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電子發(fā)燒友網(wǎng)>RF/無線>高功率射頻的超模壓塑料封裝技術(shù)解析

高功率射頻的超模壓塑料封裝技術(shù)解析

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應(yīng)用的期望,而無法適合汽車應(yīng)用。本文提出了采用塑料封裝的高性能、低成本IGBT設(shè)計(jì)制造功率電子模塊的創(chuàng)新工藝,這項(xiàng)技術(shù)優(yōu)化了電源開關(guān)和電源轉(zhuǎn)換器的功率處理能力,提高了可靠性。
2018-09-03 09:29:127394

功率LED封裝的熱建模技術(shù)

發(fā)光二極管(LED)組件的計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)(CFD)建模變得越來越重要,因?yàn)樗F(xiàn)在被應(yīng)用于設(shè)計(jì)過程。本文將Avago Technologies的功率LED封裝(ASMT-MX00)在金屬芯印刷電路
2019-03-27 08:13:005740

什么是射頻封裝技術(shù)?(詳細(xì)篇)

封裝這個(gè)詞對(duì)于工程師來說應(yīng)該不陌生,但是射頻封裝技術(shù)相對(duì)于普通封裝技術(shù)來說顯得更為復(fù)雜。射頻和無線產(chǎn)品領(lǐng)域可以使用非常廣泛的封裝載體技術(shù),它們包括引線框架、層壓基板、低溫共燒陶瓷(LTCC)和硅底板
2023-05-17 17:24:393624

碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn):傳統(tǒng)封裝
2023-09-24 10:42:401701

環(huán)氧模塑料在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用

環(huán)氧模塑料是一種重要的微電子封裝材料, 是決定最終封裝性能的主要材料之一, 具有低成本和生產(chǎn)效率等優(yōu)點(diǎn), 目前已經(jīng)成為半導(dǎo)體封裝不可或缺的重要材料。本文簡單介紹了環(huán)氧模塑料在半導(dǎo)體封裝中的重要作用
2023-11-08 09:36:562803

支持功率應(yīng)用的RDL技術(shù)解析

如之前的介紹用于 IC 封裝的再分布層(RDL)技術(shù)及晶圓級(jí)封裝中的窄間距RDL技術(shù)及應(yīng)用]技術(shù)通常用于芯片封裝中的信號(hào)和電源引腳映射,用于實(shí)現(xiàn)芯片與封裝之間的連接。然而,對(duì)于功率應(yīng)用,尤其是需要傳輸大電流或功率的電路,額外的考慮和技術(shù)措施是必要的。
2023-12-06 18:26:466070

SAW濾波器WLP封裝中腔體抗模壓塌陷研究

MPa較高模壓量時(shí)塌陷量幾乎為0,解決了聲表面波濾波器晶圓級(jí)封裝芯片灌封壓力導(dǎo)致的塌陷問題,降低了器件及模組失效風(fēng)險(xiǎn),是一種聲表面波濾波器晶圓級(jí)封裝的新技術(shù)
2023-12-19 16:19:012442

功率LED封裝基板技術(shù)分析

技術(shù)上高功率LED封裝后的商品,使用時(shí)散熱對(duì)策成為非常棘手問題,在此背景下具備成本效益,類似金屬系基板等高散熱封裝基板的發(fā)展動(dòng)向,成為LED高效率化之后另一個(gè)備受囑目的
2011-11-07 14:00:452145

5G射頻測試技術(shù)白皮書解析

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2021-01-13 06:33:58

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射頻功率放大器具有哪些特性原理?

射頻功率放大器的主要技術(shù)參數(shù)低噪聲功率放大電路是什么原理
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射頻功率放大器推動(dòng)電路設(shè)計(jì)

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2017-03-10 11:10:36

射頻功率的頻域測量怎么避免誤差?

射頻功率的頻域測量是利用頻譜和矢量信號(hào)分析儀所進(jìn)行的最基本的測量。這類系統(tǒng)必須符合有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)功率傳輸和寄生噪聲輻射的限制,還要配有合適的測量技術(shù)來避免誤差。
2019-10-08 08:01:02

射頻功率的頻域測量是最基本的測量

 射頻功率的頻域測量是利用頻譜和矢量信號(hào)分析儀所進(jìn)行的最基本的測量。這類系統(tǒng)必須符合有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)功率傳輸和寄生噪聲輻射的限制,還要配有合適的測量技術(shù)來避免誤差?! ?/div>
2019-07-23 07:02:34

射頻功率計(jì)的技術(shù)原理和應(yīng)用場景

射頻功率計(jì)是一種用于測量射頻信號(hào)功率的儀器,其技術(shù)原理和應(yīng)用場景如下:技術(shù)原理射頻功率計(jì)的技術(shù)原理主要基于不同的測量方法和傳感器類型,常見的有以下三種: 熱敏式功率計(jì):基于測輻射熱器原理,測輻射熱器
2024-11-27 15:06:07

射頻功放保護(hù)控制電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析,不看肯定后悔

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2021-05-31 06:52:38

射頻能量采集技術(shù)的全面介紹

能量采集是實(shí)現(xiàn)低功耗電子器件(如無線傳感器)長期免維護(hù)工作的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。通過捕獲環(huán)境中的多余能量(如照明、溫差、振動(dòng)和無線電波(射頻能量)),完全可以讓低功耗電子器件正常工作。在這些微功率能源中
2019-07-04 08:02:48

功率射頻電阻并聯(lián)等效電容有哪些測試方法?

射頻和微波頻段使用的功率電阻,大多數(shù)使用在Wilkinson功分器或者合路器產(chǎn)品中。為得到最好的性能,在Wilkinson功分器中使用的100歐姆隔離電阻,必須具有較小的等效電容,以便于降低
2019-08-21 07:30:12

功率LED怎么散熱?

功率LED極為節(jié)約能源,而且與比其它技術(shù)相比,LED每瓦電發(fā)出更高的亮度。例如普通功率LED每瓦可以提供80流明,而節(jié)能燈(CFL)可以提供每瓦70流明,普通白熾燈每瓦只能提供15流明。
2019-09-27 09:11:27

通MEMS封裝技術(shù)解析

隨著傳感器、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的大規(guī)模落地,微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)在近些年應(yīng)用越來越廣泛,MEMS的存在可以減小電子器件的大小。同時(shí),與之相對(duì)應(yīng)的MEMS封裝也開始備受關(guān)注。
2020-05-12 10:23:29

DU2840S射頻晶體管

技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào):DU2840S產(chǎn)品名稱:射頻晶體管DU2840S產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)?DU2840S產(chǎn)品詳情
2018-08-09 10:16:17

IC封裝術(shù)語解析

封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好,在自然空冷條件下可容許1. 5~ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 3~5 倍。引腳
2011-07-23 09:23:21

IC封裝術(shù)語有哪些

條件下可容許1.5~2W的功率。但封裝成本比塑料QFP3~5倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32到368?! ?、CLCC
2020-07-13 16:07:01

MACOM射頻功率產(chǎn)品概覽

`MACOM以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的射頻功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,支持頻率從DC到6GHz。功率晶體管完美匹配民用航空、通訊、網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)、廣播、工業(yè)、科研和醫(yī)療領(lǐng)域。MACOM的產(chǎn)品線借助于
2017-08-14 14:41:32

PE42821射頻開關(guān)

`PE42821是經(jīng)過HaR技術(shù)增強(qiáng)的高性能功率反射型SPDT RF開關(guān)設(shè)計(jì)用于手機(jī)收音機(jī),繼電器更換等高性能無線應(yīng)用。此開關(guān)是引腳兼容的快速開關(guān)版本PE42820。 保持線性度和功率從100
2021-03-26 15:28:48

QFP封裝技術(shù)有什么特點(diǎn)?

QFP(quad flat package)四側(cè)引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一,引腳從四個(gè)側(cè)面引出呈海鷗翼(L)型。基材有 陶 瓷、金屬和塑料三種。
2020-04-07 09:01:08

QPP2209限幅器

的輸入信號(hào)功率,它提供了非常低的插入損耗,在很寬的帶寬,不需要直流偏置。的qpp2209坐落在超模壓QFN封裝的低成本塑料。是內(nèi)部匹配到50歐姆,從8到12 GHz的典型插入損耗小于0.5dB,平漏下
2018-08-06 10:24:50

SE2436L Smart Energy功率2.4 GHz 802.15.4射頻前端模塊ZigBee

我們都知道處理器芯片, 是依靠不斷縮小制程實(shí)現(xiàn)技術(shù)升級(jí),而作為模擬電路中應(yīng)用于高頻領(lǐng)域的一個(gè)重要分支,射頻電路的技術(shù)升級(jí)主要依靠新設(shè)計(jì)、新工藝和新材料的結(jié)合。大家都知道現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入了5G時(shí)代,而射頻
2019-11-09 10:29:19

SGK5872-20A 是一款功率 GaN-HEMT,其內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻段,可提供最佳功率和線性度。

SGK5872-20A 類別:GaN 產(chǎn)品 > 用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT 外形/封裝代碼:I2C 功能:C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT 輸出功率:P5dB
2025-06-16 16:18:36

TS7232FK射頻開關(guān)

的線性度。TS7232K封裝在緊湊的Quad Flat中無引線(QFN)3x3mm 16引線塑料封裝。產(chǎn)品特點(diǎn)低插入損耗800MHz時(shí)為0.45dB隔離度40MHz @ 800MHz時(shí)線性功率處理
2021-02-02 21:59:24

TT全新高性能成本效益低損耗模壓電感器件

3mm (LxWxH)?! 」I(yè)和汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器和其它要求功率密度的電源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員,將會(huì)獲益于抗銹的過模壓結(jié)構(gòu)和寬泛的額定工作溫度范圍。此兩款器件都經(jīng)過特別的工程設(shè)計(jì),具有高性能和成本
2018-09-26 15:44:31

【下載】《射頻微波功率場效應(yīng)管的建模與特征》

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2017-09-07 18:09:11

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2018-01-15 17:57:06

一種被飛思卡爾使用的功率射頻功放的熱測量方法闡述

簡介這篇文章闡述了一種被飛思卡爾使用的功率射頻功放的熱測量方法。半導(dǎo)體器件的可靠性和器件的使用溫度有很大的關(guān)系,因此,建立使用了功率器件的系統(tǒng)的可靠性模型,這些功率器件的精確的溫度特性非常關(guān)鍵。
2019-06-27 07:52:25

從散熱性能考慮,功率POL調(diào)節(jié)器應(yīng)該這么選

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2019-07-22 06:43:05

從阻抗匹配的角度來解析射頻微波傳輸線的設(shè)計(jì)技術(shù)

目標(biāo),負(fù)責(zé)傳送射頻微波信號(hào)的介質(zhì)除空氣之外,就是高頻的傳輸線。人類目前無法控制大氣層,但是可以控制射頻微波傳輸線,只要設(shè)法使通信網(wǎng)路的阻抗能相互匹配,發(fā)射能量就不會(huì)損耗。本文將從阻抗匹配的角度來解析射頻微波傳輸線的設(shè)計(jì)技術(shù)。
2019-06-20 08:17:26

分享一款不錯(cuò)的基于負(fù)載牽引技術(shù)射頻功率放大器設(shè)計(jì)

求大神分享一種基于負(fù)載牽引技術(shù)射頻功率放大器設(shè)計(jì)
2021-04-22 06:56:53

利用GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)5G移動(dòng)通信:為成功奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)

基礎(chǔ)設(shè)施和移動(dòng)電話則需要更小巧、更低成本的超模壓塑料封裝,才可與采用塑料封裝的現(xiàn)有硅基LDMOS 或GaAs 器件競爭。同樣,移動(dòng)電話注重低成本模塊,包括與其他技術(shù)組合的GaN,其與目前的產(chǎn)品并無二致,但也
2017-07-28 19:38:38

四種功率封裝基板對(duì)比分析

(COB)封裝技術(shù)逐步興起。目前,COB封裝基板大多使用金屬芯印刷電路板,功率封裝大多采用此種基板,其價(jià)格介于中、高價(jià)位間。當(dāng)前生產(chǎn)上通用的大功率散熱基板,其絕緣層導(dǎo)熱系數(shù)極低,而且由于絕緣層的存在
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各位前輩,我有個(gè)問題如下:我看到二極管封裝工序主要由焊接,酸洗,模壓組成,我知道在焊接工序會(huì)用到石墨舟,酸洗時(shí)能用到石墨的酸洗盤,我想問一下,在模壓(就是注入黑膠這個(gè)過程)時(shí),用到石墨模具嗎?謝謝各位了。
2014-05-08 15:49:21

如何利用Linear-in-dB Log Amp射頻功率檢測器和高效切換器增強(qiáng)CDMA PA功率?

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119%。高增長的背后是射頻市場的機(jī)遇,但同時(shí)也是挑戰(zhàn)。如何解決5G通信帶寬和大功率射頻技術(shù)挑戰(zhàn)?就成了一個(gè)非常棘手的問題。
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2018-10-24 09:54:43

如何選擇散熱性能良好的功率可擴(kuò)展式POL調(diào)節(jié)器并節(jié)省電路板空間

采用電感。電感和相關(guān)開關(guān)元件(如MOSFET)在DC-DC轉(zhuǎn)換過程中會(huì)產(chǎn)生熱量。大約十年前,封裝技術(shù)取得顯著進(jìn)步,使得包括磁體在內(nèi)的整個(gè)DC-DC調(diào)節(jié)器電路均可被設(shè)計(jì)和安裝在稱為模塊或SiP的超模壓
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  導(dǎo)讀:據(jù)報(bào)道,威世公司(簡稱“Vishay”)日前宣布推出新系列汽車級(jí)模壓片式電容器TP8.此器件符合RoHS,是首個(gè)采用容積率封裝方案的通過AEC-Q200認(rèn)證的鉭電容器系列產(chǎn)品
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2020-03-16 13:15:33

常見芯片封裝技術(shù)匯總

”的縮寫,即塑封J引線芯片封裝。PLCC封裝方式,外形呈正方形,32腳封裝,四周都有管腳,外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線,具有外形尺寸小、可靠性的優(yōu)點(diǎn)
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歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進(jìn)。碳化硅器件的這些優(yōu)良特性,需要通過封裝與電路系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功率和信號(hào)的高效、可靠連接,才能得到完美展現(xiàn),而現(xiàn)有的傳統(tǒng)封裝技術(shù)應(yīng)用于碳化硅器件時(shí)面臨著一些關(guān)鍵挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08

怎么利用PCTF封裝技術(shù)降低微波射頻器件成本?

射頻/微波器件的封裝設(shè)計(jì)非常重要,封裝可以保護(hù)器件,同時(shí)也會(huì)影響器件的性能。因此封裝一定要能提供優(yōu)異的電學(xué)性能、器件的保護(hù)功能和屏蔽作用等等。高性能射頻微波器件通常采用陶瓷封裝材料,陶瓷材料的介電
2019-08-19 07:41:15

怎么實(shí)現(xiàn)基于射頻功率放大器的GSM/DCS雙頻段RF射頻前端設(shè)計(jì)?

本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結(jié)構(gòu),使用一個(gè)射頻功率放大器實(shí)現(xiàn)GSM/DCS雙頻段功率放大功能。同時(shí)將此結(jié)構(gòu)射頻功率放大器及輸出匹配網(wǎng)絡(luò)與CMOS控制器、射頻開關(guān)集成至一個(gè)芯片模塊,組成GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊,其中射頻開關(guān)采用隔離開關(guān)設(shè)計(jì),使得諧波滿足通信系統(tǒng)要求。
2021-05-28 06:28:14

手機(jī)射頻技術(shù)射頻模塊有什么關(guān)鍵元件?

手機(jī)在向雙模/多模發(fā)展的同時(shí)集成了越來越多的RF技術(shù)。手機(jī)射頻模塊有哪些基本構(gòu)成?它們又將如何集成?RF收發(fā)器,功率放大器,天線開關(guān)模塊,前端模塊,雙工器,SAW濾波器……跟著本文,來一一認(rèn)識(shí)手機(jī)射頻技術(shù)射頻模塊的關(guān)鍵元件們吧!
2019-08-12 06:44:47

手機(jī)射頻技術(shù)有什么關(guān)鍵元件?

手機(jī)在向雙模/多模發(fā)展的同時(shí)集成了越來越多的RF技術(shù)。手機(jī)射頻模塊有哪些基本構(gòu)成?它們又將如何集成?RF收發(fā)器,功率放大器,天線開關(guān)模塊,前端模塊,雙工器,SAW濾波器……跟著本文,來一一認(rèn)識(shí)手機(jī)射頻技術(shù)射頻模塊的關(guān)鍵元件們吧!
2019-08-26 07:15:19

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26

簡述芯片封裝技術(shù)

表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線;  2.封裝外形尺寸小,寄生參數(shù)減小,適合高頻應(yīng)用;  3.操作方便;  4.可靠性。  在這期間,Intel公司的CPU,如Intel 80386就采用塑料四邊引出
2018-09-03 09:28:18

芯片封裝試題跪求答案

1、TAB技術(shù)中使用()線而不使用線,從而改善器件的熱耗散性能。A、鋁B、銅C、金D、銀2、陶瓷封裝基板的主要成分有()A、金屬B、陶瓷 C、玻璃D、高分子塑料3、“塑料封裝與陶瓷封裝技術(shù)均可以制成
2013-01-07 19:19:49

貼片式、低損耗、功率射頻特性優(yōu)越的 3dB 90°電橋及...

` 本帖最后由 yantel 于 2013-7-22 16:45 編輯 研通Yantel貼片式、低損耗、功率射頻特性優(yōu)越的3dB 90°電橋及定向耦合器產(chǎn)品3dB 90°電橋是射頻通信系統(tǒng)中
2013-05-30 09:03:02

陶瓷封裝塑料封裝哪個(gè)更好?優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比更明顯~

的特性可通過改變其化學(xué)成分和工藝的控制調(diào)整來實(shí)現(xiàn),不僅可作為封裝的封蓋材料,它也是各種微電子產(chǎn)品重要的承載基板;陶瓷封裝的缺點(diǎn):1)與塑料封裝相比較,它的工藝溫度較高,成本較高;2)工藝自動(dòng)化與薄型化封裝
2019-12-11 15:06:19

集成電路芯片封裝技術(shù)教程書籍下載

技術(shù)、陶瓷封裝塑料封裝、氣密性封裝封裝可靠性工程、封裝過程中的缺陷分析和先進(jìn)封裝技術(shù)。第1章 集成電路芯片封裝概述   第2章 封裝工藝流程   第3章 厚/薄膜技術(shù)   第4章 焊接材料   第5
2012-01-13 13:59:52

射頻MEMS封裝技術(shù)

MEMS 在射頻(RF)應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出的低功耗、低損耗和數(shù)據(jù)率的優(yōu)越特性為RF 無線通信系統(tǒng)及其微小型化提供新的技術(shù)手段。在產(chǎn)品設(shè)計(jì)的初期階段,RFMEMS 封裝的設(shè)計(jì)考慮是降低成本、
2009-11-26 15:39:5040

寬頻帶功率射頻脈沖功率放大器

利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET),采取AB類推挽式功率放大方式,采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù),設(shè)計(jì)出一種寬頻帶功率射頻脈沖功率放大器模塊,其輸出脈沖功率達(dá)1200W,工作頻段0.6M~10M
2010-11-19 15:18:16138

模壓線圈知識(shí)

模壓線圈知識(shí)                模壓線圈有多種名稱,例如:模壓電感,壓模電感,注塑電感,注塑線圈,可
2009-04-10 13:52:071340

創(chuàng)新的塑料空氣腔封裝(ST)

創(chuàng)新的塑料空氣腔封裝(ST) 意法半導(dǎo)體ST發(fā)布創(chuàng)新的塑料空氣腔封裝。與陶瓷封裝相比,新封裝可使功率射頻晶體管實(shí)現(xiàn)更高性
2010-04-14 16:55:021521

恩智浦推出超模壓塑料(OMP)射頻功率器件

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ:NXPI)今日推出全系列超模壓塑料(OMP)射頻功率器件,其峰值功率可達(dá)2.5W到200W
2011-06-24 10:48:183017

Ampleon現(xiàn)在提供使用成本效益功率晶體管

 荷蘭奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產(chǎn)品組合,采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)
2016-01-13 11:14:372002

Ampleon為HF、VHF和ISM應(yīng)用提供LDMOS RF功率晶體管

Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產(chǎn)品組合,采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。
2016-01-13 15:37:092387

可靠功率器件金屬封裝外殼的技術(shù)改進(jìn)

可靠功率器件金屬封裝外殼的技術(shù)改進(jìn)
2017-09-12 14:30:4714

LED封裝技術(shù)簡介與40種芯片的封裝技術(shù)解析

,保護(hù)管芯正常工作?,F(xiàn)給大家介紹40種封裝技術(shù)。 1、BGA封裝(ballgridarray) 球形觸點(diǎn)陳列,表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳,在印刷基板的正面裝配LSI芯片,然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密
2017-10-20 11:48:1930

01:采用LDMOS技術(shù)的全通訊頻段射頻功率產(chǎn)品介紹

本次會(huì)議將介紹恩智浦用成熟的、業(yè)界最好的LDMOS技術(shù),推出的面向蜂窩通訊頻段的功率應(yīng)用,包括介紹全通訊頻段射頻功率產(chǎn)品組合。
2019-01-23 07:24:003346

02:采用LDMOS技術(shù)的全通訊頻段射頻功率產(chǎn)品介紹

本次會(huì)議將介紹恩智浦用成熟的、業(yè)界最好的LDMOS技術(shù),推出的面向蜂窩通訊頻段的功率應(yīng)用,包括介紹全通訊頻段射頻功率產(chǎn)品組合。?
2019-01-23 07:12:003315

01:采用GaN技術(shù)的蜂窩通訊頻段功率射頻應(yīng)用

本次會(huì)議將介紹恩智浦用差異化的GaN技術(shù),推出的面向蜂窩通訊頻段功率產(chǎn)品應(yīng)用(包括全蜂窩通訊頻段射頻功率產(chǎn)品組合)。
2019-01-09 07:26:003763

采用GaN技術(shù)的蜂窩通訊頻段功率產(chǎn)品應(yīng)用

本次會(huì)議將介紹恩智浦用差異化的GaN技術(shù),推出的面向蜂窩通訊頻段功率產(chǎn)品應(yīng)用(包括全蜂窩通訊頻段射頻功率產(chǎn)品組合)。
2019-01-09 06:46:003749

Ampleon推出大功率射頻晶體管,面向工業(yè)和專業(yè)射頻能量應(yīng)用

的BLC2425M10LS500P LDMOS射頻功率晶體管。BLC2425M10LS500P適用于各種工業(yè)、消費(fèi)和專業(yè)烹飪射頻能量應(yīng)用;由于它可以通過單個(gè)SOT1250空腔塑料封裝提供500W的CW,因此
2019-01-20 16:51:01994

一種用于LED燈封裝材料的導(dǎo)熱塑料及制備方法技術(shù)

技術(shù)涉及LED燈封裝材料領(lǐng)域,具體涉及導(dǎo)熱塑料的制備,尤其是涉及一種用于LED燈封裝材料的導(dǎo)熱塑料及制備方法。 近年來,LED燈越來越受到人們關(guān)注,目前LED光源在上電后,大約百分之三十電能
2020-03-31 15:06:531273

導(dǎo)熱塑料適用于LED照明封裝材料

是將導(dǎo)熱微粒填充到聚合物基體當(dāng)中,其性能的優(yōu)劣主要取決于導(dǎo)熱填料的分散性,同時(shí)透光性能也是一項(xiàng)非常重要的指標(biāo),直接關(guān)系到LED的光照性能。 一種用于LED照明封裝材料的導(dǎo)熱塑料的制備方法,特征在于: 導(dǎo)熱塑料是由
2020-03-30 16:09:481143

功率射頻及微波無源器件中的考慮及限制

來源:RF技術(shù)社區(qū)? 本文來自網(wǎng)絡(luò) RF和微波無源元件承受許多設(shè)計(jì)約束和性能指標(biāo)的負(fù)擔(dān)。根據(jù)應(yīng)用的功率要求,對(duì)材料和設(shè)計(jì)性能的要求可以顯著提高。例如,在功率電信和軍用雷達(dá)/干擾應(yīng)用中,需要
2022-12-01 16:17:311451

SMC/BMC原材料模壓成形的三個(gè)參數(shù)

SMC/BMC模壓成形全過程時(shí)要關(guān)鍵留意操縱好“3個(gè)點(diǎn)”,(BMC注射)即3個(gè)重要制作工藝基本參數(shù):模壓溫度、模壓工作壓力和模壓時(shí)間,模壓溫度是模壓成形時(shí)要規(guī)定的模貝溫度,這一制作工藝基本參數(shù)確立了模貝向模仁內(nèi)原料的導(dǎo)熱規(guī)范,對(duì)原料的熔融、流通性和固化全過程有至關(guān)重要的傷害。
2021-03-22 10:42:113358

關(guān)于BMC模壓原材料等熱固性塑料的未來展望

熱固性塑料做為塑膠中的一大類,(BMC模壓)其產(chǎn)品已普遍滲透到到生產(chǎn)制造與生活的各行各業(yè),如用以生產(chǎn)制造工程建筑板才、汽車零部件、電子元件、印刷pcb線路板(PCB)等。 伴隨著熱固性塑料
2021-04-02 16:01:121254

如何才能解決BMC模壓塑料件的外壁凹痕問題

的,它很有可能發(fā)生在外界尖角周邊或是壁厚基因突變處,如突起、筋板或是橡膠支座的身后,有時(shí)候也會(huì)發(fā)生在一些不普遍的位置。造成凹痕的直接原因是原材料的熱漲冷縮,由于熱固性塑料的線膨脹系數(shù)非常。 澎漲和收縮的水平在
2021-04-07 15:27:262114

四氟模壓管的優(yōu)點(diǎn)是什么?

四氟模壓管表面組織細(xì)密、無機(jī)械雜質(zhì)、強(qiáng)度、化學(xué)穩(wěn)定性好、耐腐蝕、密封、自潤滑、不粘膠、電絕緣性好,能長期在-60~250℃下工作,并能在高溫下可靠地輸送強(qiáng)腐蝕介質(zhì),四氟模壓管從目前的市場口碑來看
2021-06-18 15:58:54975

車載模壓功率電感

KOYUELEC光與電子提供SUNLORDINC順絡(luò)電子車載模壓功率電感—AMP系列技術(shù)選型與方案應(yīng)用
2023-01-04 13:55:44713

一文解析射頻功率

在低頻電路中,信號(hào)的大小通常都是用電壓或者電流來表示的,而在射頻電路中,由于傳輸線上存在駐波,電壓和電流失去了唯一性,所以射頻信號(hào)大小一般是用功率來表示的。
2023-06-25 17:24:374227

封裝外形圖34引線功率四平面無引線(PQFN)塑料封裝介紹

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《封裝外形圖34引線功率四平面無引線(PQFN)塑料封裝介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-31 10:04:171

采用3.5mm×4.0mm薄超模壓塑料QFN封裝的2.4V至5.5V輸入、4A/6A降壓電源模塊TPSM82864A/TPSM82866A數(shù)據(jù)表

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2024-03-27 11:13:220

功率半導(dǎo)體激光器的散熱秘籍:過渡熱沉封裝技術(shù)揭秘

了更高的要求。過渡熱沉封裝技術(shù)作為一種有效的散熱解決方案,已經(jīng)成為功率半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)的關(guān)鍵。本文將詳細(xì)探討功率半導(dǎo)體激光器過渡熱沉封裝技術(shù)的研究現(xiàn)狀、技術(shù)
2024-11-15 11:29:092823

一文了解射頻功率

射頻功率是無線通信、雷達(dá)系統(tǒng)和衛(wèi)星通信等射頻電路設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵參數(shù)。它直接影響到信號(hào)傳輸質(zhì)量和通信距離的穩(wěn)定性。在本文中,我們將從理論到實(shí)踐,深入解析射頻功率的概念、計(jì)算方法以及在實(shí)際應(yīng)用中的重要性
2024-12-24 10:40:421789

碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、耐壓、高頻率和結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù),從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面展開探討。
2025-02-03 14:21:001294

短波紅外光譜相機(jī):光譜成像在塑料分選中的應(yīng)用

識(shí)別各類塑料并提高塑料回收利用率成為亟待解決的問題。光譜成像技術(shù)作為一種先進(jìn)的光學(xué)檢測手段,在塑料分選領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。 光譜成像塑料分選系統(tǒng)架構(gòu) 光譜相機(jī):是系統(tǒng)的核心部件,負(fù)責(zé)采集塑料樣品的
2025-04-14 17:35:04610

902 至 931 MHz 功率射頻前端模塊 skyworksinc

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2025-06-06 18:31:53

1787 至 1930 MHz 功率射頻前端模塊 skyworksinc

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902 至 928 MHz 功率射頻前端模塊 skyworksinc

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900 至 930 MHz 功率射頻前端模塊 skyworksinc

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860 – 930 MHz 功率射頻前端模塊 skyworksinc

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2025-06-27 18:31:05

902 – 928 MHz 功率射頻前端模塊 skyworksinc

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2025-06-30 18:33:45

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