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50 W 雙輸出反激式轉(zhuǎn)換器，具有兩個(gè)獨(dú)立調(diào)節(jié)的 CV 輸出，使用 InnoMux2-EP (IMX2378F-H415)，適用于家用電器和工業(yè)電源 *附件：RDR-1043_2CV_50W_InnoMux2-EP_Dual_Output_IMX2378F.Pdf 兩個(gè)獨(dú)立調(diào)節(jié)的 CV 輸出： ? ...
20.4-使用兩個(gè)通道進(jìn)行PID電磁循跡 電磁循跡小車 電磁循跡算法 智能車環(huán)島 智能車比賽規(guī)則 零基礎(chǔ)入門智能車競(jìng)賽 智能車競(jìng)賽 電磁桿原理圖 電磁循跡小車 智能車電磁組 STM32電磁小車...
20.3-使用兩個(gè)通道進(jìn)行電磁循跡 智能車競(jìng)賽 電磁桿原理圖 電磁循跡小車 智能車電磁組 STM32電磁小車 電磁循跡小車 電磁循跡算法 智能車環(huán)島 智能車比賽規(guī)則 歸一化處理 差比和計(jì)算 PID算...
20.2-電磁桿在磁軌道的測(cè)試 零基礎(chǔ)入門智能車競(jìng)賽 智能車競(jìng)賽 電磁桿原理圖 電磁循跡小車 智能車電磁組 STM32電磁小車 電磁循跡小車 電磁循跡算法 智能車環(huán)島 智能車比賽規(guī)則 智能車競(jìng)賽...
20.1-電磁桿原理講解 智能車競(jìng)賽 電磁桿原理圖 電磁循跡小車 智能車電磁組 STM32電磁小車 電磁循跡小車 電磁循跡算法 智能車環(huán)島 智能車比賽規(guī)則 STM32電磁循跡PID小車 電磁運(yùn)放電路...
19.4-STM32接收數(shù)據(jù)-狀態(tài)顯示在屏幕 openMV尋跡與小車控制 Openmv+STM32F103C8T6視覺巡線小車...
19.3-【星曈科技】openmv Hopenmv發(fā)送五個(gè)uchar Openmv+STM32F103C8T6視覺巡線小車 STM32循跡小車系列教程 使用OpenMV循跡 openMV尋跡與小車控制...
第19.1 章-[星瞳科技]OpenMV視覺循跡功能 超詳細(xì)OpenMV與STM32單片機(jī)通信 (有完整版源碼) 【星曈科技】OpenMv筆記——利用OpenMV與STM32進(jìn)行串口通信...
第18章-綜合以上功能 基于stm32的智能小車(遠(yuǎn)程控制、避障、循跡) 基于stm32f103c8t6_HAL庫(kù)_CubeMX_超詳細(xì),包含代碼講解和原理圖...
第17章-用6050走直線和轉(zhuǎn)90度功能 平衡車入門---MPU6050陀螺儀的使用 超詳細(xì)陀螺儀MPU6050模塊輸出姿態(tài)角(有完整版源碼)...
第15章-超聲波避障功能 HC-SR04超聲波測(cè)距模塊詳解STM32超聲波測(cè)距...
第13章-循跡功能 循跡小車講解 原理分析 STM32智能小車循跡教程 紅外對(duì)管使用 PID循跡算法分析V3:HAL庫(kù)開發(fā)、功能：PID速度控制、PID循跡、PID跟隨、遙控、避障、PID角度控制、視覺控制、電磁循跡、RTOS等功能。 講解一下我們小車?yán)锩娴难E部分，包括紅外基礎(chǔ)使用，無(wú)PID...
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本文將結(jié)合目前醫(yī)療領(lǐng)域中不同應(yīng)用方向?qū)?yīng)的技術(shù)需求以及瑞薩產(chǎn)品（MCU&MPU）的特點(diǎn)，為大家解讀瑞薩嵌入式產(chǎn)品線在醫(yī)療領(lǐng)域的布局。...
本文將探討如何使用MotionFX庫(kù)解析空間坐標(biāo)。MotionFX庫(kù)是一種用于傳感器融合的強(qiáng)大工具，可以將加速度計(jì)、陀螺儀和磁力計(jì)的數(shù)據(jù)融合在一起，實(shí)現(xiàn)精確的姿態(tài)和位置估計(jì)。本文將介紹如何初始化和配置MotionFX庫(kù)，使用FIFO讀取傳感器數(shù)據(jù)，F(xiàn)IFO可以作為數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，存儲(chǔ)傳感器的臨時(shí)數(shù)據(jù)。這...
隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的不斷發(fā)展，數(shù)以億計(jì)的嵌入式設(shè)備實(shí)現(xiàn)了無(wú)縫互聯(lián)。在這宏大圖景中，網(wǎng)關(guān)作為連接設(shè)備與網(wǎng)絡(luò)的核心樞紐，重要性不言而喻。為滿足市場(chǎng)對(duì)高性能、高安全性以及高靈活性的工業(yè)網(wǎng)關(guān)需求，瑞薩推出基于Arm Cortex-A55（1.1GHz）和雙Cortex-M33（250MHz）MPU的SOM（...
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET因其高效率、高頻率和高溫性能而備受青睞。然而，即使性能卓越，SiC MOSFET在開關(guān)過(guò)程中也可能面臨電壓尖峰的問題。本文將從專業(yè)硬件工程師的角度，探討SiC MOSFET的開關(guān)尖峰問題，并介紹使用瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）進(jìn)行保護(hù)的優(yōu)勢(shì)和上海雷卯電子提...
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