音響中英文名詞對(duì)照表大全

PCB板常用名詞解釋（初學(xué)者必知，老手也得知）1、“層(Layer) ”的概念     與字處理或其它許多軟件中為實(shí)現(xiàn)圖、文、色彩等的嵌套與合成

場(chǎng)景：工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)名詞解釋：PLC單片機(jī)，每一個(gè)單片機(jī)都有一堆寄存器。RS485串口，與RS232差不多，都是串口的交互（具體百度吧，電氣啥的稍微有點(diǎn)差別）。MODBUS是工業(yè)通信協(xié)議，具體百度下吧

處于充滿的狀態(tài)；當(dāng)市電故障或是中斷時(shí)，UPS開(kāi)啟蓄電池供電模式，直到蓄電池放電中止或是市電正常時(shí)恢復(fù)到市電工作模式，而后開(kāi)始給蓄電池進(jìn)行恢復(fù)充電。UPS電源*相關(guān)UPS不間斷電源名詞解釋：1.W

（一）域：是USB數(shù)據(jù)最小的單位，由若干位組成（至于是多少位由具體的域決定），域可分為七個(gè)類型：1、同步域（SYNC），八位，值固定為0000 0001，用于本地時(shí)鐘與輸入同步2、標(biāo)識(shí)域（PID），由四位標(biāo)識(shí)符+四位標(biāo)識(shí)符反碼構(gòu)成，表明包的類型和格式，這是一個(gè)很重要的部分，這里可以計(jì)算出，USB的標(biāo)識(shí)碼有16種，具體分類請(qǐng)看問(wèn)題五。3、地址域（ADDR）：七位地址，代表了設(shè)備在主機(jī)上的地址，地址000 0000被命名為零地址，是任何一個(gè)設(shè)備第一次連接到主機(jī)時(shí)，在被主機(jī)配置、枚舉前的默認(rèn)地址，由此可以知道為什么一個(gè)USB主機(jī)只能接127個(gè)設(shè)備的原因。4、端點(diǎn)域（ENDP），四位，由此可知一個(gè)USB設(shè)備有的端點(diǎn)數(shù)量最大為16個(gè)。5、幀號(hào)域（FRAM），11位，每一個(gè)幀都有一個(gè)特定的幀號(hào)，幀號(hào)域最大容量0x800，對(duì)于同步傳輸有重要意義（同步傳輸為四種傳輸類型之一，請(qǐng)看下面）。6、數(shù)據(jù)域（DATA）：長(zhǎng)度為0~1023字節(jié)，在不同的傳輸類型中，數(shù)據(jù)域的長(zhǎng)度各不相同，但必須為整數(shù)個(gè)字節(jié)的長(zhǎng)度7、校驗(yàn)域（CRC）：對(duì)令牌包和數(shù)據(jù)包（對(duì)于包的分類請(qǐng)看下面）中非PID域進(jìn)行校驗(yàn)的一種方法，CRC校驗(yàn)在通訊中應(yīng)用很泛，是一種很好的校驗(yàn)方法，至于具體的校驗(yàn)方法這里就不多說(shuō)，請(qǐng)查閱相關(guān)資料，只須注意CRC碼的除法是模2運(yùn)算，不同于10進(jìn)制中的除法。（二）包：由域構(gòu)成的包有四種類型，分別是令牌包、數(shù)據(jù)包、握手包和特殊包，前面三種是重要的包，不同的包的域結(jié)構(gòu)不同，介紹如下1、令牌包：可分為輸入包、輸出包、設(shè)置包和幀起始包（注意這里的輸入包是用于設(shè)置輸入命令的，輸出包是用來(lái)設(shè)置輸出命令的，而不是放據(jù)數(shù)的）其中輸入包、輸出包和設(shè)置包的格式都是一樣的：SYNC+PID+ADDR+ENDP+CRC5（五位的校驗(yàn)碼）幀起始包的格式：SYNC+PID+11位FRAM+CRC5（五位的校驗(yàn)碼）2、數(shù)據(jù)包：分為DATA0包和DATA1包，當(dāng)USB發(fā)送數(shù)據(jù)的時(shí)候，當(dāng)一次發(fā)送的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度大于相應(yīng)端點(diǎn)的容量時(shí)，就需要把數(shù)據(jù)包分為好幾個(gè)包，分批發(fā)送，DATA0包和DATA1包交替發(fā)送，即如果第一個(gè)數(shù)據(jù)包是 DATA0，那第二個(gè)數(shù)據(jù)包就是DATA1。但也有例外情況，在同步傳輸中（四類傳輸類型中之一），所有的數(shù)據(jù)包都是為DATA0，格式如下：SYNC+PID+0~1023字節(jié)+CRC163、握手包：結(jié)構(gòu)最為簡(jiǎn)單的包，格式如下SYNC+PID

184) Short Channel Effect短通道效應(yīng)當(dāng)MOS組件愈小，信道的長(zhǎng)度將隨之縮短，電晶體的操作速度將加快，但是，MOS電晶體的通道長(zhǎng)度并不能無(wú)限制縮減，當(dāng)長(zhǎng)度縮短到一定的程度之后，各種因通道長(zhǎng)度變小所衍生的問(wèn)題便會(huì)發(fā)生，這個(gè)現(xiàn)象稱為“短通道效應(yīng)”。185)Selectivity選擇性兩種材抖，分別以相同的酸液或電漿作蝕刻其兩蝕刻率的比值，謂之:例如，復(fù)晶電漿蝕：對(duì)復(fù)晶的蝕刻率為2OO0? /min (分)對(duì)氧化層的蝕刻率為20O? /min (分)則復(fù)晶對(duì)氧化層的選擇性:S20OO ?/minS= ＝10 2OO ?/min 選擇性愈高表示蝕刻特性愈好，一般干式蝕刻選擇性較化學(xué)濕蝕刻為差，吾人取較高的選擇性的目的即在于電漿蝕刻專心蝕刻該蝕刻的氧化層，而不會(huì)傷害到上層光阻或下層氧化層，以確保蝕刻的完整性。 186) Silicide硅化物 一般稱為硅化物 (Silicide)，指耐火金屬 (Refratory Metal)的硅化物，如鈦(Ti)、鎢(W)、鉬 (Mo)等元素硅(Si)結(jié)合而成的化合物 (TiSi2、WSi2、MoSi2)。硅化物應(yīng)用在組件的目的，主要為降低金屬與硅界面、閘極或晶體管串連的阻抗，以增加組件的性能。以鈦的硅化物為例，其制造流程如下所示：[/td][td][/td]187) Silicide金屬硅化物"Silicide"通常指金屬硅化物，為金屬輿硅的化合物。在微電子工業(yè)硅晶集成電路中主要用為： (1) 導(dǎo)體接觸(Ohmic Contact)(2) 單向能阻接觸(Schottky Barrier Contact) (3) 低阻閘極(Gate Electrode)(4) 組件間通路(Interconnect) 在VLSI(超大型積逞電路)時(shí)代中，接面深度及界面接觸面積分別降至次微米及1-2平方毫米。以往廣泛應(yīng)用為金屬接觸的Al，由于嚴(yán)重的穿入半導(dǎo)靠問(wèn)題，在VLSI中不再適用。再加上其它技術(shù)及應(yīng)用上的需求，金屬硅化物在集成電路工業(yè)上日益受重視。 用于集成電路中的金屬硅化物限于近貴重(Pt，Pd，Co， Ni，…)及高溫金屬(Ti，W，Mo，Ta)硅化物。188) Silicon硅硅--SI (全各SILICON)為自然界元素的一種，亦即我們使用的硅芯片組成元素，在元素周期表中排行14，原子量28.09，以結(jié)晶狀態(tài)存在(重復(fù)性單位細(xì)胞組成)，每一單位細(xì)胞為田一個(gè)硅原子在中心，與其它4個(gè)等位硅原子所組成的四面體(稱為鉆石結(jié)構(gòu))如圖標(biāo)中心原子以其4個(gè)外圍共價(jià)電子與鄰近的原子其原形或其價(jià)鍵的結(jié)合。硅元素的電子傳導(dǎo)特性介于金屬導(dǎo)體與絕緣體材料的間(故稱半導(dǎo)體材料)，人類可經(jīng)由溫度的變化，能量的激發(fā)及雜質(zhì)滲入后改變其傳導(dǎo)特性，再配合了適當(dāng)?shù)闹瞥滩襟E，便產(chǎn)生許多重要的電子組件，運(yùn)用在人類的日常生活中。189) Silicon Nitride氮化硅氮化硅是SixNy的學(xué)名。這種材料跟二氧化硅有甚多相似處。氮化硅通常用低壓化學(xué)氣相沈積法或電漿化學(xué)氣相沉積法所生成。前者所得的薄膜品質(zhì)較佳，通常作IC隔離氧化技術(shù)中的阻隔層，而后者品質(zhì)稍差，但因其沉積時(shí)溫度甚低，可以作IC完成主結(jié)構(gòu)后的保護(hù)層。190) Silicon Dioxide二氧化硅即SiO2，熱氧化生成的二氧化硅其特性是a) 無(wú)定型結(jié)構(gòu)b) 很容易與硅反應(yīng)得到c) 不容于水d) 好的絕緣性e) SiO2/Si界面態(tài)電荷低通過(guò)不同方式制得的二氧化硅在IC制程中的應(yīng)用：l緩沖層（buffer layer）l隔離層（isolation)l幕罩層（masking layer）l介電材料（dielectric）l保護(hù)層（passivation）191) SOI(Silicon On Insulator)絕緣層上有硅 SOI“絕緣層上有硅”是指將一薄層硅置于一絕緣襯底上。晶體管將在稱之為"SOI" 的薄層硅上制備?；赟OI結(jié)構(gòu)上的器件將在本質(zhì)上可以減小結(jié)電容和漏電流，提高開(kāi)關(guān)速度，降低功耗，實(shí)現(xiàn)高速、低功耗運(yùn)行。作為下一代硅基集成電路技術(shù)，SOI廣泛應(yīng)用于微電子的大多數(shù)領(lǐng)域，同時(shí)還在光電子、MEMS等其它領(lǐng)域得到應(yīng)用。 192) Siloxane硅氧烷硅氧烷是用來(lái)與含有Si-O網(wǎng)絡(luò)相溶的有機(jī)溶劑，本身含有有機(jī)類的官能基，如CH3和C6H5，是屬于有機(jī)性的SOG來(lái)源，這些官能基，可以幫助改善這種SOG層的抗裂能力。193) S.O.G.Spin on Glass旋涂式玻璃旋制氧化硅 (Spin on Glass)是利用旋制芯片，將含有硅化物的溶液均勻地平涂于芯片上，再利用加熱方式與溶劑驅(qū)離，并將固體硅化物硬化成穩(wěn)定的非晶相氧化硅。其簡(jiǎn)單流程如下:旋轉(zhuǎn)平涂→加熱燒烤→高溫硬化 (~450℃)旋制氧化硅是應(yīng)用在組件制造中，金屬層間的平坦化(Planization)，以增加層與層之間的接合特性，避免空洞的形成及膜的剝裂。其結(jié)構(gòu)如圖表示: 194) Solvent溶劑1兩種物質(zhì)相互溶解混合成一種均勻的物質(zhì)時(shí)，較少的物質(zhì)被稱為溶質(zhì)，較多的物質(zhì)，被稱為溶劑。例如:糖溶解于水中．變成糖水，則糖為溶質(zhì)，水為溶劑，混合的結(jié)果，稱為溶液。2 溶劑分有機(jī)溶劑與無(wú)機(jī)溶劑兩種:2-1有機(jī)溶劑:分子內(nèi)含有碳(C)原子的，稱為有機(jī)溶劑，例如:丙酮(CH3COCH3),IPA(CH3CHOHCH3)2-2無(wú)機(jī)溶劑:分子內(nèi)不含有碳(C)原子的稱為無(wú)機(jī)溶劑 例如:硫酸(H2SO4)，輕氟酸(HF)3 在FAB內(nèi)所通稱的溶劑，一般是指有機(jī)溶劑而言212) Source源極位于MOS電容器旁，電性與硅底材相反的半導(dǎo)體區(qū)，且在上加壓。213) Spacer間隙壁隔離閘極與其它兩個(gè)MOS電極，利用它與閘極所形成的結(jié)構(gòu)，來(lái)進(jìn)行S/D的重?fù)诫s。214) SPC （Statistical Process Control）統(tǒng)計(jì)，過(guò)程，控制英文的縮寫，是一種質(zhì)量管理方法。自制程中搜集資料，加以統(tǒng)計(jì)分析，并從分析中發(fā)覺(jué)異常原因，采取改正行動(dòng)，使制程恢復(fù)正常，保持穩(wěn)定，并持續(xù)不斷提升制程能力的方法。ü 因制程具有變異，故數(shù)據(jù)會(huì)有變異，而有不同的值出現(xiàn)穩(wěn)定時(shí)，其具有某種分配型態(tài)ü 制程為一無(wú)限母體，只能以抽樣方式，抽取少數(shù)的樣本，以推測(cè)制程母體的情況ü 故運(yùn)用 “統(tǒng)計(jì)手法” 作為制程分析、管制及改善 的工具。SPC的目的? 維持正常的制程 (Under Statistical Control) 事先做好應(yīng)該做的 (標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)) – ex：monitor，機(jī)臺(tái)操作程序 制程異常發(fā)生能偵測(cè)出，并除去之，防止其再發(fā)? 能力要足 (Capable Process) 能力指標(biāo)提升能力 – 持續(xù)改善 (廣義) 215) Specification(SPEC)規(guī)范是公司標(biāo)準(zhǔn)化最重要的項(xiàng)目之一，它規(guī)定了與生產(chǎn)有關(guān)事項(xiàng)的一切細(xì)節(jié)，包括機(jī)臺(tái)操作，潔凈室，設(shè)備及保養(yǎng)，材料，工具及配件，品管，可靠性，測(cè)試‥‥等等。 IC制造流程復(fù)雜，唯有把所有事項(xiàng)巨細(xì)靡遺的規(guī)范清楚，并確實(shí)執(zhí)行，才可能做好質(zhì)量管理。所有相關(guān)人員尤其是現(xiàn)場(chǎng)操作人員底隨時(shí)確實(shí)遵照規(guī)范執(zhí)行，檢討規(guī)范是否合理可行，相關(guān)規(guī)范是否有沖突，以達(dá)自主管理及全員參與標(biāo)準(zhǔn)化的目標(biāo)。216) Spike尖峰硅在400°C左右對(duì)鋁有一定的固態(tài)溶解度，因此沉積在硅表面上的鋁，當(dāng)制程有經(jīng)歷溫度約400°C以上的步驟時(shí)，Si因擴(kuò)散效應(yīng)而進(jìn)入鋁，且鋁也會(huì)回填Si因擴(kuò)散所遺留下來(lái)的空隙，而在鋁與硅底材進(jìn)行接觸的部分。217) Spike TC針型熱電偶218) Spin Dry旋干通過(guò)高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力把硅片表面水滴驅(qū)除219) SPM （Sulfuric acid , hydrogen-Peroxide Mixing）用于中CR clean，化學(xué)組成是H2SO4+H2O2(120℃)能去除嚴(yán)重有機(jī)污染H2SO4 + H2O2 → H2SO5 + H2OH2SO5 + PR → CO2 + H2O + H2SO4必須不斷補(bǔ)充H2O2220) Sputtering濺鍍，濺擊利用電漿所產(chǎn)生的離子，借著離子對(duì)被濺鍍物體電極的轟擊，使電漿的氣相（VaporPhase）內(nèi)具有被鍍物的原子或離子，到達(dá)芯片表面并進(jìn)行沉積。221) Standard Clean:標(biāo)準(zhǔn)清洗又叫RCA清洗。由SPM/APM/HPM組成，SPM為H2SO4和H2O2以4：1混合，APM為NH4OH和H2O2及D.I. WATER以1：1：5或0.5：1：5的比例混合，HPM為HCL和H2O2及D.I. Water以1：1：6的比例混合。標(biāo)準(zhǔn)清洗可以除去有機(jī)物、Particle和金屬粒子，使芯片表面達(dá)到比較潔凈的狀態(tài)。222) Step coverage階梯覆蓋能力表征薄膜沉積時(shí)對(duì)晶片表面上不同幾何結(jié)構(gòu)的覆蓋能力，簡(jiǎn)單地說(shuō)，即膜層均勻性。如下圖，當(dāng)對(duì)表面有階梯的晶片進(jìn)行膜層沉積時(shí)，因?yàn)槌练e角度不同等因素，導(dǎo)致洞口膜厚增加速率高于洞壁及洞底，這樣的話沉積的膜層將無(wú)法完全填入洞中，極有可能造成孔洞（void）.223) Stress應(yīng)力對(duì)固體物體所施與的外力或其本身所承受的內(nèi)力，稱為“應(yīng)力（stress）”.224) Substrate底材一般而言半導(dǎo)體中提及的Substrate就是指Wafer225) Target靶譯意為靶，一般用在金屬濺鍍(Sputtering) 也就是以某種材料，制造成各種形狀，用此靶，當(dāng)做金屬薄膜濺鍍的來(lái)源。226) TECN Temporary Engineering Change Notice臨時(shí)性制程變更通知臨時(shí)工程變更通知 (ECN)為工程師為了廣泛收集資料，或暫時(shí)解決制程問(wèn)題，而做的制程變更，此一臨時(shí)性的變更將注明有效期限，以利生產(chǎn)作業(yè)。227) Teflon 鐵氟隆聚四氟乙烯，一種耐酸耐腐蝕耐高溫的材料，我們使用的某些cassette、特殊管路等均是用此種材料制得。228) Tensile Stress拉伸應(yīng)力（參照192）因?yàn)闊崤蛎浵禂?shù)的不同，薄膜與底材產(chǎn)生了應(yīng)力。當(dāng)沉積薄膜的熱膨脹系數(shù)高于底材，冷卻后是薄膜承受了一個(gè)拉伸應(yīng)力。229) TEOS（Tetraethylorthosilicate）四乙基正硅酸鹽，含有硅與碳、氫與氧的有機(jī)硅源，化學(xué)分子式是Si(OC2H5)4，其沸點(diǎn)較高，常壓下約（169℃）。在CVD制程的應(yīng)用上， TEOS在足夠的溫度下TEOS進(jìn)行反應(yīng)而產(chǎn)生二氧化硅Si（OC2H5）4SiO2+4C2H4+2H2O目前制程此法用來(lái)做Spacer230) TCS三氯硅烷SiHCl3231) Thermal Expansion Coefficient 熱膨脹系數(shù)反映物質(zhì)受熱膨脹程度的特性。因溫度變化而引起物質(zhì)量度元素的變化。膨脹系數(shù)是膨脹－溫度曲線的斜率，瞬時(shí)膨脹系數(shù)是特定溫度下的斜率，兩個(gè)指定的溫度之間的平均斜率是平均熱膨脹系數(shù)。膨脹系數(shù)可以用體積或者是長(zhǎng)度表示，通常是用長(zhǎng)度表示。232) Thermocouple熱電偶測(cè)量溫度之用。有兩根不同材質(zhì)的探頭放入被測(cè)環(huán)境中，得到電壓值，再將電壓值轉(zhuǎn)變?yōu)闇囟戎怠?33) Thin Film薄膜234) Thin Film Deposition 薄膜沉積薄膜沉積形成的過(guò)程中，不消耗芯片或底材的材質(zhì)。薄膜沉積兩個(gè)主要的方向：①物理氣象沉積，及②化學(xué)氣象沉積。前者主要借著物理的現(xiàn)象，而后者主要是以化學(xué)反應(yīng)的方式，來(lái)進(jìn)行薄膜沉積。235) Thin Film Growth 薄膜成長(zhǎng)底材的表面材質(zhì)也是薄膜的形成部分元素之一，如：硅的氧化反應(yīng)（以形成二氧化硅，以做MOS組件的介電材料）便是。236) Threshold Voltage啟始電壓VT 當(dāng)我們?cè)贛OS晶體管的源極（Source）及汲極（Drain）加一個(gè)固定偏壓后，再開(kāi)始調(diào)整閘極（Gate）對(duì)基質(zhì)（Substrate）的電壓，當(dāng)閘極電壓超過(guò)某一個(gè)值之后，源極和汲極間就會(huì)產(chǎn)生電流而導(dǎo)通（Turn on），則我們就稱此時(shí)的閘極電壓稱為臨界電壓（Threshold Voltage）。*NMOS晶體管的臨界電壓相對(duì)于基質(zhì)為正。*PMOS晶體管的臨界電壓相對(duì)于基質(zhì)為負(fù)。一般在制程上我們會(huì)影響臨界電壓的因素主要有二： 閘極氧化層厚度：Gate Oxide越厚，則Vγ（絕對(duì)質(zhì)）越高。 基質(zhì)滲雜的濃度：Vγ植入Dose越高，則Vγ越高。237) Throttle Valve 節(jié)流閥節(jié)流閥主要是由一個(gè)旋轉(zhuǎn)式閥門及一個(gè)用來(lái)調(diào)整閥門位置的伺服馬達(dá)所構(gòu)成，因此只要輸入適合的電流，伺服馬達(dá)便會(huì)自動(dòng)調(diào)節(jié)閥門的位置來(lái)改變節(jié)流閥的傳導(dǎo)度，以控制真空系統(tǒng)的整體有效抽氣速率。238) Throughput產(chǎn)能生產(chǎn)能力，如日產(chǎn)能、月產(chǎn)能、年產(chǎn)能。Through Put為單位工時(shí)的產(chǎn)出量，例如某機(jī)器每小時(shí)生產(chǎn)100片，則稱其Through put = l00片/小時(shí)。如果每天運(yùn)作21小時(shí)，則每天的Through put為2100片/天。 IC工業(yè)系許多昂貴且精密的設(shè)備投資，故必須充分利用，維持生產(chǎn)的順暢，發(fā)揮其最大的效能。故高的Through put為我們?cè)u(píng)估機(jī)器設(shè)備的一項(xiàng)很重要的因素之一。除了設(shè)備上發(fā)揮其最大產(chǎn)能外，必須要配合人為的力量，如流程安排、故障排除、‥‥等，亦即必須"人機(jī)一體"才能發(fā)揮生產(chǎn)的整體效益，達(dá)到最高的生產(chǎn)力(Productivity)。239) Trichloroethane 三氯乙烷240) Trouble Shooting問(wèn)題解答在生產(chǎn)過(guò)程，因?yàn)?M，即設(shè)備、材料、人為、方法等，造成的一切問(wèn)題而阻礙生產(chǎn)。例如，機(jī)器Down機(jī)、制程異?！?。工程人員解決以上所發(fā)生的問(wèn)題，使這些"故障"消弭于無(wú)形謂之Trouble Shooting。241) Tungsten 鎢一種金屬。用以連接上下兩層金屬線的中間層，稱為“鎢插拔”。因?yàn)殒u的熔點(diǎn)高，熱膨脹系數(shù)又與硅相當(dāng)，再加上以CVD法所沉積的鎢的內(nèi)應(yīng)力并不高，且具備極佳的階梯覆蓋能力，以CVD法來(lái)沉積做為插拔用途的金屬鎢，以成為各VLSI量產(chǎn)廠商的標(biāo)準(zhǔn)制程之一。242) Ultra High Vacuum超高真空在超高真空條件下，單分子層容易形成，并能持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間，這就可以在一個(gè)表面尚未被氣體污染前，利用這段充分長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)研究其表面特性，如摩擦、黏附和發(fā)射等；另外，外層空間的能量傳輸和超高真空的能量傳輸相似，故超高真空可做空間模擬。真空度大于10-7Torr ，10-7~10-10 Torr的狀態(tài)。[td=311]真空度壓力低真空（Low Vacuum)760-1 torr中真空（Medium Vacuum)1- 10-3高真空（High Vacuum)10-3-10-7極高真空（Ultea High Vacuum)10-7~10-10 243) Ultrasonic Cleaning超音波清洗通過(guò)超音波原理進(jìn)行的清洗。超音波振蕩會(huì)產(chǎn)生氣泡和紊流，氣泡通過(guò)轟擊爆破將Paticle帶走，紊流直接將Paticle沖走。244) Uniformity均勻性（最大值－最小值）/（2*平均值），有兩種均勻性：一種是一片Wafer的均勻性（within wafer），測(cè)得五個(gè)點(diǎn)，然后得到最大值最小值和平均值，再安公式計(jì)算。另一種是Wafe之間的均勻性(wafer to wafer)，同樣測(cè)得最大值和最小值和平均值再計(jì)算均勻性。245) USG (Undoped SiO2)即沒(méi)有攙雜的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉積在BPSG下面，以防止BPSG中的P元素滲透到Si表面，影響組件的特性。246) Up Time使用率表示機(jī)臺(tái)可以run貨的時(shí)間，包含run貨的時(shí)間及機(jī)臺(tái)lost時(shí)間，即除down機(jī)時(shí)間247) Vacuum真空 真空系針對(duì)大氣而言，一特定空間內(nèi)的部份氣體被排出，其壓力小于1大氣壓。表示真空的單位相當(dāng)多，在大氣的情況下，通稱為l大氣壓，也可表示為760torr或760mmHg或14.7psi。真空技術(shù)中，將真空依壓力大小分為4個(gè)區(qū)域：1.粗略真空(Rough Vacuum) : 760~1 torr 2.中度真空(Medium Vacuum):1~10-3 torr3.高真空 (High Vacuum) : l0-3~10-7torr 4.超高真空(Ultra-High Vacuum): 10-7torr以下在不同真空，氣體流動(dòng)的型式與熱導(dǎo)性等均有所差異，簡(jiǎn)略而言，在粗略真空，氣體的流動(dòng)稱為黏滯流(Viscous Flow)。其氣體分子間碰撞頻繁，且運(yùn)動(dòng)具有方向性;在高真空或超高真空范圍，氣體流動(dòng)稱為分子流(Molecular Flow)，其氣體分子間碰撞較少，且少于氣體與管壁碰撞的次數(shù)，氣體分子運(yùn)動(dòng)為隨意方向，不受抽氣方向影響。在熱導(dǎo)性方面，中度真空的壓力范圍其與壓力成正比關(guān)系﹒粗略真空與高真空區(qū)域，則無(wú)此關(guān)系。248) Vacuum Pump真空泵凡能將特定空間內(nèi)的氣體去除，以減低氣體分子數(shù)目，造成某種程度的真空狀態(tài)的機(jī)件，統(tǒng)稱為真空邦浦。目前生產(chǎn)機(jī)臺(tái)所使用的真空泵，可分為抽氣式的有：旋片泵(ROTARY PUMP)，洛茲泵(ROOTS PUMP)，活塞泵(PISTON PUMP)，擴(kuò)散泵(DIFFUSION PUMP)。及儲(chǔ)氣式的有：冷凍泵(CRYO PUMP)，離子泵 (ION PUMP)。 249) Viscosity黏度"黏度"一詞專用于液體，意指當(dāng)液體接受切應(yīng)力時(shí)(指作用力方向與液體表面不垂直)，液體就會(huì)產(chǎn)生形變，所以便定義"黏度"來(lái)表示示體產(chǎn)生形變程度的大小。黏度是可以調(diào)整的，因?yàn)橐后w受切應(yīng)力而形變是巨觀形為的表現(xiàn)，所以在液體完全相溶前提下，可以加入不同黏度的溶劑來(lái)調(diào)整黏度。250) Vacuum System真空系統(tǒng)壓力小于1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的系統(tǒng)。真空系統(tǒng)由以下部分組成：Pump、Valve、Pipe、Gauge、Chamber251) Valve閥控制氣流開(kāi)關(guān)和氣體流量的組件。Valve主要有以下種類：氣動(dòng)閥（常開(kāi)或常閉）、手動(dòng)閥、電磁閥252) Vapor Phase氣相相是一種單一均勻的成分的狀態(tài)。氣相是一種單一均勻的成分的氣體狀態(tài)253) Vapor Phase Deposition氣相沉積一種薄膜沉積的方法，在氣態(tài)下氣體反應(yīng)產(chǎn)物或蒸發(fā)物淀積在基體表面的薄膜技術(shù)。氣相沉積可分為物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積。物理氣相沉積又分為蒸鍍和濺渡?；瘜W(xué)氣相沉積又分為APCVD、LPCVD和PECVD。254) Very Large Scale Integration超大規(guī)模集成電路255) Via金屬與金屬之間的通道256) VLF Vertical Laminar Flow垂直層流在流體的流動(dòng)狀態(tài)中，可分為層流 (Laminar Flow)及紊流(Turbulent Flow) 兩種。界定值。一般流體流速較快者其流線 (streamiline)分子易受干擾，且雷諾數(shù)大易形成紊流，(雷諾數(shù)，慣性力/粘滯力)。在無(wú)塵室芯片制造場(chǎng)所內(nèi)，其氣流為穩(wěn)定的層流，如此可將人員、機(jī)臺(tái)等所產(chǎn)生的微塵帶離。若為紊流，則微塵將滯流不去。因此在無(wú)塵室內(nèi)機(jī)臺(tái)的布置及人員的動(dòng)作都以 257) Void 孔洞是一種材料缺陷，會(huì)影響材料的致密性，從而影響強(qiáng)度。 258) Wafer硅片硅晶圓材料（Wafer）是半導(dǎo)體晶圓廠（Fab）內(nèi)用來(lái)生產(chǎn)硅芯片的材料，依面積大小而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸（直徑）等規(guī)格之分。一根八寸硅晶棒重量約一百二十公斤，切割成一片片的八寸晶圓后，送至八寸晶圓廠內(nèi)制造芯片電路（Die），這些芯片電路再經(jīng)封裝測(cè)試等程序，便成為市面上一顆顆的ＩＣ。但因硅晶棒所切割出的晶圓片中，品質(zhì)較好 者，稱為生產(chǎn)晶圓（Prime Wafer），更高級(jí)者稱為磊晶圓（Epi-Wafer），上述晶圓幾乎都集中在硅晶圓棒的「中間」一段，頭、尾兩端所切割出的晶圓，出現(xiàn)瑕疵的比例較高，大多用做非生產(chǎn)用途，稱為測(cè)試晶圓（共有Test Wafer或Dummy Wafer或Monitor Wafer等不等名稱）， 一片測(cè)試晶圓的售價(jià)大約是生產(chǎn)晶圓的五成至六成。 259) Wafer Transfer System硅片傳送系統(tǒng) 用以實(shí)現(xiàn)硅片傳送的系統(tǒng)。如硅片的進(jìn)出爐系統(tǒng)、硅片在cassette與boat、cassette與chamber間的傳送系統(tǒng)等等。260) WELL/Tank井區(qū) WELL即井區(qū)。在IC中的組件MOSFET(即金氧半場(chǎng)效晶體管)，常作兩型(N及P)相接的方式，即CMOS技術(shù)。此時(shí)為區(qū)分這兩種不同型的MOSFET，就須先擴(kuò)散兩個(gè)不同型的區(qū)域于IC中。此種區(qū)域即稱為WELL區(qū)。261) 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