案

在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)測試階段通常需要對存儲進(jìn)行正確性和壓力測試,比如SRAM,DDR等,通常的做法是進(jìn)行遍歷讀寫,比如寫0x55,0xAA,0x00,0xF...

2023-06-08 標(biāo)簽：嵌入式嵌入式系統(tǒng)存儲 2970 0

存儲芯片的原理_分類及應(yīng)用

存儲芯片是指集成電路中用來存儲數(shù)據(jù)的芯片，它可以存儲數(shù)字信號，包括二進(jìn)制碼、字符、圖像、聲音等信息。存儲芯片廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中，如計算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相...

2023-06-02 標(biāo)簽：DRAM 存儲 sram 1.5萬 0

微控制器的FSMC到底是咋回事？(下）

摘要：上一篇文章我們具體講解了FSMC的原理配置，這一章主要是關(guān)于使用FSMC的SRAM初始化流程，以及使用STM32CubeMX對FSMC進(jìn)行配置。

2023-05-14 標(biāo)簽：微控制器寄存器 sram 3335 0

這些新型存儲，有機(jī)會嗎？

在高層次上，計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)有幾個關(guān)鍵組件：CPU（由計算核心和互連組成）、內(nèi)存（由高速緩存、主內(nèi)存和硬盤驅(qū)動器組成）以及輸入和輸出硬件。雖然架構(gòu)的所有部...

2023-05-10 標(biāo)簽：存儲器 cpu sram 897 0

使用低功耗組件的高功率非電池供電系統(tǒng)如何有益

Microchip在Microchip PolarFire SoC和基于SRAM的競爭性FPGA SoC上實現(xiàn)了相同的設(shè)計。在這兩款器件上，使用供應(yīng)商特...

2023-05-06 標(biāo)簽：fpga sram soc 911 0

怎樣設(shè)計一個同步FIFO？（3）

我們說這個結(jié)構(gòu)之所以使得FIFO的輸出Q在讀完SRAM之后保持穩(wěn)定，其實需要SRAM本身可以保持RDATA在讀操作之后的多個周期保持穩(wěn)定。即SRAM本身...

2023-05-04 標(biāo)簽：sram fifo 848 0

怎樣設(shè)計一個同步FIFO？（2）

開始往下讀之前，老李先問一個問題，假如現(xiàn)在讓你設(shè)計一個深度為N的基于2port SRAM的同步FIFO，請問至少需要多大的SRAM？假設(shè)SRAM的位寬...

2023-05-04 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)sram fifo 1359 0

從Cache驗證參考模型對比來談復(fù)雜度權(quán)衡

總體而言，在驗證L1 cache system （L1SYS）的過程中，L1SYS的機(jī)構(gòu)被拆分為多個模塊，包括shadow command buffer...

2023-04-28 標(biāo)簽：sram Cache mesh技術(shù) 1841 0

淺談存儲芯片分類及主要市場格局

3D NAND, 即立體堆疊技術(shù)，如果把2D NAND看成平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積成倍擴(kuò)增，理論上可以無限堆疊，可以擺脫對先進(jìn)制...

2023-04-06 標(biāo)簽：sram 存儲芯片只讀存儲器 5531 0

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管（6T）SRAM尺寸縮小時間表，以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖...

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電路mcu是什么 MCU主板構(gòu)造

存儲器：存儲器是MCU主板的重要組成部分，用于存儲程序代碼和數(shù)據(jù)。主板上通常包括閃存、SRAM、EEPROM等存儲器。

2023-04-01 標(biāo)簽：人機(jī)交互 mcu 存儲器 8311 0

科普Register file和SRAM

前兩期，我們分別對OTP和MTP，RAM和ROM進(jìn)行了比較。這一次，我們來談?wù)凪emory Compiler，以及通過它生成的Register file...

2023-03-31 標(biāo)簽：sram 內(nèi)存 Memory 1.5萬 0

我們常用存儲器知道有哪些嘛

存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機(jī)角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。

2023-03-30 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 sram 2378 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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