完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
電子發(fā)燒友網(wǎng)技術(shù)文庫為您提供最新技術(shù)文章，最實用的電子技術(shù)文章，是您了解電子技術(shù)動態(tài)的最佳平臺。
FLASH存儲器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不...
FLASH存儲器（也就是閃存）就 是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM），特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。閃存也有不同類型，其中主要分為NO...
FLASH存儲器又稱閃存 ，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而...
IPUS公司的SQPI PSRAM （Pseudo SRAM）。它采用DRAM 1T1C的架構(gòu)做memory cell，相比SRAM，單位面積的硅片可以實現(xiàn)更高的存儲容量，內(nèi)置刷新控制電路使得芯片的接口、協(xié)議等同于普通的SPI SRAM，其接口類似于SPI NOR Flash，MCU可以通過SPI或...
對全閃存陣列（AFA）存儲產(chǎn)品的特點和功能的深入理解，可以幫助用戶確定哪些配置可能最符合自己的需求。...
當(dāng)今，物聯(lián)網(wǎng)（IoT）已對所有行業(yè)產(chǎn)生了影響，而且有望到2020年成為一個1.7萬億美元的市場。IoT領(lǐng)域建立在云計算以及由移動、虛擬和即時連接搭建的數(shù)據(jù)采集傳感器網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)之上。行業(yè)專家認為，它將讓我們生活中的一切變得更加“智能”，從路燈到海港。IoT已經(jīng)滲透至各行各業(yè)：從工廠自動化到點播娛樂和可...
本文中介紹的故障恢復(fù)主要是只單機存儲系統(tǒng)中的故障恢復(fù)，就是只有一臺電腦，與之相對的是分布式存儲系統(tǒng)，暫且不談。...
迄今為止，內(nèi)存還是我們目前能用到的最快的存儲設(shè)備，把數(shù)據(jù)盡可能放進內(nèi)存成為各種應(yīng)用提高數(shù)據(jù)訪問性能的最有效途徑。對于很多關(guān)鍵業(yè)務(wù)系統(tǒng)而言，內(nèi)存又是一種“揮發(fā)性”的和大小非常有限的存儲設(shè)備，如何在保證性能的同時使數(shù)據(jù)能持久化，如何把有限的內(nèi)存投入到無限的待處理數(shù)據(jù)上是程序設(shè)計的一個重大課題。...
CAP理論是當(dāng)前分布式存儲系統(tǒng)設(shè)計的理論指導(dǎo)，而PACELC理論是CAP理論的擴展，分布式存儲系統(tǒng)設(shè)計的理論依據(jù)是時候從CAP理論擴展為PACELC理論。...
在高速數(shù)字接口中，并行總線越來越少。原因很簡單，隨著系統(tǒng)頻率的提升，并行總線在板級建置時已經(jīng)遭遇到實體瓶頸，抖動、串?dāng)_、信號偏移、傳輸路徑不完美等因素，都將大幅降低并行總線持續(xù)建立時間窗口，從而限制系統(tǒng)帶寬的進一步提升。...
隨著游戲與視訊應(yīng)用在行動裝置上的普及，以及手機處理器性能的提升，eMMC的性能已經(jīng)不能滿足行動裝置對于內(nèi)存讀寫性能的要求，新一代的通用閃存儲存（UFS）規(guī)格應(yīng)運而生。...
2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司（IMFT）在市場上閃亮登場。通過整合Intel公司的NOR多層單元（MLC）閃存技術(shù)與美光的DRAM和NAND閃存的制造效率和創(chuàng)新性，并且在兩個母公司強大的IP庫支持下，IMFT在同一年推出的第一個產(chǎn)品就...
本視頻主要內(nèi)容：介紹了富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品特性：低功耗，快速讀寫，高讀寫次數(shù)和防輻射特性。...
近年來隨著智能三表、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標簽、汽車后裝設(shè)備、以及工業(yè)傳感網(wǎng)絡(luò)的快速增長，F(xiàn)RAM存儲器以及FRAM微控制器的應(yīng)用越來越多。似乎幾年前電子工程專輯的報道還傾向于把FRAM（那時候遇到的縮寫還是以FeRAM居多）作為一種新的存儲方式來報道，而現(xiàn)在，越來越多的應(yīng)用借FRAM的特性實現(xiàn)...
歲末年初，由EEVIA主辦的第四屆電子技術(shù)媒體論壇在深圳舉辦，ADI、Analogix、Freescale、Fujitsu、集創(chuàng)等多家業(yè)界領(lǐng)先公司的專家發(fā)表了演講，共同探討電子技術(shù)、市場發(fā)展最新趨勢。其中開放、靈活、智能這幾個關(guān)鍵詞被頻繁提及，2015年半導(dǎo)體行業(yè)將圍繞這幾個關(guān)鍵詞展開新一年的精彩旅...
是時候來科普下威武的鐵電（FRAM）技術(shù)了！望文生義對于工程師可不行，例如曾有客戶在設(shè)計一級三相智能電表的時候，對是否選擇鐵電存儲器（FRAM）之前，向我們提出了一個問題：“工業(yè)環(huán)境中那么多電磁干擾，甚至磁鐵，它會不會易于被雜散磁場擾亂？”看來“鐵電”這個術(shù)語多少起到了一點誤導(dǎo)作用。...
過完了眼癮，現(xiàn)在來看我們在此次慕尼黑上海電子展上引領(lǐng)未來趨勢的六大創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)吧！...
FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。...
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司日前宣布，成功推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝（WL-CSP），使得其體積僅為3.09× 2.28 × 0.33 mm，一舉成為業(yè)內(nèi)擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。...
在今天的舉辦的2015智能水/氣計量及管網(wǎng)執(zhí)行力論壇上，富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司市場部高級經(jīng)理蔡振宇作了“智能水/氣表存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù)的最佳解決方案”的主題分享。水/氣表存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù)最佳解決方案是什么？與傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢是啥？有哪些應(yīng)用案例？……帶著這些問題，今天我們將通過20張圖文與大家深度分享。...
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長沙市望城經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號手機智能終端產(chǎn)業(yè)園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號-1
