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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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EMI502NL16VM系列由EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。這些系列支持工業(yè)溫度范圍和芯片級(jí)封裝，以使用戶靈活地進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該系列還支持低數(shù)據(jù)保...

2021-04-24 標(biāo)簽：芯片 sram 1.5k 0

ISSI IS61WV25616BLL是一種高速的4Mbit靜態(tài)SRAM

美國(guó)ISSI公司是為汽車和通信，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年...

2021-04-08 標(biāo)簽：sram ISSI 2.2k 0

以STM32F407ZGT6單片機(jī)來(lái)講解一下擴(kuò)展外部SRAM

現(xiàn)在的電子系統(tǒng)應(yīng)用，對(duì)SRAM要求越來(lái)越高，單片機(jī)或ARM內(nèi)部的RAM越來(lái)越不夠用。當(dāng)電腦運(yùn)行比較卡的時(shí)候，我們可以通過(guò)給電腦加裝內(nèi)存條來(lái)改善電腦的性能...

2021-04-08 標(biāo)簽：emi sram 6k 0

簡(jiǎn)述推動(dòng)FPGA關(guān)鍵的汽車傳動(dòng)和安全系統(tǒng)

AEC-Q100 Grade 2 和 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，即通過(guò)了一系列專為確保汽車應(yīng)用中半導(dǎo)體器件的質(zhì)量、可靠性和耐久性的臨界壓力

2021-04-01 標(biāo)簽：fpga 半導(dǎo)體 sram 1.7k 0

英飛凌推出第二代高可靠非易失性SRAM

新一代器件已通過(guò)QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，包括航天和工業(yè)應(yīng)用。

2021-04-01 標(biāo)簽：英飛凌存儲(chǔ)器 sram 3.1k 0

淺談IntrinsicID提出的不需要存儲(chǔ)密鑰就能保護(hù)數(shù)據(jù)的方法

數(shù)據(jù)保護(hù)現(xiàn)在已經(jīng)成了幾乎每個(gè)人都在考慮的問(wèn)題。新聞上也每隔一段時(shí)間就會(huì)出現(xiàn)黑客、入侵或網(wǎng)絡(luò)恐怖主義的故事。越來(lái)越多地依賴云計(jì)算、超連接設(shè)備以及AI輔助硬...

2021-03-26 標(biāo)簽：sram IP安全數(shù)據(jù)安全 2.8k 0

一種基于數(shù)字改良的SRAM設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算方案

最近的ISSCC上，臺(tái)積電的研究人員提出了一種基于數(shù)字改良的SRAM設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算方案，能支持更大的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。上圖顯示了臺(tái)積電用于其測(cè)試的擴(kuò)展SRAM陣...

2021-04-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)sram 1.7k 0

國(guó)產(chǎn)并口PSRAM存儲(chǔ)芯片EMI164NA16LM的功能描述

EMI164NA16LM該設(shè)備是一個(gè)集成的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中包含64Mbit靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，使用自刷新DRAM陣列由16位組織為4M。模具具有單獨(dú)的電...

2021-03-18 標(biāo)簽：sram 存儲(chǔ)芯片 2.8k 0

國(guó)產(chǎn)串行SRAM存儲(chǔ)芯片EMI7008LSMI的介紹

EMI7008LSMI該器件是8Mb串行訪問(wèn)的SRAM存儲(chǔ)芯片，內(nèi)部組織為1024K字，每個(gè)8位。該器件采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速...

2021-03-18 標(biāo)簽：芯片 sram 2.4k 0

關(guān)于IS61WV204816ALL高速異步SRAM

ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位靜態(tài)RAM，組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠...

2021-03-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1.3k 0

關(guān)于VTI7064 64Mbit串行SRAM的接口說(shuō)明

VTI7064 64Mbit串行SRAM，它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外圍接口/四重外圍接口）SRAM器件。該RAM可配...

2021-03-18 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 2.1k 0

物聯(lián)網(wǎng)中常用的ota升級(jí)方案

這樣可以解決一個(gè)問(wèn)題，當(dāng)模塊升級(jí)后連接不了網(wǎng)絡(luò)的問(wèn)題。如果連接網(wǎng)絡(luò)失敗，可以將失敗的原因放到備份SRAM中，多次連接不上，BOOT檢測(cè)到這個(gè)現(xiàn)象，可以跳...

2021-03-09 標(biāo)簽：sram 物聯(lián)網(wǎng)OTA 3.9k 0

SRAM是什么，它的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)是什么

隨著信息時(shí)代的到來(lái)，海量信息存儲(chǔ)、傳播和交流正在深刻改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)生活方式，然而信息技術(shù)在追求高性能、高速度的同時(shí)，必須重視國(guó)家信息安全和個(gè)人隱私安全。...

2021-03-03 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 7.4k 0

XRAM是一種新的存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)，它有哪些特點(diǎn)

XRAM是一種新的存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)，旨在以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格提供高密度和高性能RAM。XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu)，顯著提高了存儲(chǔ)器密度，...

2021-02-23 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 8.9k 0

可穿戴設(shè)備中電池使用壽命對(duì)于良好的用戶體驗(yàn)至關(guān)重要

可穿戴設(shè)備應(yīng)用中的顯示屏消耗了大部分電池電力。解決方法之一是直接提高電池容量，但是大容量電池會(huì)加大尺寸和重量，對(duì)可穿戴設(shè)備不合適，尤其是在市場(chǎng)不斷追求更...

2021-02-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 927 0

SDRAM與DDR之間的主要差異是什么

內(nèi)存可分為DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存和SRAM靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種。兩種存儲(chǔ)器都是揮發(fā)性的內(nèi)存，SRAM的主要使用flip-flop正反器，通常用于快?。?..

2021-02-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 4.5k 0

PSRAM在數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用中可以替代SRAM或SDRAM

PSRAM它具有類SRAM的接口協(xié)議：給出地址、讀、寫(xiě)命令，就可以實(shí)現(xiàn)存取，不像DRAM需要memory controller來(lái)控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新...

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512Kx16低壓超低功耗sram的主要特征有哪些

IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，組織為512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，...

2021-01-20 標(biāo)簽：sram STM32 1.7k 0

帶有ECC的異步SRAM存儲(chǔ)器可適用于各種應(yīng)用領(lǐng)域

賽普拉斯憑借可服務(wù)于各種高可靠性工業(yè)，通信，數(shù)據(jù)處理，醫(yī)療，消費(fèi)和軍事應(yīng)用的性能，快速SRAM器件可提供片上ECC。這些器件具有與老一代異步SRAM兼容...

2021-01-16 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1.5k 0

如何選擇非易失性SRAM，如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問(wèn)題

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，各種存儲(chǔ)器相繼推出，性能不斷提高。目前存儲(chǔ)器主要有以下幾種類型：靜態(tài)RAM（SRAM），動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）EPROM，EE...

2021-01-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 2.5k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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