隨著半導體技術的飛速發(fā)展，各種存儲器相繼推出，性能不斷提高。目前存儲器主要有以下幾種類型：靜態(tài)RAM（SRAM），動態(tài)RAM（DRAM）EPROM，EEPROM，F(xiàn)LASH MEMORY。這里討論一種由普通SRAM、后備電池以及相應控制電路集成的新型存儲器：非易失性SRAM（NVSRAM）。

為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題，國外著名半導體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品，國內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價廉的產(chǎn)品呢？建議用戶根據(jù)以下幾個性能指標和價格進行選擇：

一、保護數(shù)據(jù)的可靠性：指系統(tǒng)上、掉電期間NVSRAM是否被誤寫，這是NVSRAM最重要的一項性能指標，也是用戶最關心而又難以在購買時測試的。雖然各廠家都聲稱自己的產(chǎn)品萬無一失保護數(shù)據(jù)，其實真正做到這一點的卻很少。大多數(shù)NVSRAM產(chǎn)品使用時會丟失數(shù)據(jù)，給用戶帶來很多問題和不便。這主要有以下幾個原因：上電無保護延時，上電期間丟失數(shù)據(jù);掉電時主電源電壓下降快，保護電路不能快速將SRAM的供電從主電源切換到備用電池，或?qū)RAM的片選信號的封鎖不及時。

二、保護電壓：設置保護電壓主要是為了防止上。掉電期間數(shù)據(jù)的誤寫。對于用戶來說，在完全可靠保護數(shù)據(jù)的前提下，保護電壓越低越好。

三、上電保護延時：這是指系統(tǒng)上電時，當VCC高于保護電壓時，NV-SRAM延時多長時間才可以訪問。這個延時是必要的，因為VCC高于保護電壓時系統(tǒng)不一定正常工作，有可能正處于復位狀態(tài)或不確定狀態(tài)，極有可能誤定NVSRAM。NVSRAM內(nèi)部電路加以必要的保護延時可以有效地防止上電期間的誤寫。用戶在使用NVSRAM時要注意產(chǎn)品的延時參數(shù)，系統(tǒng)工作時最好先測試一下NVSRAM是否已可以訪問;或在初始化程序中加一段延時程序。

四、使用溫度范圍：某些NVSRAM產(chǎn)品保護電壓會隨溫度變化而變化。如果使用NV-SRAM的系統(tǒng)要求的溫度范圍較大，則可以用以下辦法做簡單測試：將NVSRAM放在冰箱速凍室半小時左右，再立即插人系統(tǒng)使用，測試系統(tǒng)能否正常讀寫NV-SRAM。

五、訪問速度：各類NV-SRAM產(chǎn)品上都標有訪問速度，用戶可以根據(jù)自己應用系統(tǒng)的要求進行選擇。

六、功耗及使用壽命：國外產(chǎn)品都使用低功耗芯片，內(nèi)部控制電路在系統(tǒng)正常工作時電流小于1mA，系統(tǒng)掉電時切換到電池供電，此時的電流僅為100nA左右。NV-SRAM都使用鋰電池作后備電源，由于鋰電池自耗電極低，NVSRAM的使用壽命一般可到十年左右。

七、價格：總的來說，國外產(chǎn)品價格昂貴，國內(nèi)產(chǎn)品價格便宜，但是對于要丟失數(shù)據(jù)的芯片，即使價格再便宜，建議用戶也不要選用。

fqj