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摘要: 隨著科技的發(fā)展,空調(diào)日漸普及,但是吊扇依舊受到眾多消費(fèi)者的青睞。英飛凌的永磁同步電機(jī)吊扇解決方案由非隔離的15 V、700 mA高壓(HV)降壓轉(zhuǎn)換器ICE5BR2280BZ和單片集成NPN型電壓調(diào)節(jié)器TLE4284供電,采用IM241系列CIPOSTM Micro IPM作為驅(qū)動(dòng)。XMC系...
?摘要 如今,Class D功率放大器在音頻系統(tǒng)中被廣泛使用。 然而,在放大器啟動(dòng)或關(guān)閉時(shí),以及在靜音 / 取消靜音 切換期間,揚(yáng)聲器中經(jīng)常會出現(xiàn)爆裂聲或點(diǎn)擊聲。這些 噪音可能會被聽到,并使用戶感到不適。在音頻系統(tǒng)中 靜音功率放大器是避免在啟動(dòng)或關(guān)閉期間出現(xiàn)爆裂聲的 有效方法。此外,音頻系統(tǒng)有時(shí)播放...
雖然DUVL機(jī)器可以通過多重曝光技術(shù)將線寬縮小到7-5納米,但如果要獲得更小的線寬,DUVL已經(jīng)達(dá)到了極限。采用EUV作為光源的極紫外光刻(EUVL)成為研究的重點(diǎn),其波長為13.5納米。...
在半導(dǎo)體工藝中,“鍵合”是指將晶圓芯片連接到襯底上。粘接可分為兩種類型,即傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法。傳統(tǒng)的方法包括晶片連接(或晶片連接)和電線連接,而先進(jìn)的方法包括IBM在60年代末開發(fā)的倒裝芯片連接。...
晶圓測試的對象是晶圓,而晶圓由許多芯片組成,測試的目的便是檢驗(yàn)這些芯片的特性和品質(zhì)。為此,晶圓測試需要連接測試機(jī)和芯片,并向芯片施加電流和信號。...
PDK 提供了開發(fā)平面芯片所需的適當(dāng)詳細(xì)程度,將設(shè)計(jì)工具與制造工藝相結(jié)合,以實(shí)現(xiàn)可預(yù)測的結(jié)果。但要讓該功能適用于具有異構(gòu)小芯片的PDK,要復(fù)雜很多倍。...
CP(Chip Probing)測試也叫晶圓測試(wafer test),也就是在芯片未封裝之前對wafer進(jìn)行測試,這樣就可以把有問題的芯片在封裝之前剔除出來,節(jié)約封裝和FT的成本。...
凸點(diǎn)金屬化是為了將半導(dǎo)體中P-N結(jié)的性能引出,其中熱壓倒裝芯片連接最合適的凸點(diǎn)材料是金,凸點(diǎn)可以通過傳統(tǒng)的電解鍍金方法生成,或者采用釘頭凸點(diǎn)方法,后者就是引線鍵合技術(shù)中常用的凸點(diǎn)形成工藝。...
WLP 可以有效提高封裝集成度,通常采用倒裝(FC)互連技術(shù),是芯片尺寸封裝 CSP 中空間占用最小的一種。...
WAT需要標(biāo)注出測試未通過的裸片(die),只需要封裝測試通過的die。 FT是測試已經(jīng)封裝好的芯片(chip),不合格品檢出。WAT和FT很多項(xiàng)目是重復(fù)的,F(xiàn)T多一些功能性測試。WAT需要探針接觸測試點(diǎn)(pad)...
在自然界中,獲取成本最低的半導(dǎo)體就是硅。而硅料的提取是熔煉砂子。提到這里可能有朋友想到“光伏電池片用的也是硅片”。...
微納加工的高精度和精確度,可以在微米和納米尺度上精確控制材料的形狀和結(jié)構(gòu),這使得制造微小器件和結(jié)構(gòu)成為可能。...
先看一些晶圓的基本信息,和工藝路線。 晶圓主要尺寸有4吋,6吋硅片,目前對8吋,12吋硅片的應(yīng)用在不斷擴(kuò)大。這些直徑分別為100mm、150mm、200mm、300mm。硅片直徑的增大可降低單個(gè)芯片的制造成本。...
封裝的主要生產(chǎn)過程包括:晶圓切割,將晶圓上每一晶粒加以切割分離。粘晶,(Die-Attach)將切割完成的晶粒放置在導(dǎo)線架上。焊線,(WireBond)將晶粒信號接點(diǎn)用金屬線連接至導(dǎo)線架上。...
光刻機(jī)有很多種類型,但有時(shí)也很難用類型進(jìn)行分類來區(qū)別設(shè)備,因?yàn)橛行┓诸悆H是在某一分類下的分類。...
用于定義晶圓表面特性的 TTV、彎曲和翹曲術(shù)語通常在描述晶圓表面光潔度的質(zhì)量時(shí)引用。首先定義以下術(shù)語以描述晶圓的各種表面。...
目前最先進(jìn)的黃光微影制程中,使用ArF準(zhǔn)分子雷射(λ=193nm)作為光源。nm為nano-meter,代表10的負(fù)九次方。...
當(dāng)?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時(shí),電子密度處于最低水平。一般來說,等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調(diào)整脈沖的占空比,可以將時(shí)間平均離子能量分布函數(shù)進(jìn)行調(diào)整。...
封裝可行性審查應(yīng)在封裝開發(fā)初期進(jìn)行,審查結(jié)果需要提交給芯片和產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員做進(jìn)一步反饋。完成可行性研究后,須向封裝制造商下訂單,并附上封裝、工具、引線框架和基板的設(shè)計(jì)圖紙。...