隨著云計(jì)算和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心對(duì)帶寬網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和連通性的要求越來(lái)越高，交換機(jī)技術(shù)從 25Tb/s 升級(jí)到了 51Tb/s，并很快會(huì)達(dá)到 100Tb/s。業(yè)界已選擇以太網(wǎng)來(lái)推動(dòng)交換機(jī)市場(chǎng)，目前采用 112G SerDes 或 PHY 技術(shù)，未來(lái)將采用 224G SerDes。正如 Arista Network 聯(lián)合創(chuàng)始人兼董事長(zhǎng) Andreas Bechtolsheim 在圖 1 中強(qiáng)調(diào)的那樣，112G SerDes 的部署將在 2025 年達(dá)到峰值。本文介紹了設(shè)計(jì)師如何克服設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)（例如功耗、面積、封裝、信號(hào)完整性、電源完整性），以及使用 112G 以太網(wǎng) PHY IP 實(shí)現(xiàn) 800G 以太網(wǎng) HPC 系統(tǒng)。

圖 1：交換機(jī)芯片 SerDes 的速度從每通道 100G 提升到 200G

來(lái)源：市場(chǎng)焦點(diǎn)：通往 800G 及更高速率之路 - Arista Networks

設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

面積和功耗

隨著使用更低功率調(diào)制技術(shù)（如PAM-4）和高速 SerDes 技術(shù)（如 112 以太網(wǎng) PHY）的增加，從 7nm 到 5nm 到 3nm 過(guò)渡到更先進(jìn)的工藝技術(shù)，降低功率和縮減面積成為一個(gè)關(guān)鍵焦點(diǎn)。此外，由于良率問(wèn)題，晶粒尺寸也存在限制。因?yàn)榉?wù)器盒和計(jì)算盒必須安裝在機(jī)架單元中的同一機(jī)箱中，因此，為了保持相同的大小，以太網(wǎng)交換機(jī)SoC中的組件需要更密集的集成，如圖 2 所示。

圖 2：數(shù)據(jù)中心和 ToR 交換機(jī) SoC 中服務(wù)器機(jī)架的空間限制

然而，SoC 組件的這種密集集成導(dǎo)致功耗增大，并且需要昂貴的冷卻系統(tǒng)。所有這些因素都使得面積、功耗和延遲成為高密度交換機(jī)的關(guān)鍵指標(biāo)或挑戰(zhàn)。它們還會(huì)影響性能，因?yàn)榻粨Q機(jī)的 SoC 包含數(shù)百條通道，使得系統(tǒng)性能比單個(gè) SerDes 性能更重要。

演進(jìn)到共封裝光學(xué)器件

數(shù)據(jù)中心光學(xué)器件也在不斷演變，以支持更高帶寬的網(wǎng)絡(luò)需求。光學(xué)和 ASIC 都必須解決光開(kāi)關(guān)互連中的面積、功率和延遲問(wèn)題，并將光開(kāi)關(guān)的電氣 I/O 功耗降至最低。圖 3 顯示了可插拔光學(xué)電源的演變，這是目前的首選技術(shù)。

圖 3：每比特光學(xué)器件功率顯著下降

資料來(lái)源：市場(chǎng)焦點(diǎn)：通往 800G 及更高速率之路 - Arista Networks 包括甚短距離 (VSR) 和直接驅(qū)動(dòng)（無(wú) DSP）在內(nèi)的各種SerDes架構(gòu)正在解決交換機(jī)和光學(xué)模塊中的功耗挑戰(zhàn)。在下一代數(shù)據(jù)中心中，主機(jī)側(cè)具有 VSR PHY 的超高速可插拔光學(xué)器件的功耗將低于中距離或長(zhǎng)距離 PHY的功耗。因此，放置在交換機(jī) SoC 附近，與 VSR PHY（消耗 2.5-3 pJ/b）的共封裝光學(xué)器件 (CPO) 的概念正在不斷發(fā)展。目前，CPO 概念的 12Tb/s，25Tb/s 器件已經(jīng)可用，51Tb/s 處于試點(diǎn)階段，預(yù)計(jì)很快會(huì)達(dá)到 100Tb/s 的批量部署。交換機(jī)接口上的長(zhǎng)距離 PHY（無(wú)論是共封裝還是直接驅(qū)動(dòng)光學(xué)組件）也可以通過(guò)消除 retimer 來(lái)降低功耗。一種新興的 2.5D/3D 硅光子光學(xué)連接技術(shù)，它使從高密度可插拔 (OSFP-XD) 到 CPOs 的一系列光模塊成為可能。SerDes IP 提供商持續(xù)關(guān)注生態(tài)系統(tǒng)，以繼續(xù)應(yīng)對(duì)功耗挑戰(zhàn)。

信號(hào)完整性

盡量減少影響上市時(shí)間的風(fēng)險(xiǎn)因素是 SoC 設(shè)計(jì)師的關(guān)鍵目標(biāo)?？朔到y(tǒng)信號(hào)完整性挑戰(zhàn)便是其中的一個(gè)風(fēng)險(xiǎn)因素。100Gbps 的高速信號(hào)彼此之間必須具有最小的串?dāng)_ (xtalk) 影響，同時(shí)避開(kāi)晶粒邊緣。增加封裝層數(shù)是解決方案之一，但會(huì)導(dǎo)致成本更高。為了滿足高速 SerDes 串?dāng)_規(guī)格，同時(shí)最大限度地減少出線層數(shù)量和外緣尺寸，設(shè)計(jì)師必須優(yōu)化通過(guò)封裝的高速信號(hào)路徑。封裝設(shè)計(jì)師和信號(hào)完整性專家必須與 SerDes 設(shè)計(jì)師一起創(chuàng)建 SerDes 封裝信號(hào)位置圖，并進(jìn)行布線研究和高頻仿真以驗(yàn)證符合串?dāng)_規(guī)格。由于晶粒尺寸限制，51Tb/s 交換機(jī)和 AI 加速器需要將 112G SerDes 或 PHY 放置在所有晶粒邊緣和多個(gè)堆疊中。由于信號(hào)出線方向不同，因此需要對(duì)南北 (N/S)、東西 (E/W) 方向進(jìn)行封裝出線的研究。此外，設(shè)計(jì)師需要考慮宏單元的雙重堆疊。此外，還需要考慮附近的功耗和接地平面及其阻抗。

設(shè)計(jì)師還必須：

使用不同電源（數(shù)字和模擬）創(chuàng)建多通道 SerDes（51Tb/s 交換機(jī)的 512 通道）的配電網(wǎng)絡(luò) (PDN)

假設(shè)所有物理設(shè)備在任務(wù)模式下同時(shí)切換，執(zhí)行電源完整性仿真

驗(yàn)證電源交流紋波和最大值/最小值。使用 AC PDN 分析和瞬態(tài)仿真來(lái)驗(yàn)證 SerDes 的直流規(guī)格限制

使用 PDN 共享 RL 模型執(zhí)行 PDN 設(shè)計(jì)假設(shè)分析

在封裝和 PCB 上保持最低的公共部件直流電阻

與封裝和 PCB 一起進(jìn)行 IR 壓降分析

保持最低的 PCB 低通濾波器 (LPF) 直流阻抗以及 PDN 直流阻抗

具有有限金屬層的宏單元的多個(gè)堆疊可能需要間隔，或者宏單元和數(shù)字邏輯之間的通道可以放置在此類通道/間隔中。SoC 實(shí)施者需要提供穩(wěn)定的電源結(jié)構(gòu)，并在通道上提供足夠的電源，以盡量減少任何 IR 壓降問(wèn)題。在設(shè)計(jì)階段的早期，對(duì)全芯片進(jìn)行的 IR 壓降分析將顯示通道中的任何弱電網(wǎng)。由于 IR 壓降修復(fù)而導(dǎo)致的電源結(jié)構(gòu)和數(shù)字邏輯布局的任何變化都可能影響設(shè)計(jì)分區(qū)，也可能改變芯片平面布局。因此，早期分析對(duì)于減少任何對(duì)進(jìn)度的影響是非常重要的。

以太網(wǎng) MAC、PCS、PHY 實(shí)現(xiàn)

400G 和 800G 以太網(wǎng)的實(shí)現(xiàn)需要多個(gè) PCS、MAC 和 PHY。SoC 設(shè)計(jì)師可以在考慮晶粒邊緣限制和核心區(qū)域限制后，在有或沒(méi)有宏單元堆疊時(shí)實(shí)現(xiàn)晶粒設(shè)計(jì)。這些晶粒塊可以是 N/S 和 E/W 方向，或是與方向無(wú)關(guān)的。通過(guò)有效的塊分區(qū)，可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)方向的單個(gè)晶粒。采用塊分區(qū)和優(yōu)化的單個(gè)塊大小的假設(shè)分析可以靈活地重復(fù)使用晶粒所有邊緣周圍的塊。如果在早期設(shè)計(jì)階段發(fā)現(xiàn)了時(shí)序問(wèn)題，就可以進(jìn)行設(shè)計(jì)改進(jìn)，例如在不影響延遲的情況下，如果塊之間相距很遠(yuǎn)，就可以進(jìn)行流水線設(shè)計(jì)。圖 4 展示了單個(gè) 800G 以太網(wǎng)晶粒的實(shí)現(xiàn)。

圖 4：可以把 PCS 和 MAC 放置在頂部 X4 宏和底部翻轉(zhuǎn) X4 宏之間的間隙中，以實(shí)現(xiàn)靈活的時(shí)序收斂

上述實(shí)施方式對(duì)于南北方向晶粒邊緣上的高速信號(hào)的出線可能是行不通的。各種布局的試驗(yàn)需要數(shù)月的嘗試和問(wèn)題分析，例如將單個(gè)塊放置在所需通道中，并最小化內(nèi)核芯片區(qū)域，都會(huì)導(dǎo)致時(shí)間延遲。由于多達(dá) 100 個(gè)通道設(shè)計(jì)和有限的晶粒面積和邊緣長(zhǎng)度，具有指定邊界框的自上而下的設(shè)計(jì)方法正變得至關(guān)重要。塊式實(shí)現(xiàn)可確保所有晶粒邊緣的可重用性和無(wú)縫集成。

演進(jìn)之路

? ? 112G SerDes 或 PHY 正在推動(dòng)云數(shù)據(jù)中心的下一代計(jì)算、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)創(chuàng)新，以實(shí)現(xiàn)高性能計(jì)算和 AI/ML。實(shí)現(xiàn) 112G SerDes 或 PHY 技術(shù)的以太網(wǎng)交換機(jī) SoC 設(shè)計(jì)師必須考慮一系列關(guān)鍵指標(biāo)或挑戰(zhàn)，如電源、面積、延遲、芯片堆疊、信號(hào)完整性、電源完整性和實(shí)現(xiàn)，所有這些都是在設(shè)計(jì)師已經(jīng)很短的設(shè)計(jì)時(shí)間表中增加的任務(wù)。 借助先進(jìn) FinFET 節(jié)點(diǎn)中的經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證的 PAM-4 112G 以太網(wǎng) PHY，以及 PCS、MAC 和先進(jìn) AI/ML 驅(qū)動(dòng)的 EDA 工具，SoC 設(shè)計(jì)師能夠?qū)崿F(xiàn)最佳的功耗、性能、面積和延遲，同時(shí)解決系統(tǒng)可靠性、電源完整性和信號(hào)完整性問(wèn)題。 新思科技已完成了所有必要的工作，例如封裝逃逸研究、PHY、SRAM、PCS 和 MAC 布局優(yōu)化，包括分區(qū)和平面圖、引腳布局、位置和路由、時(shí)序收斂和電遷移驗(yàn)證/IR 壓降分析，幫助用戶成功完成例化上百個(gè) 112G SerDes 通道的大型 SoC 的定案。新思科技可以通過(guò)其邏輯庫(kù)、內(nèi)存編譯器、EDA 工具、系統(tǒng)解決方案（如 3DIC）、集成的第三方工具（如 Apache/Redhawk），以及與 PHY、MAC、PCS 設(shè)計(jì)師，實(shí)現(xiàn)專家和系統(tǒng)專家的密切合作，給客戶提供一個(gè)全面的解決方案。也就是說(shuō)，新思科技可為 112G 以太網(wǎng) PHY、PCS 和 MAC 提供易于集成的交付產(chǎn)品，并提供專家級(jí)支持，幫助客戶縮短設(shè)計(jì)周期，加快產(chǎn)品上市時(shí)間。