轉(zhuǎn)變，不少專注GaN器件的Fabless公司正在 有著越來越大的影響力。 ? 器件設(shè)計 GaN器件設(shè)計根據(jù)類型我們可以分為三個部分，分別是：射頻、功率和光電子，這次主要關(guān)注的是射頻以及功率方面的應(yīng)用。 ? ? GaN射頻器件設(shè)計 GaN射頻器件主要可以分為三種：大
2022-07-18 01:59:45
5989 基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動機應(yīng)用的功率和逆變器階段提供的優(yōu)勢。
2022-07-27 14:03:562999 
數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動汽車。在本文中，我們將探討創(chuàng)建GaN功率集成電路(ICs)的一些優(yōu)勢和挑戰(zhàn)。01創(chuàng)造GaN功率IC的動機基于硅的功率管理集成電路(PMICs)被
2024-04-22 13:51:133603 
與所有Microchip 的GaN射頻功率產(chǎn)品一樣，新器件采用碳化硅基氮化鎵技術(shù)制造，提供了高功率密度和產(chǎn)量的最佳組合，可在高壓下運行，255℃結(jié)溫下使用壽命超過100萬小時。
2021-12-02 14:09:211807 
需要臨界偏置網(wǎng)絡(luò)才能正常工作。這種電力系統(tǒng)配置通常用于數(shù)據(jù)中心。更新的發(fā)展是增強型GaN FET或eGaN。這是絕緣門品種。像所有的GaN器件一樣，它們提供了更高速度的切換，更高的電壓操作和改善散熱
2017-05-03 10:41:53
日益增長的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實現(xiàn)。 為何選擇GaN？當涉及功率密度時，GaN為硅MOSFET提供了幾個主要優(yōu)點和優(yōu)勢，包括：?較低的RDS（on）：如表1所示…
2022-11-14 07:01:09
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
qualification recipe）即可。由于長期的業(yè)界經(jīng)驗和可靠性模型的驗證，人們現(xiàn)在可以接受將基于標準的測試用于硅材料的做法，不過也有例外的情況。功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
2018-09-10 14:48:19
和GaN的特性比較 氧化鎵（GaO）是另一種帶隙較寬的半導(dǎo)體材料，GaO的導(dǎo)熱性較差，但其帶隙（約4.8 eV）超過SiC，GaN和Si，但是，GaO在成為主要動力之前將需要更多的研發(fā)工作。系統(tǒng)參與者
2022-08-12 09:42:07
。GaN器件尤其在高頻高功率的應(yīng)用領(lǐng)域體現(xiàn)了其獨特的優(yōu)勢，其中，針對GaN功率器件的性能特點，該器件可被用于適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換、無線充電、激光雷達等應(yīng)用場合。
圖1 半導(dǎo)體材料特性對比
傳統(tǒng)的D類
2023-06-25 15:59:21
我想大多數(shù)聽眾都已經(jīng)了解了GaN在開關(guān)速度方面的優(yōu)勢，及能從這些設(shè)備中獲得的利益。縮小功率級極具吸引力，而更高的帶寬則更是錦上添花。電力工程師已考慮在正在開發(fā)的解決方案中使用GaN這一材料。既然如此
2022-11-16 08:05:34
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài)，對GaN 調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
更多是數(shù)字電源控制已準備好迎接GaN。因此，隨著GaN繼續(xù)開發(fā)，并應(yīng)用于高密度和高性能電源解決方案，我們不必等待開發(fā)控制器時要借助GaN帶給行業(yè)的優(yōu)勢。因此，這就是“準備就緒”的含義：它是指“現(xiàn)在就開始
2018-08-30 15:05:41
提供多個控制環(huán)路和保護電路，而這些控制環(huán)路與保護電路能夠管理所有GaN的缺陷和不足。對我而言，“GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制做好準備”大體涵蓋了上面提到的內(nèi)容，此外，這句話也意味著數(shù)字電源也為GaN
2018-09-06 15:31:50
、醫(yī)療和汽車等方面的射頻能量應(yīng)用。最近，就磁控管作為加熱源而言，固態(tài)器件的出現(xiàn)為之提供了一種可行的替代、提高技術(shù)，它具有幾個關(guān)鍵性的優(yōu)勢：更長的使用壽命、增強了可靠性、可精確控制射頻功率水平及其投射方向
2017-04-05 10:50:35
系統(tǒng)成本上的優(yōu)勢將能越來越多地可以抵消GaN器件所需增加的額外成本。隨著GaN器件的可靠性和在服務(wù)成本上節(jié)省效應(yīng)變得越來越令人信服，我們預(yù)計它的初始推動力將主要來自于高端工業(yè)、商業(yè)的烹飪和解凍市場。當
2017-04-17 18:19:05
對整體射頻能量系統(tǒng)效率的推薦值為60%。人們普遍認為，GaN器件是能夠?qū)崿F(xiàn)這一目標的唯一途徑，中國目前正在考慮采用將其作為能源效率的標準，這將是個相當重要的決定，因為中國制造的微波爐已約占世界總產(chǎn)量
2017-04-18 15:02:44
效率、緊湊尺寸和可靠性等方面取得恰當?shù)钠胶猓趦r格上能與 LDMOS器件相媲美，才能進入到主流的市場應(yīng)用中。固態(tài)器件的優(yōu)勢MACOM公司的硅上GaN 技術(shù)是所有這些射頻能量應(yīng)用的理想選擇，它能
2017-05-01 15:47:21
上要優(yōu)于傳統(tǒng)的磁控管，包括在烹調(diào)過程中能對爐內(nèi)的射頻功率電平和射頻能量投射方向進行更高的精度的控制。而今的微波爐對其功率電平或射頻能量的投射方向缺乏必要的有效控制能力，這將導(dǎo)致產(chǎn)生過度加熱部位和過度烹飪的結(jié)果。那么大家知道GaN是如何轉(zhuǎn)換射頻能量的？如何在烹飪中的應(yīng)用的嗎？
2019-07-31 06:04:54
`網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導(dǎo)雷達等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件，這使得市場對于射頻氮化鎵（GaN）器件的需求不斷升溫。舉個例子，現(xiàn)在的無線基站里面，已經(jīng)開始用氮化鎵器件取代硅基射頻器件，在
2016-08-30 16:39:28
Zhang則表示：“與之前的半導(dǎo)體工藝相比，GaN的優(yōu)勢在更高的功率密度及更高的截止頻率。在5G高集成的Massive MIMO應(yīng)用中，它可實現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應(yīng)用上，GaN
2019-12-20 16:51:12
下降沿電流檢測同相與腿分流器在用于電機驅(qū)動的逆變器中使用分立式 eGaN FET 或 GaN ePowerTM 級 IC 時，通常將同相電流分流器與隔離（功能或電流）IC 一起使用，以提取分流電阻器上
2022-03-25 11:02:29
和高頻場效應(yīng)晶體管(FET)。WBG 材料以其優(yōu)異的電學特性，如 GaN 和碳化硅(SiC) ，克服了硅基高頻電子器件的局限性。更重要的是，WBG 半導(dǎo)體可用于可擴展的汽車電氣系統(tǒng)和電動汽車(電動汽車
2022-06-15 11:43:25
GaN為5G sub-6GHz大規(guī)模MIMO基站應(yīng)用提供的優(yōu)勢LDMOS的優(yōu)勢是什么如何選擇正確的晶體管技術(shù)
2021-03-09 07:52:21
MACOM六十多年的技術(shù)傳承，運用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù)，提供標準和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
：“ST的晶圓制造規(guī)模和卓越的運營能力將讓MACOM和ST能夠推動新的射頻功率應(yīng)用，在制造成本上取得的突破有助于擴大硅上氮化鎵市場份額。雖然擴大現(xiàn)有射頻應(yīng)用的機會很有吸引力，但是我們更想將硅上氮化鎵用于
2018-02-12 15:11:38
系統(tǒng)等各種應(yīng)用之中。商業(yè)OEM將固態(tài)射頻能量作為高效、精確的能源，可使未來幾代產(chǎn)品實現(xiàn)全新的性能水平和承受能力。 MACOM全新射頻能量工具包優(yōu)勢解析MACOM的全新射頻能量工具包（測試版）現(xiàn)已推出
2017-08-03 10:11:14
意味著基于GaN的功率放大器（PA）芯片需求將出現(xiàn)飛躍增長。從2G、3G到4G時代，智能手機支持的制式越來越多，射頻前端走向集成化已成為必然。因為智能手機對 2G、3G 和 4G 模式的支持，需要
2017-07-18 16:38:20
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
TGS2351-SM是Qorvo（原TriQuint）推出的一款采用氮化鎵（GaN）技術(shù)制造的單刀雙擲（SPDT）射頻開關(guān)芯片，具備高頻、高功率處理能力及快速切換特性，廣泛應(yīng)用于雷達、通信系統(tǒng)等射頻
2025-11-28 09:59:47
的地方找到用武之地。因為它能夠在保持或提升效率的同時，使電源更小巧。目前，GaN正被設(shè)計用于電子電源中，電子電源將電力在交流和直流形式間進行轉(zhuǎn)換，改變電壓電平，并執(zhí)行一定的功能來確保潔凈電能的可用性
2018-09-11 14:04:25
設(shè)計的生態(tài)系統(tǒng)。GaN將在電源密集的地方找到用武之地。因為它能夠在保持或提升效率的同時，使電源更小巧。目前，GaN正被設(shè)計用于電子電源中，電子電源將電力在交流和直流形式間進行轉(zhuǎn)換，改變電壓電平，并執(zhí)行一定的功能
2018-09-10 15:02:53
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
方形，通過兩個晶格常數(shù)（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
的某些特性。在汽車中，飛行時間（TOF）通常用于確定范圍。LIDAR的精度和分辨率取決于各種因素，包括開關(guān)頻率和激光信號的清晰度。短脈沖激光是皮質(zhì)的，以確保眼睛安全。LMG1020 GaN激光驅(qū)動器演示
2019-11-11 15:48:09
目睹GaN 在4G 基站方面的優(yōu)勢，在這一領(lǐng)域中，GaN 已經(jīng)開始替代硅LDMOS。對于5G 來說，GaN 在高頻范圍內(nèi)工作的能力有助于其從基站演變至小型蜂窩應(yīng)用，從而進入移動設(shè)備。越過基礎(chǔ)設(shè)施：將
2017-07-28 19:38:38
作為高性能射頻解決方案提供商，飛思卡爾射頻部門遍布世界各地。廣泛的器件適用范圍、領(lǐng)先的封裝、能夠同時提供LDMOS、GaN和GaAs器件是其射頻產(chǎn)品的主要優(yōu)勢。
2019-08-28 06:09:03
可控的熱源和功率源所具有的諸多優(yōu)勢，該技術(shù)有著不可估量的市場機會，不僅能夠改善現(xiàn)有的射頻能量應(yīng)用，而且有助于開發(fā)新的能量應(yīng)用。固態(tài)射頻能量可廣泛應(yīng)用于微波爐、汽車點火、照明系統(tǒng)，以及包括射頻等離子照明
2018-08-21 10:57:30
MOSFET相比，GaN的優(yōu)勢包括：低輸入和輸出電容，減少開關(guān)損耗，實現(xiàn)更快的開關(guān)頻率。接近0的反向恢復(fù)電荷，無反向恢復(fù)損耗，降低D類逆變器/放大器的損耗。由于較低的柵極-漏極電容，大大降低了開關(guān)損耗
2019-07-29 04:45:02
。這些優(yōu)勢正是當下高功耗高密度系統(tǒng)、服務(wù)器和計算機所需要的，可以說專家所預(yù)測的拐點已經(jīng)到來！時下，多個廠商正在大量的生產(chǎn)GaN器件，這些GaN器件正在被應(yīng)用于工業(yè)、商業(yè)甚至要求極為嚴格的汽車領(lǐng)域的電力
2019-06-21 08:27:30
和存儲也需要功率變換，因此GaN的效率優(yōu)勢可發(fā)揮關(guān)鍵性作用。在可再生能源規(guī)劃中，通常是采用智能電網(wǎng)的方式存儲能源。如果可以在風力渦輪機靜止時或太陽能帆板不再吸收陽光時，更高效地將電能轉(zhuǎn)入和轉(zhuǎn)出大儲量
2019-03-01 09:52:45
參數(shù)（也稱為S參數(shù)）應(yīng)用于直接射頻采樣結(jié)構(gòu)的設(shè)計。 起決定性作用的S參數(shù) S參數(shù)就是建立在入射微波與反射微波關(guān)系基礎(chǔ)上的網(wǎng)絡(luò)參數(shù)。它對于電路設(shè)計非常有用，因為可以利用入射波與反射波的比率來計算諸如
2022-11-10 06:40:21
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因為頻率越高，氮化鎵的優(yōu)勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
的功效，可以減少運營商的巨額電費，減輕散熱問題。為了更加詳細地探討這些優(yōu)勢，我將討論 GaN on SiC在無線網(wǎng)絡(luò)演進的各個階段可能發(fā)揮的作用，先從載波聚合開始，然后是4.5G，最后為5G。 近期
2018-12-05 15:18:26
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程，接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
廣泛應(yīng)用于商業(yè)、工業(yè)和醫(yī)療領(lǐng)域的射頻能源應(yīng)用，這預(yù)示著激動人心的變化，這些變化將影響到我們所有人，甚至可能延長我們的生命。當我們與合作伙伴和客戶合作以將這些變革性技術(shù)引入主流時，請務(wù)必及時了解
2017-12-27 10:48:11
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優(yōu)勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
應(yīng)用市場，GaN器件的市場份額將逐漸提高。長期來看，在宏基站和回傳領(lǐng)域，憑借高頻高功率的性能優(yōu)勢，GaN將逐漸取代LDMOS和GaAs從而占據(jù)主導(dǎo)位置；在射頻能量領(lǐng)域，LDMOS憑借高功率低成本優(yōu)勢
2019-04-13 22:28:48
請問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
建模角度來看，所有Modelithics Qorvo GaN 模型都內(nèi)置環(huán)境溫度和自熱效應(yīng)。某些模型還具有通道溫度感應(yīng)節(jié)點，允許設(shè)計人員在射頻設(shè)計階段監(jiān)測預(yù)估的通道溫度。
2018-08-04 14:55:07
以前，GaN還是反射頻電子戰(zhàn)(CREW)應(yīng)用的首選技術(shù)；
現(xiàn)在，GaN已被部署到機載電子戰(zhàn)領(lǐng)域；
未來，GaN將會越來越多的用于工作在毫米波頻率的系統(tǒng)。
2017-09-18 06:55:008512 氮 化鎵（GaN）這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵（GaAs）和LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體）器件變成昨日黃花？看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會
2017-11-09 11:19:40
2 鎵(Ga)是一種化學元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品。 GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。GaN-on-SiC在射頻應(yīng)用中
2017-11-22 10:41:029988 隨著氮化鎵（GaN）技術(shù)在射頻（RF）中的應(yīng)用逐漸增多以及LTE基站在中國的廣泛部署，射頻氮化鎵的市場規(guī)模在2015年增長將近50%。
2018-04-23 11:53:001608 GaN產(chǎn)品應(yīng)用于可靠和高密度電源的設(shè)計
2018-08-16 00:55:003954 典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。
2018-10-26 17:33:0611886 本次會議將介紹恩智浦用差異化的GaN技術(shù)，推出的面向蜂窩通訊頻段高功率產(chǎn)品應(yīng)用（包括全蜂窩通訊頻段射頻功率產(chǎn)品組合）。
2019-01-09 07:26:003763 
雖然采用LED用于外部汽車應(yīng)用的最明顯優(yōu)勢之一是設(shè)計靈活性所帶來的美學吸引力，但該技術(shù)帶來了許多更基本的優(yōu)勢：增強的安全性，更高的可靠性和更低的總體成本。然而，已經(jīng)并且將繼續(xù)存在許多需要克服的設(shè)計挑戰(zhàn)。
2019-02-19 08:50:003049 目前射頻前端元器件基本均由半導(dǎo)體工藝制備，如手機端的功率放大器（PA）和低噪聲放大器（LNA）主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻（RF）開關(guān)主要基于CMOS、Si、GaAs
2019-02-14 10:49:382043 自從20年前第一批商用產(chǎn)品問世，GaN在射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域已成為LDMOS和GaAs的重要競爭對手，并且，正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件幾乎同時
2019-05-09 10:25:185447 
安森美半導(dǎo)體提供各種器件用于這些網(wǎng)絡(luò)基站的射頻（RF）前端，如用于氮化鎵(GaN)系統(tǒng)的NLHV4157N，通過GaN晶體管與接地點之間的負電壓和信號交換放電。
2019-07-10 08:56:517796 
對于電容參數(shù)的描述，ASM GaN 是應(yīng)用場效應(yīng)板來解決的。當然，模型開發(fā)出來后，需要和真正的器件進行對比，比如用于PA和功率轉(zhuǎn)換等。
2019-09-08 09:44:437611 
根據(jù)分析機構(gòu) Yole 的數(shù)據(jù)顯示，英特爾和 Macom 在射頻的GaN-on-Si 專利領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。
2020-03-01 19:45:153317 知名市場分析機構(gòu) Yole Développement（Yole）在其報告中表示，在過去的幾年中，射頻（RF）應(yīng)用由于 GaN 技術(shù)的實施而得到了推動。但 GaN RF 市場的主要驅(qū)動力仍然是電信
2020-09-17 17:10:301422 
GaN在基站中的應(yīng)用比例持續(xù)擴大，市場增速可觀。預(yù)計2022年全球4G／5G基站市場規(guī)模將達到16億美元，值得關(guān)注的是，用于5G毫米波頻段的射頻前端模塊年復(fù)合增長率將達到119％，用于
2020-12-21 13:54:242253 IR-HiRel氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容
2021-08-27 11:40:033330 ，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢（TrendForce）指出，因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升，預(yù)期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領(lǐng)域營收
2021-05-03 16:18:0013732 
氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙材料，在高功率射頻 (RF) 應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
2021-07-05 14:46:504235 
GaN是一種III／V直接帶隙半導(dǎo)體，通常用于微波射頻、電力電子和光電子三大領(lǐng)域。受電信基礎(chǔ)設(shè)施和國防兩個方向應(yīng)用推動，加上衛(wèi)星通信、有線寬帶和射頻功率的需求增長
2022-04-18 11:10:143168 
作者研究了四個商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內(nèi)的性能。據(jù)作者介紹，正如原始文章中所報道的，所有測試的器件都可以在低溫下成功運行，性能整體有所提高。然而，不同的 GaN HEMT 技術(shù)意味著器件柵極控制的顯著變化。
2022-07-25 09:20:281840 
除了可以被視為利基領(lǐng)域的航空航天和國防之外，GaN在電信市場中也占有重要地位，其中高功率密度、開關(guān)頻率和效率（結(jié)合小尺寸）是強制性要求。
2022-07-29 16:06:071029 ) 和氮化鎵 (GaN)。在這些潛在材料中，GaN 或氮化鎵正變得被廣泛認可和首選。這是因為 GaN 晶體管與材料對應(yīng)物相比具有多個優(yōu)勢。
2022-07-29 15:00:302352 傳統(tǒng)的 AC-in 架構(gòu)，GaN 可用于高頻軟開關(guān)拓撲。對于功率因數(shù)校正 (PFC) 級，傳統(tǒng)的硬開關(guān)、低頻 (47 kHz) 升壓升級為軟開關(guān) MHz“圖騰柱”，DC-DC 級也以類似方式升級。圖 1
2022-08-04 09:35:211422 
，經(jīng)過一系列的濾波，放大等復(fù)雜信號處理和分析，根據(jù)回波信號的時延、多普勒頻移、到達角和幅度，判斷目標物的姿態(tài)、距離、速度和方位角等信息，從而用于搭載設(shè)施偵察、制導(dǎo)、火控等功能。
2023-02-02 17:32:331649 GaN是第三代半導(dǎo)體材料，具有許多傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體所不具備的優(yōu)良特性，因此被視為新一代半導(dǎo)體技術(shù)，具有非常廣闊的應(yīng)用前景。隨著 GaN功率器件技術(shù)的成熟， GaN功率器件已廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、通訊基站
2023-04-21 14:05:421816 由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:216120 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:092068 
GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因為我們離不開電源。
2023-11-02 10:32:047724 
GaN為何物？應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢？ GaN, 全名氮化鎵（Gallium Nitride），是一種半導(dǎo)體材料，被廣泛用于新一代電力電子設(shè)備中。相比傳統(tǒng)的硅
2023-11-07 10:21:411050 。由于這些優(yōu)勢，GaN HEMT在射頻功率放大器、微波通信、雷達、衛(wèi)星通信和電源應(yīng)用等領(lǐng)域被廣泛采用。 然而，GaN HEMT也存在一些限制，其中一個是它不能作為低壓器件使用。下面將詳細探討為什么GaN HEMT不能做成低壓器件，以及該限制的原因。 首先，為了明
2023-12-07 17:27:201913 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在微型逆變器上使用TI GaN的優(yōu)勢.pdf》資料免費下載
2024-09-04 09:37:490 過程中顯示出了獨特的優(yōu)勢。 一、射頻焊接的原理 射頻焊接是一種利用射頻能量來熔化塑料或其他材料的焊接技術(shù)。在醫(yī)療領(lǐng)域，這種技術(shù)主要用于制造一次性使用的醫(yī)療器械，如注射器、血袋、導(dǎo)管等。射頻焊接的原理基于電磁感應(yīng)加熱
2024-12-03 09:53:471595 自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項關(guān)鍵優(yōu)勢，GaN 被廣泛認為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 14:56:442577 
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