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電子發(fā)燒友網(wǎng)>光電顯示>一文解析平行光曝光機原理及圖形轉(zhuǎn)移技術

一文解析平行光曝光機原理及圖形轉(zhuǎn)移技術

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2018-09-25 09:20:002948

PCB圖形轉(zhuǎn)移液態(tài)感光油墨的應用工藝解析

基板的表面處理—— 》涂布(絲印)——》預烘——》曝光——》顯影——》干燥——》檢查——》蝕刻——》褪膜——》檢查 (備注:內(nèi)層板) 基板的表面處理—— 》涂布(絲?。奉A烘——》曝光——》顯影——》干燥——》檢查——》電鍍——》褪膜——》蝕刻——》檢查 (備注:外層板)
2019-07-05 14:47:323352

多層板圖形轉(zhuǎn)移工藝控制技術的要求及問題解決方案

圖形轉(zhuǎn)移是制造高密度多層板的關鍵控制點,也是技術難點,其質(zhì)量的優(yōu)劣直接影響多層板的合格率。所以,在制作過程中,必須要達到以下幾點:
2019-04-28 14:50:383387

PCB圖形轉(zhuǎn)移關鍵工藝過程分析

在印制電路板的制作工藝中,圖形轉(zhuǎn)移是關鍵工序,以前常用干膜工藝來進行印制電路圖形轉(zhuǎn)移?,F(xiàn)在,濕膜主要用于多層印制電路板的內(nèi)層線路圖形的制作和雙面及多層板的外層線路圖形的制作。
2019-05-21 16:51:427064

PCB圖形轉(zhuǎn)移過程中抗蝕抗電鍍層怎樣來應用

在印制板的制作工藝中,圖形轉(zhuǎn)移是關鍵工序,以前常用干膜工藝來進行印制電路圖形轉(zhuǎn)移
2019-11-15 11:20:222152

提高光刻性能的關鍵技術及光刻的發(fā)展情況

Aligner) 又名:掩模對準曝光,曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等。 光刻(Photolithography) 意思是用光來制作圖形(工藝);在硅片表面勻膠,然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時復制到硅片上的過程。 般的光刻工藝要經(jīng)
2020-08-28 14:39:0415066

解析單片晶振腳的原理

晶振是重要元器件之,對于晶振,小編于往期晶振相關文章中有過諸多闡述。本文中,小編將對單片晶振腳的原理加以解析,以幫助大家更好理解晶振。
2020-10-02 17:27:005076

ASML光刻的工作原理及關鍵技術解析

光刻(Mask Aligner) 又名:掩模對準曝光,曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等,是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術,把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。
2020-10-09 11:29:3611494

UVLED固化曝光相比于傳統(tǒng)曝光的優(yōu)勢是什么

UVLED曝光與傳統(tǒng)曝光 UVLED固化曝光作為種新型的曝光,自誕生以來就備受關注。UVLED固化曝光是指通過開啟燈光,將膠片或其他透明體上的圖像信息轉(zhuǎn)移到涂有感光物質(zhì)的表面上的設備
2020-12-03 10:00:591912

HarmonyOS測試技術與實戰(zhàn)-HarmonyOS圖形棧測試技術深度解析

HDC 2021華為開發(fā)者大會HarmonyOS測試技術與實戰(zhàn)-HarmonyOS圖形棧測試技術深度解析
2021-10-23 15:09:001988

Microchip圖形庫與PIC單片

Microchip圖形庫與PIC單片Microchip圖形庫與PIC單片Microchip圖形庫設計原理 如何在單片顯示圖形與fltk區(qū)別等
2021-11-16 13:36:0116

雙重圖形技術(Double Patterning Technology,DPT)

SADP 技術先利用浸沒式光刻形成節(jié)距較大的線條,再利用側(cè)墻圖形轉(zhuǎn)移的方式形成 1/2 節(jié)距的線條,這種技術比較適合線條排列規(guī)則的圖形層,如 FinFET 工藝中的 Fin 或后段金屬線條。
2022-11-25 10:14:4412823

解析光刻的工作原理

利用光刻發(fā)出的光通過具有圖形罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化,從而使罩上得圖形復印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2022-12-01 09:32:116988

PCB生產(chǎn)工藝 | 第五道主流程之圖形轉(zhuǎn)移

銜接上文,繼續(xù)為朋友們分享普通單雙面板的生產(chǎn)工藝流程。 如圖,第五道主流程為圖形轉(zhuǎn)移圖形轉(zhuǎn)移的目的為: 利用光化學原理,將圖形線路的形狀轉(zhuǎn)移到印制板上,再利用化學原理,將圖形線路在印制板上制作
2023-02-16 21:00:073637

普通單雙面板的生產(chǎn)工藝流程之圖形轉(zhuǎn)移,華秋告訴你

銜接上文,繼續(xù)為朋友們分享普通單雙面板的生產(chǎn)工藝流程。 如圖,第五道主流程為圖形轉(zhuǎn)移。 圖形轉(zhuǎn)移的目的為: 利用光化學原理,將圖形線路的形狀轉(zhuǎn)移到印制板上,再利用化學原理,將圖形線路在印制板上制作
2023-02-17 11:59:001099

Micro LED激光巨量轉(zhuǎn)移技術剖析

由于Micro LED的特征尺寸小于100μm,傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移技術轉(zhuǎn)移效率、轉(zhuǎn)移精度上很難達到要求。傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移技術對單顆芯片的尺寸要求存在物理極限,芯片太小無法轉(zhuǎn)移,轉(zhuǎn)移精度也難以滿足。
2023-03-27 14:49:172559

【生產(chǎn)工藝】第五道主流程之圖形轉(zhuǎn)移

銜接上文,繼續(xù)為朋友們分享普通單雙面板的生產(chǎn)工藝流程。 如圖,第五道主流程為圖形轉(zhuǎn)移。 圖形轉(zhuǎn)移的目的為: 利用光化學原理,將圖形線路的形狀轉(zhuǎn)移到印制板上,再利用化學原理,將圖形線路在印制板上制作
2023-04-06 09:20:031726

***平行光源應用及性能參數(shù)

光刻用UV光源,其通過特殊光學設計發(fā)射出接近平行的UV平行,使特定波段的紫外線通過掩膜掩孔對集成電路高精密線路完成蝕刻曝光顯影的工作。
2023-05-11 10:34:284263

普通單雙面板的生產(chǎn)工藝流程之圖形轉(zhuǎn)移,華秋告訴你

銜接上文,繼續(xù)為朋友們分享普通單雙面板的生產(chǎn)工藝流程。如圖,第五道主流程為圖形轉(zhuǎn)移。圖形轉(zhuǎn)移的目的為:利用光化學原理,將圖形線路的形狀轉(zhuǎn)移到印制板上,再利用化學原理,將圖形線路在印制板上制作
2023-02-17 13:52:201693

陶瓷電路板制作工藝之圖形轉(zhuǎn)移

工藝也有其獨到之處。其中最基本、最關鍵的工序之圖形轉(zhuǎn)移,即將照相底版圖形轉(zhuǎn)移到陶瓷基材上。圖形轉(zhuǎn)移是生產(chǎn)中的關鍵控制點,也是技術難點所在。其工藝方法有很多,如絲網(wǎng)印刷(Screen Printing
2023-09-12 11:31:512420

窺探材料性能的利器:平行擠壓測試儀解析

窺探材料性能的利器:平行擠壓測試儀解析
2023-12-11 09:09:271005

弄懂半導體掩膜版制造工藝及流程

微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移母版掩膜版(Photomask)又稱罩、掩膜、光刻掩膜版等,是微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版,是圖形設計和工藝技術等知識產(chǎn)權信息的載體。
2024-01-06 11:33:5549325

解析半導體設計電路的“光刻工藝”

利用光刻發(fā)出的光通過具有圖形罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化,從而使罩上得圖形復印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:502582

看懂光刻技術的演進

,其中光刻技術起著至關重要的作用。光刻是指在特定波長光線的作用下,將設計在掩膜板上的集成電路圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上的技術工藝。為了完成圖形轉(zhuǎn)移,需要經(jīng)歷沉積、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘、對準與曝光、后烘、顯影、堅膜烘焙、顯影檢測等八道
2024-11-28 09:58:483739

阻的基礎知識

工藝的核心材料。它由高分子樹脂、光敏劑、溶劑及添加劑組成。其特性直接影響芯片圖形化的精度。 ? 阻的作用: 圖形轉(zhuǎn)移:通過曝光顯影,在硅片表面形成納米級圖案,作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩膜。 保護作用:阻擋刻蝕劑或離子對非目標區(qū)域的損傷
2025-02-13 10:30:233891

解析工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《解析工業(yè)互聯(lián)網(wǎng).pptx》資料免費下載
2025-02-20 16:42:511

改善光刻圖形線寬變化的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

的應用。 改善光刻圖形線寬變化的方法 優(yōu)化曝光工藝參數(shù) 曝光是決定光刻圖形線寬的關鍵步驟。精確控制曝光劑量,可避免因曝光過度導致光刻膠過度反應,使線寬變寬;或曝光不足造成線寬變窄。采用先進的曝光設備,如極紫外(EUV)光刻
2025-06-30 15:24:55740

平行太陽模擬器測試系統(tǒng)的原理

平行太陽模擬器測試系統(tǒng)的核心原理,是先通過精密光學結(jié)構(gòu)生成高精度平行(模擬無限遠目標),再利用平行的物理特性,反向或正向檢測被測系統(tǒng)的性能參數(shù),本質(zhì)是基于“平行的方向性、無發(fā)散性”建立標準化
2025-10-13 18:02:06473

定義光刻精度標準——華林科納顯影濕法設備:納米級圖形化解決方案

提供可靠的圖形化保障。以下深度解析其工藝優(yōu)勢與技術創(chuàng)新。 、設備核心工藝流程 華林科納四步閉環(huán)工藝,實現(xiàn)亞微米級圖形保真 (1)預處理(Pre-wetting) 去離子水浸潤:均勻潤濕晶圓表面,消除靜電吸附效應。 邊緣曝光消除(Edge
2025-12-24 15:03:51145

半導體設備光刻機防震基座在 LCD 面板制造曝光中的成功應用案例

 半導體設備光刻機防震基座在 LCD 面板制造曝光中的成功應用案例-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司、案例背景在 LCD(Liquid Crystal Display)面板制造領域,曝光
2024-12-24 14:43:37

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