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場效應(yīng)管（簡寫為FET）主要有結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）兩大類。場效應(yīng)管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。場效應(yīng)管是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。
以下提供的是一款JFET緩沖區(qū)（共漏放大器），在日常使用中很有用，因為與晶體管相比它具有非常高的輸入阻抗。
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Equations: IDS= IDSS(1-VGS/Vp)2 RS= VRS/IDS VGS 稱為門極-源極間遮斷電壓或者截止電壓,用VGS (off)示。n溝道JFET的情況則VGS (off) 值帶有負的符號,測量實際的JFET對應(yīng)ID =0的VGS 因為很困難,在放大器使用的小信號JFET時,將達到ID =0.1-10μA 的VGS 定義為VGS (off) 的情況多些。 |
