2022年，集成電路半導(dǎo)體行業(yè)最熱的頭條是“EDA被全面封鎖”。如何突破EDA封鎖，成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵詞，也是群體焦慮。在全球市場(chǎng)，有人比喻EDA是“芯片之母”，如果沒(méi)有了芯片，工業(yè)發(fā)展和社會(huì)進(jìn)步將處處受制，EDA的重要性也上升到了戰(zhàn)略性高度。盡管?chē)?guó)際封鎖形勢(shì)嚴(yán)峻，但睿智的中國(guó)科技人擅于把危機(jī)化為機(jī)會(huì)，從《加快自主研發(fā)應(yīng)用，讓工業(yè)軟件不再卡脖子》，到《破解科技卡脖子要打好三張牌》，即一要打好“基礎(chǔ)牌”，提升基礎(chǔ)創(chuàng)新能力；二要打好“應(yīng)用牌”，加強(qiáng)對(duì)高精尖國(guó)貨的應(yīng)用；三是要打好“人才牌”，讓人才留得住、用得上、有發(fā)展……，各種政策、舉措和實(shí)際行動(dòng)，處處彰顯了我們中國(guó)科技的發(fā)展韌性。

我們EDA探索頻道，今天迎來(lái)了第25期的內(nèi)容——Intel的工藝歷史，下面就跟著小編一起來(lái)開(kāi)啟今天的探索之旅吧~

下表顯示了英特爾集成電路工藝發(fā)展的歷史。數(shù)值取自英特爾的各種文件，包括 IDF 演示文稿、ISSCC 文件和 IEDM 文件。需要注意的是，雖然我們做了大量工作盡量保證數(shù)值的準(zhǔn)確，但英特爾公司自己文件中的某些數(shù)字仍有細(xì)微差別，因此可能存在差異。SRAM bitcell是高密度 6T bitcell，但在最初的幾個(gè)工藝中使用了較小的bitcell設(shè)計(jì)。此外，金屬層數(shù)是指消費(fèi)類(lèi)芯片（例如消費(fèi)類(lèi)手機(jī)和臺(tái)式機(jī)）的金屬層數(shù)；服務(wù)器型號(hào)使用的金屬層數(shù)要多得多。最后，從 45 納米節(jié)點(diǎn)開(kāi)始，英特爾轉(zhuǎn)而使用高κ材料，因此顯示的氧化物厚度指的是等效氧化物厚度。

術(shù)語(yǔ)

幾十年來(lái)，英特爾一直使用相同的命名方案。所有工藝技術(shù)（包括封裝技術(shù)）都以?"P "開(kāi)頭，然后是晶圓尺寸和工藝 ID。一般來(lái)說(shuō)，工藝 ID 是一個(gè)自動(dòng)遞增值，奇數(shù)值通常保留給 SoC 和 I/O（低功耗）設(shè)備，而偶數(shù)值則用于英特爾的高性能處理器產(chǎn)品線(xiàn)。

△點(diǎn)擊查看大圖

SRAM微縮

就英特爾而言，從 2 um到 10 nm，SRAM 6T 位單元平均縮小了 0.496 倍，以遵循摩爾定律密度翻倍要求。實(shí)際上在 65 nm工藝節(jié)點(diǎn)之前，SRAM 的收縮幅度更大。還應(yīng)注意的是，邏輯通常比典型的 6T SRAM 單元微縮更容易，因此隨著時(shí)間的推移，原始邏輯密度擴(kuò)展得更大。不過(guò)，SRAM 的大小可能是典型邏輯單元密度的三到四倍。

編輯：黃飛

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