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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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XL32F003單片機(jī) M0+內(nèi)核主頻48M，64 K flash加8K SRAM存儲(chǔ)器

XL32F003是芯嶺技術(shù)推出的一顆高性能單片機(jī)，搭配32位ARM Cortex-M0+內(nèi)核，最高工作頻率48 MHz。芯片嵌入高達(dá)64 Kbytes...

2024-05-16 標(biāo)簽：單片機(jī)存儲(chǔ)器 sram 1.5k 0

AI時(shí)代的存儲(chǔ)墻，哪種存算方案才能打破？

回顧計(jì)算行業(yè)幾十年的歷史，芯片算力提升在幾年前，還在遵循摩爾定律?？呻S著如今摩爾定律顯著放緩，算力發(fā)展已經(jīng)陷入瓶頸。而且禍不單行，陷入同樣困境的還有存儲(chǔ)...

2024-04-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)sram AI 4.4k 0

四種不同類型的存儲(chǔ)器介紹

ROM、RAM、DRAM和SRAM都是計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)的術(shù)語，它們代表了不同類型的存儲(chǔ)器，各自有不同的特性和用途

2024-04-15 標(biāo)簽：DRAM ROM sram 2k 0

英特爾Gaudi 3中國(guó)特供版大幅降低AI性能

在硬件規(guī)格方面，中國(guó)版Gaudi 3與原版保持一致，同樣具備96MB SRAM片上存儲(chǔ)、128GB HBM2e高帶寬存儲(chǔ)，帶寬高達(dá)3.7TB/s，并配備...

2024-04-15 標(biāo)簽：英特爾存儲(chǔ)sram 909 0

Microchip推出容量更大、速度更快的串行SRAM產(chǎn)品線

為滿足客戶對(duì)更大更快的SRAM的普遍需求，MicrochipTechnology（微芯科技公司）擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線，容量最高可達(dá)4Mb，并將串...

2024-04-12 標(biāo)簽：電路 microchip sram 768 0

Arm Ethos-U85：滿足物聯(lián)網(wǎng)面向AI時(shí)代的高性能需求

隨著人工智能 (AI) 不斷對(duì)我們的日常生活產(chǎn)生越來越大的影響，其推理任務(wù)也逐漸從云端遷移到邊緣側(cè)和端側(cè)。

2024-04-09 標(biāo)簽：sram 物聯(lián)網(wǎng)人工智能 2k 0

靈動(dòng)微電子榮膺年度創(chuàng)新IC設(shè)計(jì)獎(jiǎng)

近日，靈動(dòng)微電子受邀參加了由Aspencore主辦的2024國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC），靈動(dòng)再度榮膺中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)。

2024-04-02 標(biāo)簽：集成電路 mcu IC設(shè)計(jì) 1.2k 0

Microchip Technology擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線，容量最高可達(dá)4Mb

為滿足客戶對(duì)更大更快的 SRAM 的普遍需求，Microchip Technology（微芯科技公司）擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線，容量最高可達(dá)4 Mb...

2024-03-29 標(biāo)簽：單片機(jī)存儲(chǔ)器 microchip 1.3k 0

Cerebras推WSE-3芯片，性能翻倍，助力超大規(guī)模AI模型訓(xùn)練

首先，WSE-3采用臺(tái)積電最新的5nm工藝制作（目前領(lǐng)先業(yè)界）。其次，該芯片擁有超過4萬億個(gè)晶體管以及90萬個(gè)AI核心，配合44GB片上SRAM高速緩存...

2024-03-14 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電 sram 1.4k 0

兆易創(chuàng)新推出GD32F5系列Cortex?-M33內(nèi)核MCU

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Arm Helium技術(shù)誕生的由來為何不直接采用Neon？

經(jīng)過 Arm 研究團(tuán)隊(duì)多年的不懈努力，Arm 于 2019 年推出了適用于 Armv8?M 架構(gòu)的 Arm Cortex-M 矢量擴(kuò)展技術(shù) (MVE)—...

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SRAM如何克服其擴(kuò)展問題？有哪些方法呢？

在高級(jí)節(jié)點(diǎn)使用 SRAM 需要新的方法。

2024-02-25 標(biāo)簽：CMOS 電容器存儲(chǔ)器 1.9k 0

奧易克斯與國(guó)芯科技：共創(chuàng)發(fā)動(dòng)機(jī)控制領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化新篇章

CCFC2017BC芯片簡(jiǎn)介：國(guó)芯科技自主研發(fā)的高性價(jià)比動(dòng)力總成MCU芯片CCFC2017BC，集成片內(nèi)2.5M Flash、416KB SRAM，集成...

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一種創(chuàng)新的面積和能效AI存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)—MCAIMem

人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲(chǔ)器作為緩沖器（buffers），其可靠性和速度有助于實(shí)現(xiàn)高性能。

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芯?？萍既峦瞥鯟S8M320（簡(jiǎn)稱M320）系列的經(jīng)濟(jì)型信號(hào)鏈MCU 。

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2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)將出現(xiàn)或高速發(fā)展的10大技術(shù)趨勢(shì)

整個(gè)2023年，半導(dǎo)體行業(yè)下行期的陰霾似乎仍未散去，但業(yè)界已經(jīng)看到了一絲曙光。

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AI SoC必須考慮的關(guān)鍵因素“內(nèi)存架構(gòu)”

導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取內(nèi)存(conductive-bridging RAM， CBRAM ）是一種低耗電、與CMOS兼容的內(nèi)存，可定制應(yīng)用在各類嵌入式市場(chǎng)和獨(dú)...

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智融科技SW2505H、SW3566H、SW2325通過UFCS融合快充功能認(rèn)證

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2023-12-19 標(biāo)簽：控制器 sram Cortex-M0 2.9k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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