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IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時(shí)，其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管（FWD）從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚪刂範(fàn)顟B(tài)過(guò)程中出現(xiàn)的一些特定物理現(xiàn)象和電氣特性變化。...
LabVIEW多軸示數(shù)加工應(yīng)用...
之前介紹恩智浦基于MCXN系列帶有NPU的MCU產(chǎn)品開發(fā)了AFCI電弧檢測(cè)方案智能守護(hù)，安全無(wú)憂：恩智浦MCX N系列NPU電弧檢測(cè)技術(shù)解析，加快用戶產(chǎn)品開發(fā)流程。基于NPU的AFCI檢測(cè)方法無(wú)論在檢測(cè)線路距離還是檢測(cè)靈敏度都比傳統(tǒng)方案具有一定優(yōu)勢(shì)。 本文著重介紹恩智浦AFCI工具鏈的操作方法，加快...
相控陣天線通過(guò)移相器、真時(shí)延或二者的組合，使合成波束更精確地指向陣列轉(zhuǎn)向角度內(nèi)的所需方向。本文將介紹這兩種方法，以及更寬帶寬的天線陣列是如何推動(dòng)真時(shí)延在其系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用。...
典型的半導(dǎo)體電容在pF或nF范圍內(nèi)。許多商業(yè)上可用的LCR表或電容計(jì)補(bǔ)償后可以使用適當(dāng)?shù)臏y(cè)量技術(shù)來(lái)測(cè)量這些值，然而，一些應(yīng)用需要在飛秒法（fF）或1e-15范圍內(nèi)進(jìn)行非常靈敏的電容測(cè)量。這些應(yīng)用包括測(cè)量金屬到金屬的電容，晶片上的互連電容，MEMS器件，如：開關(guān)，納米器件端子之間的電容。如果沒(méi)有使用適...
目錄驅(qū)動(dòng)電路的介紹驅(qū)動(dòng)電路隔離措施驅(qū)動(dòng)電路隔離技術(shù)雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)電路的要求驅(qū)動(dòng)電路實(shí)質(zhì)led驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用驅(qū)動(dòng)須知電路組成驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電路的介紹驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù)，就是將信息電子電路傳來(lái)的信號(hào)按照其控制目標(biāo)的要求，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開通或關(guān)斷的信號(hào)。對(duì)半控型器件只需...
前面幾期中，我們著重給大家介紹了如何搭建Zephyr開發(fā)環(huán)境，以及如何添加自己的應(yīng)用代碼。今天讓我們開始一個(gè)新的篇章：Zephyr調(diào)試技巧以及介紹Ozone進(jìn)行Zephyr的調(diào)試分享。 Zephyr調(diào)試技巧 printk調(diào)試法 ：通過(guò)使用prink來(lái)打印一些輔助調(diào)試信息，操作簡(jiǎn)單，適合于基礎(chǔ)的pro...
科學(xué)采用光儲(chǔ)充一體化智能微電網(wǎng)工程關(guān)鍵技術(shù)不僅能夠提高微電網(wǎng)的建設(shè)水平，而且能促使微電網(wǎng)與配電網(wǎng)實(shí)現(xiàn)*效、穩(wěn)定互動(dòng)?；诖耍治鑫㈦娋W(wǎng)技術(shù)，研究光儲(chǔ)充一體化智能微電網(wǎng)工程應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)，為實(shí)現(xiàn)光儲(chǔ)充一體化智能微電網(wǎng)工程的良好運(yùn)行提供助力。...
LVPECL電平的差分?jǐn)[幅較大（典型值約800mV），共模電壓較高（約1.3V-1.9V），需外部端接電阻匹配；而LVDS差分?jǐn)[幅較?。?50mV），共模電壓較低（約1.2V），且LVDS接收端內(nèi)置端接電阻?。...
本文概述了集成電路制造中的劃片工藝，介紹了劃片工藝的種類、步驟和面臨的挑戰(zhàn)。...
手機(jī)充電器芯片U95153典型輸出功率(85—264Vac)12W，谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高，恒流、恒壓調(diào)整率小于±5%。今天著重介紹下U95153原邊恒壓控制(PSR-CVM)和原邊恒流控制 (PSR-CCM)兩種模式！...
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過(guò)900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。...
此處以增強(qiáng)型PMOS，NMOS為例，通常說(shuō)的MOS管說(shuō)的都是增強(qiáng)型MOS管。...
金絲鍵合主要依靠熱超聲鍵合技術(shù)來(lái)達(dá)成。熱超聲鍵合融合了熱壓鍵合與超聲鍵合兩者的長(zhǎng)處。通常情況下，熱壓鍵合所需溫度在300℃以上，而在引入超聲作用后，熱超聲鍵合所需溫度可降至200℃以下。如此一來(lái)，金絲鍵合工藝便能與其他耐受溫度在300℃以下的微組裝工藝相互適配，在高可靠集成電路封裝領(lǐng)域得到廣泛運(yùn)用。...
光伏和風(fēng)電等綠色能源對(duì)碳中和至關(guān)重要，但其不穩(wěn)定性一直制約著其發(fā)展。鋰電池儲(chǔ)能技術(shù)的突破有效緩解了這一問(wèn)題，推動(dòng)了可再生能源的普及。儲(chǔ)能技術(shù)，尤其是ESS工商儲(chǔ)方案，通過(guò)精準(zhǔn)的電池管理和能源優(yōu)化，成為新型能源推廣的關(guān)鍵。本文將為您解析ESS工商儲(chǔ)方案設(shè)計(jì)。...
通常我們的應(yīng)用還需要實(shí)現(xiàn)開機(jī)自啟動(dòng)，這些也可以在配方中實(shí)現(xiàn)。下面以一個(gè)稍微復(fù)雜一點(diǎn)的FTP服務(wù)應(yīng)用為例說(shuō)明如何使用Yocto構(gòu)建包含特定應(yīng)用的生產(chǎn)鏡像，這里的FTP服務(wù)程序采用的是開源的Proftpd，各個(gè)版本源碼位于ftp://ftp.proftpd.org/distrib/source/。...
本文介紹了光通信中的光電二極管的工作原理，及其響應(yīng)度和效率的概念。...
單片機(jī)最小系統(tǒng)是指用最少的電路組成單片機(jī)可以工作的系統(tǒng)，通常最小系統(tǒng)包含：電源電路、時(shí)鐘電路、復(fù)位電路、調(diào)試/下載電路，對(duì)于STM32還需要啟動(dòng)選擇電路?？傊瑒傞_始如果不太懂電路的話，就抄別人的電路，然后自己拼湊。...
隨著集成電路尺寸縮小至亞微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，原始的本征氧化隔離技術(shù)（LocOS）已不適應(yīng)?！案綦x”是指利用介質(zhì)材料或反向PN結(jié)隔離集成電路的有源區(qū)器件，消除寄生效應(yīng)、降低工作電容。LocOS技術(shù)存在不平坦表面和“鳥嘴”現(xiàn)象，影響器件性能。...
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