為解決由柵遲滯主導的狀態(tài)變化所引致的射頻開關時間延長，對現(xiàn)有的用于制造微波開關的pHEMT工藝進行了若干調(diào)整。改進的pHEMT器件截面圖顯示了這些改變（圖3）。通過聯(lián)合使用清潔技術(shù)和鈍化電介質(zhì)沉積技術(shù)，減少了非柵控砷化鎵表面的表面態(tài)和界面陷阱的數(shù)量。此外，對肖特基二極管柵極的形成做了修改，以同時降低柵極阻抗（但不引入額外柵極容抗），并把伴隨器件導通和截止的RC充電時間最小化。最后，為pHEMT構(gòu)造增加了專有的III-V 層以進一步降低溝道阻抗，從而使電荷能在器件內(nèi)更自由地移動，特別是對來自非柵控凹陷區(qū)內(nèi)的電荷來說。這樣的工藝優(yōu)化使開關速度比標準pHEMT器件顯著提升。與現(xiàn)有開關產(chǎn)品比，這已申請專利的工藝大大改善了設置時間特性，且不對其它器件參數(shù)產(chǎn)生明顯影響（圖4）。

圖4和圖5分別顯示了采用標準pHEMT工藝制造的場效應管與采用優(yōu)化工藝制造的場效應管的Ron與開關時間的對比。新工藝顯著改善了導通阻抗性能以及器件-器件間的一致性。新工藝也顯著提升了晶圓-晶圓間開關特性的一致性。在隔離或“關”狀態(tài)，器件有數(shù)千歐姆的阻抗是個重要認識。器件可以迅速達到90%這個點，但要完全設置仍需很長時間：變化的絕對范圍非常大。對采用標準pHEMT工藝制造的高隔離開關來說，標準開關速度規(guī)格可能會引起誤解，因為遷變與絕對信號電平的變化成正比。改進的短柵遲滯工藝帶來的更快的導通特性提供了可靠的快速轉(zhuǎn)換。

為衡量新工藝帶來的速度好處，將采用新工藝制造的開關與采用典型pHEMT工藝制造的開關進行比對。當RF包絡從90%變到98%時，典型pHEMT開關所用時間為274μs，而具有專有的III-V短柵遲滯層的優(yōu)化pHEMT工藝器件，僅需18ns（圖5）。

表1提供了一組從10MHz到20GHz、具有快速設置時間的開關的性能概要。MASW-009590型單刀雙擲（SPDT）開關裸片是其中最快的，到97.5%設置點所需時間約20ns，工作頻率為10MHz到8GHz，插入損耗是0.6dB，隔離度是23dB。當工作在直流3V時，在1dB 壓縮點具有+30dBm功率。此開關系列產(chǎn)品既有大功率器件，也有帶寬很寬的器件，還有一款隔離度非常高的器件。

柵遲滯是測試系統(tǒng)、基于分組的數(shù)據(jù)傳輸、雷達系統(tǒng)以及其它許多對時間變化有苛刻要求的應用的一個重要參數(shù)。采用可大幅縮短總開關時間、具有優(yōu)良電氣性能的優(yōu)化半導體工藝制造的新開關產(chǎn)品，具有更短的設置時間。