加利福尼亞州山景城，2012年2月22日—全球領先的半導體設計、驗證和制造軟件及知識產權（IP）供應商新思科技有限公司（Synopsys, Inc.， 納斯達克股票市場代碼：SNPS）日前宣布：即日起推出其用于***積體電路制造股份有限公司（TSMC）28納米高性能（HP）和移動高性能（HPM）工藝技術的DesignWare?嵌入式存儲器和邏輯庫知識產權（IP）。Synopsys的DesignWare嵌入式存儲器和邏輯庫專為提供高性能、低漏電及動態(tài)功率而設計，使工程師們能夠優(yōu)化其整個系統(tǒng)級芯片（SoC）設計的速度與能效，這種平衡在移動應用中至關重要。與DesignWare STAR Memory System?的嵌入式測試與修復技術相結合，Synopsys的嵌入式存儲器和標準元件庫為設計者提供了一個先進、全面的IP解決方案，可生成高性能、低功耗的28納米SoC，并降低了測試與制造成本。

 “作為一家為各種移動計算設備提供處理器和圖形器件的供應商，我們依靠Synopsys來提供驗證過的、高質量的IP，它幫助我們在滿足嚴苛的功率預算的條件下，同時可提供更高水平的性能。”AMD公司資深存儲器設計經理Spencer Gold說道，“在我們采用65、55和40納米工藝的產品中，有許多已經采用了DesignWare嵌入式存儲器并取得了流片成功，而最近又將這種成功延伸到28納米技術節(jié)點。通過利用Synopsys IP中一種先進的功率管理模式的組合，我們能夠在性能不打折扣的情況下，實現(xiàn)功耗的顯著降低?！?

 “作為一家面向移動和消費性設備開發(fā)高清視頻解決方案的領先廠商，在我們的移動多媒體處理器SoC設計中，借助能夠同時實現(xiàn)高性能和低功耗的技術極為重要”，Movidius公司IC開發(fā)總監(jiān)Brendan Barry說道?！靶阅苊績?yōu)化一瓦特，對于我們在諸如移動3D等應用中的成功都很關鍵。DesignWare邏輯庫通過高效的綜合，給我們帶來快速的關鍵時序路徑收斂和用多溝道單元修復漏電流。 此外，DesignWare嵌入式存儲器獨特的功率管理功能，如淺層休眠模式，可將存儲器的漏電功率降至一半，已經幫助我們在仍能滿足我們性能指標的同時，實現(xiàn)了能源的顯著節(jié)省?！?

新的DesignWare IP擴展了Synopsys豐富的、包括高速低功率存儲器和標準元件庫的產品組合，其發(fā)貨量已經超過了十億片芯片，并可支持從180納米到28納米一系列代工廠與工藝。DesignWare 28納米邏輯庫利用多種閾值變量與柵極長度偏移組合，來為多樣化的SoC應用提供最佳性能與功率消耗。這些邏輯庫提供多樣的、易于綜合的單元集及布線器友好的標準單元庫架構，它們專為基于最小的芯片面積和高制造良品率的數GHz級性能而設計。功率優(yōu)化包（POK）為設計師提供了先進的功率管理能力，它們由廣受歡迎的低功耗設計流程支持，包括關斷、多電壓和動態(tài)電壓頻率調整（DVFS）。
將高速度、高密度和超高密度組合在一起的DesignWare嵌入式存儲器，為設計師在其SoC中所用的每個存儲器實現(xiàn)性能、功率和面積的平衡帶來了靈活性。對于諸如移動設備等功率敏感應用，所有的Synopsys 28納米存儲器都整合了源偏壓和多種功率管理模式，可明顯地減少漏電與動態(tài)功率消耗。Synopsys的超高密度兩端口靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）和16Mbit單端口SRAM編譯器，相比于標準的高密度存儲器可進一步降低面積尺寸和漏電高達40%，可使SoC開發(fā)者實現(xiàn)融合了高性能、小體積和極低功耗的差異化存儲器。DesignWare STAR存儲器系統(tǒng)，在與Synopsys的嵌入式存儲器集成后，可提供比傳統(tǒng)的附加式內置自測試（BIST）和修復方案更小的面積和更快的時序收斂，同時還提供流片后調試和診斷性能。這縮短了設計時間、降低了測試成本并提高了制造良品率。

 “作為任何SoC設計的基礎單元，標準元件庫和嵌入式存儲器在性能方面扮演著重要的角色，最終功率和面積的優(yōu)化可在芯片完成過程中就得以實現(xiàn)”，Synopsys IP和系統(tǒng)市場營銷副總裁John Koeter說道?！癝ynopsys經芯片生產驗證的嵌入式存儲器和邏輯庫集成套件，可使SoC設計團隊能夠實時微調其整個芯片，以用盡可能最小的功率消耗來獲得最大的性能。通過將我們的邏輯庫與處理器產品組合擴展到TSMC 28納米HP和HPM工藝，Synopsys將使設計者能夠充分利用這些工藝的速度和功率特性。因此，他們能更好地滿足用更低的風險和更快地進入量產來達到其創(chuàng)造真正差異化產品的目標?！?/pre>