互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體功率放大器（CMOS PA）與砷化鎵（GaAs）PA方案戰(zhàn)火愈演愈烈。CMOS PA正挾尺寸及成本優(yōu)勢(shì)于中低價(jià)手機(jī)市場(chǎng)攻城掠地，市占可望提升至15%～20%，而GaAs PA廠商為進(jìn)一步防堵對(duì)手攻勢(shì)，將全面啟動(dòng)輕晶圓代工（Fab-lite）策略，以同時(shí)鞏固高階手機(jī)及中低價(jià)手機(jī)市占。

　　拓墣產(chǎn)業(yè)研究所半導(dǎo)體研究中心研究員許漢州表示，智慧型手機(jī)取代功能型手機(jī)的商機(jī)即將在新興市場(chǎng)爆發(fā)，并成為未來(lái)全球智慧型手機(jī)出貨成長(zhǎng)動(dòng)力，可想而知，零組件廠商若要搶先卡位該市場(chǎng)，元件價(jià)格將是決定性關(guān)鍵因素。在元件低價(jià)化風(fēng)潮下，CMOS PA廠商可望挾價(jià)格及尺寸雙重優(yōu)勢(shì)于中低價(jià)手機(jī)市場(chǎng)大發(fā)利市，預(yù)估2016年CMOS PA市占可望提升至15%～20%。

　　許漢州進(jìn)一步以高通（Qualcomm）支援長(zhǎng)程演進(jìn)計(jì)劃（LTE）的RF 360解決方案為例，其運(yùn)用封包功率追蹤（Envelope Power Tracking）技術(shù)提升CMOS PA效率，以及0.18微米（μm）CMOS絕緣層覆矽（SOI）制程優(yōu)化附加功率效率（PAE），不僅較傳統(tǒng)PA減少一半以上的占位面積，更可降低射頻 （RF）耗電量高達(dá)30%的比例。

　　不過(guò)，CMOS PA雖具有尺寸及價(jià)格優(yōu)勢(shì)，但其效率仍較GaAs PA低，因此，講求高待機(jī)時(shí)間的高階智慧型手機(jī)仍將主要采用GaAs方案，并且GaAs PA廠商也將在GaAs PA設(shè)計(jì)中加入封包功率追蹤技術(shù)，以彰顯與CMOS PA間的元件特性差異。據(jù)了解，三星（Samsung）Galaxy Note 3即已采用具備封包功率追蹤器的GaAs PA方案。

　　許漢州認(rèn)為，GaAs PA業(yè)者除以封包功率追蹤技術(shù)加強(qiáng)產(chǎn)品于高階手機(jī)市場(chǎng)滲透率外，亦將加速研發(fā)多頻多模功率放大器（MMPA）。至于中低價(jià)手機(jī)市場(chǎng)，GaAs PA廠商則可能同步發(fā)展CMOS PA技術(shù)，并走向輕晶圓代工模式，拉近與CMOS PA價(jià)格差距。

　　許漢州指出，GaAs PA廠商運(yùn)用垂直分工模式，將量大且低價(jià)的市場(chǎng)交由專業(yè)GaAs晶圓代工廠制造，將可避免耗費(fèi)過(guò)多資本支出于晶圓廠產(chǎn)能的建置，該模式將是多數(shù)GaAs PA廠商的主要策略。***GaAs晶圓代工廠商只要緊跟制程研發(fā)腳步并謹(jǐn)慎擴(kuò)產(chǎn)，將在此趨勢(shì)下?lián)屨贾匾漠a(chǎn)業(yè)位置。

　　根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告指出，2012年450美元以上智慧型手機(jī)占總出貨量達(dá)55%，但隨著新興市場(chǎng)帶動(dòng)中低價(jià)手機(jī)出貨量快速成長(zhǎng)，2013年其占比將僅剩47%，至2014年則僅剩四成，而300美元以下方案出貨比占則大幅成長(zhǎng)至32%。