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芯片散熱面積計(jì)算 | 散熱片有效面積與溫升系數(shù)的換算與轉(zhuǎn)換

該工具提供芯片散熱面積和溫升系數(shù)相互轉(zhuǎn)換。

根據(jù)散熱片有效面積(平方厘米)估算溫升系數(shù)(攝氏度/瓦)

公式: ℃/W = 50 / Sqrt(Area cm2 )

Area[A] (cm2)
有效面積
℃/W ( 溫升系數(shù))

根據(jù)已知溫升計(jì)算散熱片的最小有效散熱片面積

公式: Area [A](cm2) = (50/(℃/W) )2

℃/W (溫升系數(shù))
有效面積
Area[A] (cm2)
一,熱阻

    硅材料:硅具有優(yōu)良的半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)。禁帶寬度適中,為1.21電子伏。載流子遷移率較高,電子遷移率為1350平方厘米/伏 .秒,空穴遷移率為480平方厘米/伏 .秒。本征電阻率在室溫(300K)下高達(dá)2.3×10的5次方 歐 .厘米,摻雜後電阻率可控制在10的4次方~10的負(fù)4次方 歐 .厘米的寬廣范圍內(nèi),能滿足制造各種器件的需要。硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命較長(zhǎng),在幾十微秒至1毫秒之間。熱導(dǎo)率較大,化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,又易于形成穩(wěn)定的熱氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜實(shí)現(xiàn)PN結(jié)表面鈍化和保護(hù),還可以形成金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),制造MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路。上述性質(zhì)使PN結(jié)具有良好特性,使硅器件具有耐高壓,反向漏電流小,效率高,使用壽命長(zhǎng),可靠性好,熱傳導(dǎo)好等優(yōu)點(diǎn)。

    在電腦中我們經(jīng)??吹組OS器件,那么什么是MOS器件呢?

    MOS的全文是:Metal Oxide Semiconductor 金屬氧化物半導(dǎo)體。用氧化膜硅材料制作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,就叫做MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,既:金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

    在冬季,當(dāng)我們把手放在一塊木板和放在一塊鐵板上時(shí),就會(huì)感覺(jué)到鐵板比木板涼,鐵板越大,接觸的越緊,越感到?jīng)?。這說(shuō)明鐵板比木板的散熱能力好,而且散熱能力與面積,體積,幾何形狀,以及接觸面的緊密程度都有關(guān)系。

    在電腦工作時(shí),芯片晶體管PN結(jié)的損耗(任何集成電路芯片都是由N個(gè)晶體管組成)產(chǎn)生了溫升Ti,它是通過(guò)管芯與外殼之間的熱阻Rri,無(wú)散熱片時(shí)元件外殼和周圍環(huán)境之間的熱阻Rrb,元件與散熱片之間的熱阻Rrc和散熱片與周圍環(huán)境之間的熱阻Rrf這四種渠道將熱量傳走,使溫差能夠符合元件正常運(yùn)行的要求。

   由于熱的傳導(dǎo)以流過(guò)Rri,Rrc和Rrf三個(gè)熱阻為主,因此總熱阻Rrz可以用下式來(lái)表示:

   Rrz=Rri+Rrc+Rrf

    于是當(dāng)芯片的允許溫升和功耗都已經(jīng)確定了以后,即可定出需要的總熱阻Rrz,再?gòu)南率街袥Q定散熱器的尺寸,這就是我要介紹熱阻的目的和它的應(yīng)用。

    熱阻Rr是從芯片的管芯經(jīng)外殼,接觸面,散熱片到周圍空氣的總熱阻Rrz,因此可有下式計(jì)算得知。

    Ti-Ta=Pc(Rti+Rrc+Rrf)=Pc Rrz

    Rrz=(Ti-Ta)/Pc

    式中:Ti芯片允許的結(jié)溫,Ta芯片環(huán)境周圍的空氣溫度,Pc芯片的熱源功率損耗

二,熱導(dǎo)系數(shù)

    熱導(dǎo)系數(shù)(又被稱作“導(dǎo)熱系數(shù)”或“導(dǎo)熱率”)是反映材料熱性能的重要物理量。熱傳導(dǎo)是熱交換的三種(熱傳導(dǎo),對(duì)流和輻射)基本形式之一,是工程熱物理,材料科學(xué),固態(tài)物理,能源,環(huán)保等各個(gè)研究領(lǐng)域的課題。材料的導(dǎo)熱機(jī)理在很大程度上取決于它的微觀結(jié)構(gòu),熱量的傳遞依靠原子,分子圍繞平衡位置的振動(dòng)以及自由電子的遷移。在導(dǎo)電金屬中電子流起支配作用,在絕緣體和大部分半導(dǎo)體中則以晶格振動(dòng)起主導(dǎo)作用。

    1882年法國(guó)科學(xué)家傅里葉(J.Fourier)建立了熱傳導(dǎo)理論,目前各種測(cè)量導(dǎo)熱系數(shù)的方法都是建立在傅里葉熱傳導(dǎo)定律的基礎(chǔ)上。當(dāng)物體內(nèi)部有溫度梯度存在時(shí),就有熱量從高溫處傳遞到低溫處,這種現(xiàn)象臂稱為熱傳導(dǎo)。傅里葉指出,在dt時(shí)間內(nèi)通過(guò)ds面積的熱量dQ,正比于物體內(nèi)的溫度梯度,其比例系數(shù)時(shí)導(dǎo)熱系數(shù),既:

              dQ/dt=-λ .dt/dx .ds

    式中dQ/dt為傳熱速率,dt/dx是與面積ds相垂直的方向上的溫度梯度,“-”號(hào)表示熱量由高溫區(qū)域傳向低溫區(qū)域,λ是熱導(dǎo)系數(shù),表示物體導(dǎo)熱能力的大小。在式中λ的單位是W.m負(fù)1次方.K負(fù)1次方。

    對(duì)于各向異性材料,各個(gè)方向的導(dǎo)熱系數(shù)是不同的(常用張量來(lái)表示)。

    如果大家對(duì)上述的公式看不懂或不太明白(上述屬于大學(xué)高等物理課程),下面我用通俗的語(yǔ)言表述熱導(dǎo)系數(shù)。

    熱導(dǎo)系數(shù)又稱導(dǎo)熱系數(shù)或?qū)崧?。表征物質(zhì)熱傳導(dǎo)性能的物理量。設(shè)在物體內(nèi)部垂直于導(dǎo)熱方向取兩個(gè)相距1米,面積為1平方米的平行面,而這兩個(gè)平面的溫度相差1度,則在1秒內(nèi)從一個(gè)平面?zhèn)鲗?dǎo)到另一平面的熱量就規(guī)定為該物質(zhì)的熱導(dǎo)率。其單位為:瓦/(米.攝氏度),原工程單位制中則為:千卡/(米.小時(shí).攝氏度),熱導(dǎo)率的倒數(shù)稱為導(dǎo)熱熱阻。其它條件不變時(shí),熱導(dǎo)率愈大導(dǎo)熱熱阻就愈小,則導(dǎo)熱量就愈大;反之則導(dǎo)熱量就愈小。

    通過(guò)上述公式和定義可知:芯片散熱方式是靠與芯片接觸的基板(銅材或鋁材)面積與機(jī)箱內(nèi)的溫差通過(guò)箱內(nèi)的空氣流散熱的,這種散熱量與基板面積成正比。當(dāng)機(jī)箱內(nèi)溫度達(dá)到一定時(shí),也就失去了散熱能力。要想把芯片散發(fā)出的熱量排走,在常規(guī)下只能用強(qiáng)風(fēng)。所以無(wú)風(fēng)扇靜音熱管的散熱方式,是不可取的。

   另外根據(jù)空氣動(dòng)力學(xué)原理(就不列公式了),機(jī)箱風(fēng)扇的安裝,風(fēng)向必須一致,既:前入后出,形成一個(gè)風(fēng)道,才能將箱體內(nèi)的熱量帶走,起到散熱的目的。


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