摘要：本文記錄了自1910年以來壓控振蕩器(VCO)的發(fā)展歷史，給出了在RF IC中集成VCO的實例。文章闡述了相關(guān)技術(shù)，并探討了產(chǎn)品性能、尺寸的演進(jìn)過程。文章還預(yù)測了未來的發(fā)展趨勢。

引言

壓控振蕩器(VCO)在無線系統(tǒng)和其它必須在一個范圍的頻段內(nèi)進(jìn)行調(diào)諧的通信系統(tǒng)中是十分常見的組成部分。許多廠商都提供VCO產(chǎn)品，它們的封裝形式和性能水平也是多種多樣?，F(xiàn)代表面貼裝的射頻集成電路(RFIC) VCO繼承了近百年來的工程研究成果。在這段歷史中，VCO技術(shù)一直在不斷的改進(jìn)中，產(chǎn)品外形越來越小而相位噪聲和調(diào)諧線性度越來越好。

振蕩器電路的發(fā)展

自從Edwin Armstrong提出外差原理*以來，振蕩器就成為了最基本的元件。在這種應(yīng)用中，振蕩器將正弦信號輸入到非線性混頻器元件中，混頻器通過將振蕩器信號與其它輸入信號相乘實現(xiàn)頻率變換。當(dāng)然，Armstrong意識到，為了控制頻率變換他需要一個可以產(chǎn)生具有相應(yīng)頻率的穩(wěn)定正弦時變電壓(或電流)的電子電路。大約就在那時，他發(fā)現(xiàn)可以通過配置Audion (一種早期的真空管)來產(chǎn)生振蕩，于是他發(fā)明了第一個電子振蕩器** (不同于早期無線發(fā)射機(jī)中使用的那種原始的火花隙振蕩器)。

回首過去，Armstrong掀起的振蕩器技術(shù)革命使火花發(fā)射機(jī)迅速被淘汰，導(dǎo)致了高性能無線電接收機(jī)的發(fā)展。從20世紀(jì)10年代Armstrong的發(fā)明到今天，VCO技術(shù)的進(jìn)步經(jīng)歷了真空管振蕩器、晶體管振蕩器、振蕩器模塊兒解決方案直到今天基于RFIC的振蕩器幾個階段。VCO技術(shù)的面貌仍然處于快速的變化中，不久以后許多系統(tǒng)中的振蕩器將只保留在基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和算術(shù)原理上與早期振蕩器的相似。

Armstrong的發(fā)明很快被Ralph V. L. Hartley進(jìn)行了改良并發(fā)明出了他自己的振蕩器電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(圖1)。Hartley利用了真空管技術(shù)的進(jìn)步，在他發(fā)明的振蕩電路中將真空管作為放大器使用，并用電感反饋產(chǎn)生了一個再生振蕩。振蕩器的頻率是由線圈電感和電路電容決定的。這個電路是正弦信號發(fā)生技術(shù)的一項突破。它具有比以往更大的頻率范圍，只需要簡單地改變線圈電感或者是電容值就能改變頻率。Hartley振蕩器電路開始在發(fā)射機(jī)中普及起來并很快在第一次世界大戰(zhàn)中得到應(yīng)用。此時的發(fā)射機(jī)和接收機(jī)都采用了這種新的、基于真空管的振蕩器電路。振蕩器電路的革新產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響，此后發(fā)明的一些優(yōu)秀的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)直到今天仍然在使用中，如Hartley、Colpitts、Clapp、Armstrong和Pierce等結(jié)構(gòu)。


圖1. Hartley振蕩器的實例：(a) 用真空管實現(xiàn)和(b) 用JFET實現(xiàn)

在Armstrong的超外差接收機(jī)理論中，輸入信號與振蕩器信號混頻產(chǎn)生恒定的中頻(IF)信號。為了保持中頻的恒定，輸入信號頻率變化時振蕩器也必須改變頻率。使用可變頻率的振蕩器就可以調(diào)諧頻率變換電路使之適用于很寬頻率范圍的RF輸入信號，從而實現(xiàn)多信道的通信，就像調(diào)幅(AM)無線電那樣。這種可變頻率的振蕩器是基本諧振電路振蕩器的改進(jìn)版本，它的一個諧振元件(電感或者電容)取值是可變的，大多數(shù)情況下可變元件為電容。高品質(zhì)可變電容器采用的是統(tǒng)調(diào)多金屬板空氣間隙電容。

隨著無線電技術(shù)的進(jìn)步，振蕩電路技術(shù)發(fā)生了很多的革新。工程師們發(fā)明了數(shù)不清類型的線圈、可變電容、反饋技術(shù)和真空管來實現(xiàn)振蕩器和頻率變換電路。很多精致優(yōu)美的設(shè)計方案可以通過無線裝置外部的機(jī)械刻度盤對振蕩器頻率進(jìn)行精確和高質(zhì)量的調(diào)諧。圖2是一個重建的1929年Hartley型發(fā)射機(jī)的照片(由熱心的業(yè)余無線電愛好者制作W9QZ)。和許多早期的電子設(shè)備一樣，它不僅體積龐大、造價昂貴而且需要很高的電源電壓。


圖2. 早期的1929年Hartley型發(fā)射機(jī)

雙極型晶體管和變?nèi)?a target="_blank">二極管

真空管振蕩器在商用和軍用無線電接收機(jī)中得到廣泛的應(yīng)用持續(xù)了許多年的時間，例如AM和調(diào)頻(FM)無線電、電視以及軍用語音通信。然而，半導(dǎo)體放大器器件的發(fā)明，如晶體管和變?nèi)荻O管，引發(fā)了VCO技術(shù)的又一輪劇烈變革。

第一只雙極型晶體管是在40年代晚期由貝爾試驗室(Bell Laboratories；Holmdel, NJ)發(fā)明的，隨后晶體管在50年代開始代替真空電子管。新的晶體管比電子管體積更小消耗功率更低，隨著所需工作電壓的降低最終使成本變得更低。晶體管開始取代真空電子管作為有源元件應(yīng)用在振蕩器中，這極大地改變了振蕩器的實現(xiàn)技術(shù)和已經(jīng)建立的振蕩器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

可以證明的是，變?nèi)荻O管(電容隨著電壓變化的反偏置PN結(jié))的使用對VCO的發(fā)展方向具有比晶體管更大的影響。60年代早期，對變?nèi)荻O管技術(shù)進(jìn)行了大量的研究，變?nèi)荻O管迅速取代了機(jī)械調(diào)節(jié)元件的位置成為應(yīng)用在VCO中的可變電容元件。變?nèi)荻O管對頻率源信號精確的電子控制在鎖相環(huán)(PLL)電路發(fā)展過程中的重要作用是不可估量的。那一時期，電視機(jī)的快速發(fā)展為向基于變?nèi)荻O管和晶體管的VCO過渡作出了很大的貢獻(xiàn)。此時，價格合理、功耗低、高質(zhì)量、具有自身電子調(diào)諧功能、能夠容易地進(jìn)行頻率范圍重新配置的VCO已經(jīng)成為可能?；诜至⒕w管和變?nèi)荻O管的VCO主宰了從60年代到80年代的電子電路設(shè)計。但是到了80年代，兩項新技術(shù)開始對VCO的發(fā)展產(chǎn)生影響：模塊化方法和單片VCO集成電路(IC)。圖3顯示了在過去的80年中VCO技術(shù)的發(fā)展情況。


圖3. VCO技術(shù)的生命期及其相應(yīng)年代

模塊化方法

隨著變?nèi)荻O管、電容和電感體積的縮小，以模塊的形式實現(xiàn)VCO成為可能。VCO模塊本質(zhì)上就是一個建立在一塊襯底上并安裝在金屬外殼內(nèi)的分立元件振蕩器的微縮版本。模塊是獨立的，只需要外接地、電源、調(diào)諧電壓和輸出負(fù)載。這種模塊最早出現(xiàn)在60年代，主要用于軍事。那時它們很大(可達(dá)數(shù)平方英寸)并且較貴，而商用產(chǎn)品中依然使用分立晶體管和變?nèi)荻O管實現(xiàn)的VCO。直到出現(xiàn)了移動電話，商用VCO模塊的市場才發(fā)展起來。

盡管分立元件VCO能夠為任何頻率和調(diào)諧范圍單獨設(shè)計，它們一般需要大量的勞動對頻率設(shè)置元件生產(chǎn)進(jìn)行調(diào)整以補償元件一致性差的缺點。除此之外，分立VCO需要良好的屏蔽以減小輻射和牽引效應(yīng)。隨著80年代后期和90年代初期移動電話銷售的增長，對這種“封裝的”振蕩器模塊的需求也在上升。一些在小型化方面越來越精通的日本公司為移動電話開發(fā)了小型的、成本較低的VCO模塊。隨著新的無線應(yīng)用的崛起，VCO模塊制造商們開發(fā)了工作頻率單獨針對每一種應(yīng)用的產(chǎn)品。隨著表面貼裝元件的體積越來越小(1206, 0805, 0603, 0402, 0201)，人們也開發(fā)了新的體積更小、成本更低的VCO模塊。圖4所示為在這段時間內(nèi)商用VCO模塊尺寸縮減的情況，其數(shù)據(jù)體現(xiàn)的是商用VCO模塊在那段時期內(nèi)典型的技術(shù)發(fā)展水平狀況。

今天，這些技術(shù)進(jìn)步達(dá)到了它的頂點，緊湊的(4mm x 5mm x 2mm)模塊得以實現(xiàn)而且批量銷售價格已經(jīng)接近1美元(在美國)。15年來VCO模塊體積發(fā)生了令人吃驚縮減，滿足了像蜂窩電話這種新型移動無線設(shè)備對產(chǎn)品占用空間的嚴(yán)格要求。然而，90年代末出現(xiàn)了一種體積更小成本更低的VCO技術(shù)，單片VCO IC技術(shù)。


圖4. VCO模塊的尺寸在各個年代的情況

單片VCO

單片IC VCO技術(shù)是將所有的LC (電感-電容) VCO電路元件，包括晶體管、電容、電阻、電感和變?nèi)荻O管，都集成到一塊芯片上的一種VCO實現(xiàn)技術(shù)。與VCO模塊相同，這些器件經(jīng)過配置組成一個完整的VCO，外部只需要連接電源、地、輸出、調(diào)諧輸入和數(shù)字控制線。(注：這里所說的VCO不包括壓控環(huán)路振蕩器，因為它們的相位噪聲特性較差以至于在大多數(shù)無線電系統(tǒng)中都不再使用)。

第一塊單片VCO IC的誕生碰巧與砷化鎵(GaAs) IC技術(shù)和單片微波集成電路(MMIC)的開發(fā)處在同一時間。單片VCO技術(shù)最早出現(xiàn)在80年代早期的文獻(xiàn)1, 2中，那段時間人們正在對MMIC在商用和軍用領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行重點研究(大部分是由美國DARPA MIMIC項目資助的)。盡管MMIC VCO的制造占用面積不是特別的高效率，導(dǎo)致它的成本并不是很劃算，早期的MMIC VCO仍然使用2英寸直徑的晶圓和GaAs IC工藝制造。通常，這些VCO工作在數(shù)GHz的頻率上，這與其應(yīng)用目標(biāo)衛(wèi)星接收機(jī)和雷達(dá)系統(tǒng)的頻率相一致。

大多數(shù)早期的單片GaAs VCO是作為DARPA MIMIC研究項目的一部分開發(fā)出來的，對商用市場的影響很小。硅片IC技術(shù)在80年代仍然屬于低頻技術(shù)，缺乏千兆赫茲頻率單片VCO所要求的帶寬。但是到了90年代，硅片IC技術(shù)已經(jīng)開發(fā)出了具有足夠高特征頻率(fT)的器件以及相適應(yīng)的單片元件(高Q值電感、高頻率電容和變?nèi)荻O管)，這樣就能開發(fā)出更高頻率的硅單片VCO。無線市場已經(jīng)展現(xiàn)出它的廣闊和增長潛力，這些都刺激著對800MHz至2500MHz低成本VCO的需求。

在九十年代這些技術(shù)得到發(fā)展之前，大多數(shù)商用無線電系統(tǒng)都工作在很低的頻率，這使單片VCO IC的制作很難實現(xiàn)，因為片上電感器的值太大了。文獻(xiàn)中記載的第一個單片硅VCO IC的樣品來自加州大學(xué)伯克力分校，時間是1992年3。這個VCO使用了非傳統(tǒng)的獨特的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，通過兩個不同的諧振電路來改變頻率。即使是這樣，在技術(shù)上來說它還是一個單片硅的VCO IC。這一成果以及Robert Meyer教授和他的研究生們在加州大學(xué)伯克力分校的進(jìn)一步研究使人們開始加強對單片VCO技術(shù)的研究。

到1995年，技術(shù)文獻(xiàn)中出現(xiàn)了來自許多最主要大學(xué)的研究者們對單片硅VCO IC技術(shù)的研究成果報告4,5。在這些報告中，研究者們展示了現(xiàn)代單片LC諧振電路VCO IC最早的樣品。1996年至1997年，出現(xiàn)了大量的論文描述單片VCO各種不同實現(xiàn)技術(shù)的研究情況6–11。這段時期標(biāo)志著商業(yè)上可行的VCO IC的出現(xiàn)。

單片VCO IC同時使用高頻雙極型晶體管IC技術(shù)和硅CMOS IC技術(shù)開發(fā)。大學(xué)里的研究者們一般使用CMOS技術(shù)，因為這種IC技術(shù)具有普遍的適用性。工業(yè)領(lǐng)域的研究者們使用RFIC專用的雙極型/BiCMOS工藝技術(shù)。圖5是分別用CMOS和雙極型/BiCOMS工藝實現(xiàn)的典型的單片VCO電路。


圖5. 用MOS和雙極型技術(shù)實現(xiàn)的典型的單片VCO核心電路

通常，這些早期VCO IC的整體性能比分立元件的VCO和VCO模塊要差。尤其是相位噪聲和調(diào)諧特性，比分立元件設(shè)計或VCO模塊已經(jīng)很成熟的技術(shù)實現(xiàn)的結(jié)果要糟糕。這些缺點主要是由那一代IC技術(shù)中普遍存在的低Q電感和粗糙的變?nèi)荻O管造成的。

然而，單片VCO已經(jīng)證明了它具有非常小的體積和低廉的成本，而且它可以使用與實現(xiàn)RF收發(fā)機(jī)其它功能單元相同的工藝制作。這意味著VCO可以和其它的RF和IF單元集成在一起，如混頻器、低噪聲放大器(LNA)和鎖相環(huán)(PLL)?？梢缘统杀镜貙CO與其它接收機(jī)和發(fā)射機(jī)功能單元集成在一起的能力使單片VCO IC在商業(yè)上成為現(xiàn)實。商用900MHz擴(kuò)頻無繩電話芯片組12是這種技術(shù)早期一個很好的例子。

90年代后期，對VCO IC技術(shù)的研究大大地加強了13–19。這很大程度上是因為無線市場的迅速膨漲，也得益于高頻雙極工藝、CMOS和BiCMOS工藝技術(shù)的發(fā)展。重大的研究與開發(fā)項目在工業(yè)和學(xué)術(shù)兩個水平上展開。研究者們都將注意力集中在改善相位噪聲、擴(kuò)展工作頻率范圍和VCO調(diào)諧范圍的片上調(diào)整幾個方面，實現(xiàn)了一些有用的性能改進(jìn)。這些改進(jìn)使VCO滿足了允許它們在用于無繩電話、Bluetooth?、WLAN、GPS和DBS的RFIC中使用的電氣規(guī)范。表1是一些包含單片VCO的商用RFIC的簡單情況。

表1. 單片VCO集成在商用RFIC中的實例

Unit	Frequency Range (MHz)	Source	Application
MAX2622/23/24	855 to 998	Maxim	General purpose, 900MHz ISM
MAX2750–MAX2753	2025 to 2500	Maxim	General purpose, 2.4GHz ISM band
MAX2754	1145 to 1250	Maxim	2.4GHz cordless phones
MAX2114	925 to 2175	Maxim	DBS
MAX3580	170 to 230, 470 to 878	Maxim	DVB-T
MAX3540	54 to 100, 100 to 300, 300 to 860	Maxim	Analog/digital terrestrial receivers
MAX2900	902 to 928	Maxim	900MHz ISM band (wireless meter reading)
MAX2820	2400 to 2500	Maxim	802.11b WLAN
MAX2830	2400 to 2500	Maxim	802.11g WLAN
MAX2837	2300 to 2700	Maxim	802.16e Mobile WiMAXSM
MAX2838	3300 to 3900	Maxim	802.16e Mobile WiMAX
MAX2839	2300 to 2700	Maxim	802.11n WLAN with MIMO down link
RF105	902 to 928	Conexant?	900MHz cordless phones
SA2400	2400 to 2500	Philips?	802.11b WLAN
BlueCore-01	2400 to 2500	CSR	Bluetooth
TRF	2400 to 2500	TI?	Bluetooth
GRF2i/LP	1575	SiRF	GPS
AR5111	5.2GHz to 5.8GHz	Atheros?	802.11a WLAN

這些VCO IC和包含它們的集成解決方案比VCO模塊體積更小成本更低，比分立的解決方案應(yīng)用起來更容易、更快速。這些單片VCO IC比過去的技術(shù)具有顯著提高的價值。

這一代VCO技術(shù)的性能足夠滿足無繩電話、無線數(shù)據(jù)傳送設(shè)備和DBS接收機(jī)這樣的系統(tǒng)的要求，因此在這些系統(tǒng)中得到了廣泛的使用。然而，相位噪聲性能目前仍然不能滿足更高數(shù)據(jù)速率的移動電話系統(tǒng)(如GSM、IS-136和CDMA等)的要求(噪聲過高，約為5dB至10dB)。電感的低Q值和過量的偏置噪聲限制了VCO相位噪聲的降低。盡管一些研究者展示的使用焊線電感獲得的結(jié)果是具有前途和希望的，實現(xiàn)低相位噪聲仍然很困難并且超出目前單片VCO IC技術(shù)能力范圍。然而，這看起來也只是暫時的。在過去的三年中(1999至2001)，VCO設(shè)計領(lǐng)域報導(dǎo)了許多重大的進(jìn)展并且清晰地指出了一些未來的發(fā)展趨勢。

主要趨勢

很多發(fā)展趨勢正在影響著具有改進(jìn)相位噪聲的單片VCO的開發(fā)。例如，基本的RFIC工藝在不斷改進(jìn)，半導(dǎo)體工藝能實現(xiàn)的品質(zhì)因數(shù)在不斷改善，各種有源和無源器件的性能也都在提高中。在硅工藝方面，現(xiàn)在已經(jīng)能制造出fT超過50GHz的晶體管，具有寬電容比調(diào)諧范圍(低串連阻抗)的更高Q值變?nèi)荻O管也可以實現(xiàn)。這些工藝的特點是具有更低損耗的襯底，它的金屬層更厚，電感Q值更高。采用這些工藝制作的器件可以減少寄生元件，使VCO具有更低的相位噪聲，更高的工作頻率和更低的電流消耗。

設(shè)計技術(shù)正在變得越來越先進(jìn)。VCO的研究者通過發(fā)明更先進(jìn)的電路來充分利用IC技術(shù)的能力以進(jìn)一步改善VCO的性能。研究者們正在引入一些從前的分立VCO和模塊VCO方法不可能實現(xiàn)的技術(shù)，如差分振蕩器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、振幅控制、二次陷波、用于改善耦合的IC轉(zhuǎn)換器、多振蕩器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和一些能夠在更高頻率下工作的體系結(jié)構(gòu)。

設(shè)計工程師們對VCO理論的理解也越來越深入。他們正在對過去的數(shù)學(xué)模型如Van der Pol等式和Leeson等式作進(jìn)一步的研究，得出了新的解釋振蕩器工作現(xiàn)象(如調(diào)諧特性和相位噪聲性能)的分析表達(dá)式。例如，設(shè)計者們正在用Abidi關(guān)系改進(jìn)Leeson的噪聲公式。除此之外，隨著個人電腦和工作站計算機(jī)處理能力的提高，計算機(jī)輔助工程(CAE)工具的功能和復(fù)雜程度也在提高之中，這使工程師們可以對VCO功能模型進(jìn)行試驗以發(fā)現(xiàn)其性能的改進(jìn)。

單片VCO技術(shù)新產(chǎn)品的數(shù)量在不斷地增多，并且這些高品質(zhì)的VCO與收發(fā)機(jī)電路集成在一起。例如，用于WLAN和Bluetooth市場的最新的收發(fā)機(jī)在其RF收發(fā)機(jī)IC內(nèi)集成了VCO，與使用分立元件相比極大地減小了產(chǎn)品尺寸。在更高性能的WLAN無線系統(tǒng)中(2.4GHz IEEE? 802.11b以及5GHz 802.11a)，系統(tǒng)需要具有非常低相位噪聲的更高性能VCO來滿足包數(shù)據(jù)率和阻塞水平的要求。

RFIC VCO技術(shù)的進(jìn)步使這些集成產(chǎn)品對數(shù)量日益增長的商業(yè)RF應(yīng)用更加具有吸引力，這些應(yīng)用包括衛(wèi)星接收機(jī)、CATV機(jī)頂盒、無線數(shù)據(jù)應(yīng)用、無繩電話和移動電話等。顯然，單片VCO與分立和模塊化VCO解決方案相比在大批量的應(yīng)用中正在獲得越來越多的份額。

單片VCO很快就會在所有大批量商用無線系統(tǒng)中成為最主流的振蕩器實現(xiàn)方案。從笨重的電子管電路到今天小于1平方毫米的硅片，VCO跨越了不同尋常的發(fā)展之路。



參考文獻(xiàn)

1. B.N. Scott and G.E. Brehm, "Monolithic Voltage Controlled Oscillator for X- and Ku-bands," IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques 30, no. 12 (December, 1982), 2172–2177.
2. B.N. Scott, M. Wurtele, and B.B. Cregger, "A Family of Four Monolithic VCO MICs Covering 2-18GHz," Monolithic Circuits Symposium Digest (1984), 54–61.
3. N.M. Nguyen and R.G. Meyer, "A 1.8GHz Monolithic LC Voltage-Controlled Oscillator," IEEE Journal of Solid-State Circuits 27 (March 1992), 444–450.
4. P. Basedau and Q. Huang, "A 1GHz, 1.5V Monolithic LC Oscillator in 1μm CMOS," Proceedings of 1994 European Solid State Circuits Conference (Ulm, Germany, September, 1994), 172–175.
5. J. Craninckx and M. Steyaert, "Low-Noise Voltage-Controlled Oscillators Using Enhanced LC-tanks," IEEE Transactions on Circuits and Systems II 42 (December, 1995), 794–804.
6. M. Soyuer, K.A. Jenkins, J.N. Burghartz, and M.D. Hulvey, "A 3V 4GHz nMOS Voltage-Controlled Oscillator with Integrated Resonator," IEEE Journal of Solid-State Circuits 31 (December, 1996), 388–389.
7. B. Razavi, "A 1.8GHz CMOS Voltage-Controlled Oscillator," ISSCC Digest of Technical Papers (1997), 390–391.
8. L. Dauphinee, M. Copeland, and P. Schvan, "A Balanced 1.5GHz Voltage-Controlled Oscillator with an Integrated LC Resonator," ISSCC Digest of Technical Papers (1997), 390–391.
9. Ibid.
10. A. Ali and J.L. Tham, "A 900MHz Frequency Synthesizer with Integrated LC Voltage-Controlled Oscillator," ISSCC Digest of Technical Papers (1996), 390–391.
11. B. Jansen, K. Negus, and D. Lee, "Silicon Bipolar VCO Family for 1.1-2.2GHz with Fully Integrated Tank and Tuning Circuits," ISSCC Digest of Technical Papers (1997), 392–393.
12. M. Zannoth, B. Kolb, J. Fenk, and R. Weigel, "A Fully Integrated VCO at 2GHz," IEEE Journal of Solid-State Circuits 33 (December, 1998), 1987–1991.
13. P. Kinget, "A Fully Integrated 2.7V 0.35μm CMOS VCO for 5GHz Wireless Applications," ISSCC Digest of Technical Papers (1998), 226–227.
14. T. Liu, "A 6.5GHz Monolithic CMOS Voltage-Controlled Oscillator," ISSCC Digest of Technical Papers (1999), 401–405.
15. C. Lam and B. Razavi, "A 2.6GHz/5.2GHz CMOS Voltage-Controlled Oscillator," ISSCC Digest of Technical Papers (1999), 402–403.
16. D.B. Leeson, "A Simple Model of Feedback Oscillator Noise Spectrum," Proceedings of the IEEE 54 (February, 1966), 329–330.
17. A. Hajimiri and T. Lee, "A General Theory of Phase Noise in Electrical Oscillators," IEEE Journal of Solid-State Circuits 33, no. 2 (February, 1998), 179–194.
18. A. Hajimiri and T. Lee, "Design Issues in CMOS Differential LC Oscillators," IEEE Journal of Solid-State Circuits 34, no. 5 (May, 1999).
19. C. Hung and K.O. Kenneth, "A Packaged 1.1GHz CMOS VCO with Phase Noise of -126dBc/Hz at a 600kHz Offset," IEEE Journal of Solid-State Circuits 35 (January, 2000), 100–103.