負(fù)載瞬態(tài)性能
由于每個(gè)輸出電感中存儲(chǔ)的能量降低，負(fù)載瞬態(tài)性能隨之提高。電流抵消帶來(lái)的紋波電壓降低，幫助實(shí)現(xiàn)了最小輸出電壓過(guò)沖和下沖，因?yàn)樵诃h(huán)路響應(yīng)以前許多周期都已結(jié)束。紋波電流越低，干擾越小。
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輸入 RMS 紋波電流抵消
如果連接轉(zhuǎn)換器的輸入線存在電感效應(yīng)，則輸入電容器將所有輸入電流供給降壓轉(zhuǎn)換器。要仔細(xì)選擇這些電容器，以滿足RMS紋波電流要求，確保它們不會(huì)出現(xiàn)過(guò)熱狀態(tài)。很明顯，對(duì)于一個(gè) 50% 占空比的單相轉(zhuǎn)換器來(lái)說(shuō)，極限輸入 RMS 紋波電流一般固定為 50% 輸出電流。圖 5 和方程式 3 表明，使用二相解決方案時(shí)，25% 和 75% 占空比時(shí)出現(xiàn)極限 RMS 紋波電流，其僅為 25% 輸出電流。

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相比單相解決方案，多相解決方案的值更明確。只需使用更小的電容，便可滿足降壓級(jí)的 RMS 紋波電流需求。
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圖 5 標(biāo)準(zhǔn)化輸入RMS紋波電流為占空比的函數(shù)

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應(yīng)用實(shí)例
LM3754 高功率密度評(píng)估板通過(guò)一個(gè) 12-V 輸入電源供電，提供電壓為 12V，電流為 40A。該評(píng)估板體積大小為 2 × 2 英寸，組件占用面積為 1.4 × 1.3 英寸。每個(gè)相的開(kāi)關(guān)頻率設(shè)定為 300kHz。表 1 對(duì)上述及其他工作條件進(jìn)行了概括。組件放置在一個(gè) 4 層板上，層上銅為 1 盎司。板上還有一些引腳，用于遠(yuǎn)程檢測(cè)，另有一個(gè)引腳用于獲得輸出電壓余量。
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表 1 LM3754 評(píng)估板工作條件

輸入電壓	10 .8 到13 .2 V
輸出電壓	1 .2 V ± 1%
輸出電流	40 A (最大)
開(kāi)關(guān)頻率	300 kHz
模塊體積	2 × 2尺寸
電路面積	1 .4 × 1 .3尺寸
模塊高度	0.5尺寸
氣流	200 LFM
相數(shù)	2

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根據(jù)設(shè)計(jì)，LM3754 評(píng)估板以高功率密度配置工作，因此它利用經(jīng)過(guò)優(yōu)化的輸入電容器，其要求的RMS紋波電流更低。另外，評(píng)估板還擁有較低的紋波電壓和較高的瞬態(tài)性能。應(yīng)盡可能地遵循 LM3754 應(yīng)用說(shuō)明介紹的板布局。但是，如果不能遵循這種布局，應(yīng)密切注意上述考慮因素?，F(xiàn)在，我們還將為您說(shuō)明其他一些考慮因素，之后是使用 LM3754 的測(cè)試板測(cè)試結(jié)果。第 12-13 頁(yè)的圖 6-11顯示了這些結(jié)果。在進(jìn)行必要的修改時(shí)，這些結(jié)果便是您需要得到的，或者說(shuō)需要改進(jìn)獲得的目標(biāo)。
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圖 6 12-V 輸入效率曲線圖

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電路板布局考慮
強(qiáng)電流導(dǎo)線要求有足夠的銅，才能最小化壓降和溫升。一般原則是，2 盎司銅最少每安培 7 密耳，內(nèi)部層 1 盎司銅最少每安培 14 密耳。每個(gè)相的輸入電容器都應(yīng)盡可能地靠近頂部 MOSFET 漏極和底部 MOSFET 源極放置，以確保最小接地“跳動(dòng)”。
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連接至 IC 的信號(hào)組件
所有連接至 IC 的小信號(hào)組件均盡可能地靠近 IC 放置。V_REF 和 V_CC 耦合電容器也要盡可能地靠近 IC。對(duì)信號(hào)接地 (SGND) 進(jìn)行配置，確保信號(hào)組件接地到IC接地之間有一條低阻抗通路。
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SGND 和 PGND 連接
較好的布局方法包括專(zhuān)用接地層；電路板盡可能多地將內(nèi)部層 2 專(zhuān)用作接地層。應(yīng)從宏觀上對(duì)通孔和信號(hào)線路進(jìn)行布局，避免出現(xiàn)可能掐掉寬銅區(qū)域的一些高阻抗點(diǎn)。讓電源接地 (PGND) 和 SGND 分離開(kāi)，僅在接地層（內(nèi)部層 2）相互連接。
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