近年來，無線終端憑借低成本、低功耗和便于組網(wǎng)的優(yōu)越性逐漸成為校園、機(jī)場、醫(yī)院和家庭接人因特網(wǎng)的首選方案，無線接入技術(shù)得到迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。無線收發(fā)模塊的設(shè)計研究已成為一個重要研究方向。

本文介紹了一種應(yīng)用于IEEE 802.11b／g無線局域網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)的2.4 GHz ISM單片CMOS接收機(jī)射頻前端設(shè)計。IEEE 802.11b是目前市場上主流產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，而IEEE 802.11g則是IEEE 802.11系列的核心標(biāo)準(zhǔn)之一，它兼容另外兩個核心標(biāo)準(zhǔn)IEEE 802.11a和IEEE802.11b，即同時支持IEEE 802.11a的OFDM（正交頻分復(fù)用）和IEEE 802.11b的CCK（補(bǔ)碼鍵控）編碼的DSS（直接序列擴(kuò)頻）調(diào)制方式。本文中設(shè)計的接收機(jī)應(yīng)用于DSS調(diào)制方式。

1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

考慮到低成本、低功耗和高集成度，針對IEEE802.11b／g本身寬信道帶寬特性，本文采用直接下變頻接收機(jī)結(jié)構(gòu)。隨著電路技術(shù)和工藝的進(jìn)步，直接變頻所固有的問題得到很大改善。尤其是直流偏移和1／f閃爍噪聲問題，現(xiàn)在都能有效地降低它們的影響。

表1列出了近期設(shè)計的射頻前端性能總結(jié)。

圖1給出了接收機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，包括低噪聲放大器、I／Q下變頻器、去直流耦合電路、基帶線性放大器和信道選擇濾波器。

DSS標(biāo)準(zhǔn)包含11個2 MHz帶寬的子信道，總的信道帶寬為22 MHz。如果在保證誤幀率在8×102情況下，要達(dá)到靈敏度為-80 dBm，那么，

kNF+RSNR=174 dBm-10log（22 MHz）-80 dBm=20.6 dBm

式中：KNF為噪聲系數(shù)；RSNR為信噪比。

針對需要的FER，假設(shè)RSNR≈10 dB，再考慮到射頻濾波器約2 dB損耗，接收機(jī)的要求低于8.6 dB。

標(biāo)準(zhǔn)還要求在接收信號-74 dBm時，具有40 dB的鄰近信道抑制能力，鑒于此，接收機(jī)的輸入1 dB壓縮點要達(dá)到至少-30 dBm左右。

2 電路實現(xiàn)

2.1低噪聲放大器

圖2給出了低噪聲放大器電路具體實現(xiàn)。電路采用典型的差分Cascode結(jié)構(gòu)，增加對片上干擾抑制，減少源極寄生電感影響，另外，還能提高CMRR（共模抑制比）。不過，相對于單端輸入單端輸出，差分結(jié)構(gòu)帶來更大的功耗。

下面只分析放大器對稱的左半部分，它是一個窄帶Cascode結(jié)構(gòu)低噪聲放大器，這種結(jié)構(gòu)能得到更好的噪聲性能。Ls和Ld采用片上電感，Lc、Lg由鍵合電感實現(xiàn)。M1、M3是跨導(dǎo)晶體管，共柵連接的M2、M4提高輸出輸入之間的隔離，并減少M1、M3漏極電容Cgd的密勒效應(yīng)。電容Cd、Cout和Ld調(diào)節(jié)輸出匹配并起到與次級電路隔直的作用。

當(dāng)然，除此之外，在優(yōu)化電路時還應(yīng)該考慮到電容Cs的影響，但式（1）、式（2）給出了各元件對電路性能的影響趨勢，這點在設(shè)計電路時具有指導(dǎo)意義。

仔細(xì)選擇器件參數(shù)，得到0.84 dB的噪聲系數(shù)。從圖3的仿真結(jié)果可看出，電路優(yōu)化結(jié)果使kNF非常接近kNFmin。

用電感Le代替?zhèn)鹘y(tǒng)的尾電流源提高差分電路的共模抑制比，這樣可以節(jié)省直流電壓裕度。

下式給出了CMRR（記為RCMRR）的參考公式：

式中：ZA為差分對管虛地點對地的阻抗。

電感采用鍵合電感，因為它有高Q值和節(jié)省芯片面積的優(yōu)勢。

仔細(xì)地在功耗與性能之間獲取均衡，實現(xiàn)的低噪放噪聲系數(shù)為0.84 dB，增益為16 dB，S11《-15 dB，直流電壓1.8 V時電流為7.6 mA。

2.2 I／Q下變頻器

圖4給出了I／Q正交下變頻器的一路混頻器?；祛l器的設(shè)計需要仔細(xì)選擇每一個參數(shù)來平衡增益、線性度與噪聲之間的矛盾。由于處于接收機(jī)射頻信號最強(qiáng)處，往往混頻器對線性度的要求很高。本文采用Gilbert單元有源雙平衡混頻器，具有較高的各端口之間的隔離度?？鐚?dǎo)級晶體管源極直接接地，以提高混頻器的線性度。電路中還采用電流注入技術(shù)，以降低混頻器開關(guān)管的低頻噪聲，同時可以增大跨導(dǎo)級電流，改善線性度。

Gilbert單元的IIP3可以表示為：

式中：I和K分別是跨導(dǎo)電路的偏置電流和跨導(dǎo)參數(shù)。

當(dāng)本振信號是正弦波時，與開關(guān)對管有關(guān)的噪聲為：

式中：A為本振信號的幅度；ISW為開關(guān)對管的偏置電流。

分析式（4）和式（5），需要增大跨導(dǎo)差分對管的偏置電流來提高混頻器的線性度，同時又必須減小開關(guān)對管的偏置電流來降低開關(guān)噪聲，因此，需要采用電流注入技術(shù)來解決二者之間的矛盾。