fT：增益帶寬積、截止頻率fT：增益帶寬積指晶體管能夠動作的極限頻率。所謂極限，即基極電流對集電極電流的比為1（即hFE=1）的情況。提高基極輸入頻率，hFE變低。這時，hFE為1時的頻率叫做fT（增益
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關(guān)概念有點模糊，請各位大俠指點?。?！
2016-06-07 23:27:44
）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣?！ “垂δ芎陀猛痉诸悺 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關(guān)晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶
2010-08-12 13:59:33
統(tǒng)通過VCCS輸入，取平均等技術(shù)獲得較理想的測試結(jié)果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測定，并能測試比較溫度對這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機接口，可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
晶體管發(fā)射極結(jié)間的正向壓差越大電流是越小吧
2016-01-19 22:27:49
電路為電流放大倍數(shù)hFE=200的晶體管開關(guān)電路，試計算當(dāng)5V的電壓連接著100Ω的電阻加載到集電極（晶體管處于飽和狀態(tài)）時的基極電流IB。這里，基極電流的富裕度為5倍。答案在原文章中。
2017-03-28 15:54:24
,晶體管射隨器就是一種達到上述功能的緩沖電路。 晶體管射隨電路實際上是晶體管共發(fā)電路,它是晶體三極管三大電路形式之一(共基電路、共集電路、共發(fā)電路),它的電路
2009-09-17 08:33:13
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
；頻率特性和通頻帶。難點：靜態(tài)工作點調(diào)整。[理論內(nèi)容]一、電路工作原理及基本關(guān)系式1、工作原理晶體管放大器中廣泛應(yīng)用如圖1所示的電路，稱之為阻容耦合共射極放大器。它采用的是分壓式電流負(fù)反饋偏置電路
2009-03-20 10:02:58
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設(shè)計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶體管電路設(shè)計叢書上冊晶體管電路設(shè)計(pdf電子書下載):是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2009-11-20 09:41:18
，故穩(wěn)定性較好。由于硅管ICEO很小，故一般已不作為主要參數(shù)。(6) 集電極反向電流ICBOICBO是指晶體管發(fā)射極開路時的集電極反向電流。晶體管的ICEO約為ICBO的β倍，故ICEO要明顯大于ICBO。(7) 特征頻率FT FT越高，晶體管的高頻性能越好，也就是可工作的頻率越高。
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-04-10 06:20:24
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
間電壓 (VBE) 成比例的電流 (IB) 的hFE※1 倍的電流 (IC) 流經(jīng)集電極。這一集電極電流IC流經(jīng)電阻RL，從而IC×RL的電壓反映在電阻RL兩端。最終，輸入電壓e被轉(zhuǎn)換（增幅）成ICRL電壓反映在輸出?！?：hFE晶體管的直流電流增幅率。
2019-07-23 00:07:18
晶體管，稱之為“非集中保護” (和集中保護對照)。集成驅(qū)動電路的功能包括：(1)開通和關(guān)斷功率開關(guān)；(2)監(jiān)控輔助電源電壓；(3)限制最大和最小脈沖寬度；(4)熱保護；(5)監(jiān)控開關(guān)的飽和壓降。
2018-10-25 16:01:51
間電壓 (VBE) 成比例的電流 (IB) 的hFE※1 倍的電流 (IC) 流經(jīng)集電極。這一集電極電流IC流經(jīng)電阻RL，從而IC×RL的電壓反映在電阻RL兩端。最終，輸入電壓e被轉(zhuǎn)換（增幅）成ICRL電壓反映在輸出?！?：hFE晶體管的直流電流增幅率。
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
彩色電視機中使用的行輸出管屬于高反壓大功率晶體管，其最高反向電壓應(yīng)大于或等于1200V，耗散功率應(yīng)大于或等于50W，最大集電極電流應(yīng)大于或等于3.5A（大屏幕彩色電視機行輸出管的耗散功率應(yīng)大于或等于60W
2012-01-28 11:27:38
可見，隨著基極電流的增加，集電極電流以基極電流的β倍同步增加。此時，串于集電極回路的電阻Rc上的壓降，也就隨著Ic增大而增大。因晶體管的集電極電位Vce=電源電壓減去集電極Rc上的壓降，即Vce=Vc
2012-02-13 01:14:04
fT：增益帶寬積、截止頻率fT：增益帶寬積指晶體管能夠動作的極限頻率。所謂極限，即基極電流對集電極電流的比為1（即hFE=1）的情況。提高基極輸入頻率，hFE變低。這時，hFE為1時的頻率叫做fT（增益
2019-05-09 23:12:18
從事家電維修的朋友總少不了有一臺晶體管耐壓測試器，用來檢查晶體管的反壓（耐壓）值、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值，甚至電容的漏電流、電機繞組的絕緣電阻大小等等。
2021-05-07 06:21:48
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
【不懂就問】圖中的晶體管驅(qū)動電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產(chǎn)生的的正脈沖通過D2，直接驅(qū)動MOSFET管Q2，達到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
變化的β倍， 也就是說，電流變化放大了β倍，所以我們稱之為β晶體管的放大倍率（β一般遠大于1）。如果我們在基極和發(fā)射極之間增加一個變化的小信號，它會導(dǎo)致基極電流Ib的變化。Ib的變化被放大后，會導(dǎo)致
2023-02-08 15:19:23
發(fā)射極流向集電極。摻雜半導(dǎo)體可以在晶體管的三個不同部分中找到。一側(cè)有一個發(fā)射器，另一側(cè)有一個收集器。術(shù)語“基地”是指中心區(qū)域。晶體管的三個組件將在下面詳細介紹。PNP 晶體管結(jié)構(gòu)發(fā)射發(fā)射器有責(zé)任向接收器
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`內(nèi)容簡介：《晶體管電路設(shè)計》(上)是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一，共分上下二冊。《晶體管電路設(shè)計》(上)作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計算機、移動電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級、功率調(diào)節(jié)器、電機控制器和顯示驅(qū)動器?！ ∵_林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
?！ 槭裁词褂闽捠綀鲂?yīng)晶體管器件代替MOSFET？ 選擇鰭式場效應(yīng)晶體管器件而不是傳統(tǒng)的MOSFET有多種原因。提高計算能力意味著增加計算密度。需要更多的晶體管來實現(xiàn)這一點，這導(dǎo)致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
晶體管，基極上的電壓必須低于發(fā)射極上的電壓。像這樣的基本電路通常將發(fā)射器連接到電源的加號。通過這種方式，您可以判斷發(fā)射極上的電壓。PNP 晶體管如何開啟？PNP 和 NPN 晶體管的端子電阻值然后，我們
2023-02-03 09:45:56
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展?！⒔Y(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動保護等電路，可選用結(jié)型場效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動機驅(qū)動、繼電器驅(qū)動等電路，可選
2021-05-13 07:10:20
載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
區(qū)域，而粉紅色陰影區(qū)域表示截止區(qū)域?！ D1. 晶體管工作區(qū) 這些區(qū)域定義為： ? 飽和區(qū)域。 在這個區(qū)域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實現(xiàn)最大電流，在集電極-發(fā)射極處實現(xiàn)最小壓降
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個正的驅(qū)動電壓時，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認(rèn)為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導(dǎo)通。之后，電容CB被充電至激勵電壓的峰值而進入穩(wěn)態(tài)
2020-11-26 17:28:49
集電極電流I C的10％。因此，這種類型的晶體管偏置配置在相對較低的電源電壓下效果最佳。分壓晶體管偏置此處，使用分壓器網(wǎng)絡(luò)對常見的發(fā)射極晶體管配置進行偏置，以提高穩(wěn)定性。這種偏置配置的名稱來自于以下事實
2020-11-12 09:18:21
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
。 如何提高晶體管的開關(guān)速度？——可以從器件設(shè)計和使用技術(shù)兩個方面來加以考慮。（1）晶體管的開關(guān)時間：晶體管的開關(guān)波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個過程，關(guān)斷過程又分為存儲和下降兩個過程
2019-09-22 08:00:00
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
有誰可以解答一下如何通過晶體管去提高倍壓器的精度嗎？
2021-04-20 07:27:55
。 如何提高晶體管的開關(guān)速度？——可以從器件設(shè)計和使用技術(shù)兩個方面來加以考慮。（1）晶體管的開關(guān)時間：晶體管的開關(guān)波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個過程，關(guān)斷過程又分為存儲和下降兩個過程
2019-08-19 04:00:00
2個電阻器的晶體管。直流電流放大率為 輸出電流/輸入電流 ，因此不因輸入電阻R1，放大率下降。僅有輸入電阻R1的類型 放大率表示為hFE，與個別晶體管hFE相等。如果在E-B間附加電阻R2，輸入電流則
2019-04-22 05:39:52
晶體管是指普通晶體管上連接2個電阻器的晶體管。直流電流放大率為 輸出電流/輸入電流 ，因此不因輸入電阻R1，放大率下降。僅有輸入電阻R1的類型 放大率表示為hFE，與個別晶體管hFE相等。如果在E-B
2019-04-09 21:49:36
等效的提高開關(guān)速度的方法，較小R1值也會加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開關(guān)速度的另外一種方法，我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
和500KHz的半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在較高頻率下，無源諧振電路（例如變壓器、諧振電感器和諧振電容器）的尺寸明顯減小，從而提高了功率密度。此外，還需要考慮功率晶體管（Q1和Q2）的選擇，以權(quán)衡
2023-02-27 09:37:29
如何用晶體管搭建一個放大電路，要求輸入為1V，輸出至少放大一倍，這么大的輸入怎么做到不失真呢？
2016-06-11 16:17:59
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細分市場的應(yīng)用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
用。（2）橫向PNP管： 這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的水平方向運動的，故稱為橫向PNP管。由于受工藝限制，基區(qū)寬度不可能很小，所以它的值相對較低，一般為十幾倍到二、三十倍。橫向PNP管的優(yōu)點
2019-04-30 06:00:00
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
保護的二極管必須選用快速恢復(fù)型二極管，以保證二極管能夠迅速反應(yīng)得以保護晶體管。對于二極管的耐壓要求，一般其截止電壓為開關(guān)晶體管C-E間電壓的2倍?！ ?、RC阻尼電路 圖二 圖二中，在晶體管關(guān)斷
2020-11-26 17:26:39
例如降壓轉(zhuǎn)換器可以將+12伏轉(zhuǎn)換為+5伏。
降壓開關(guān)穩(wěn)壓器是一種直流-直流轉(zhuǎn)換器，也是簡單、的開關(guān)穩(wěn)壓器類型之一。當(dāng)在開關(guān)模式電源配置中使用時，降壓開關(guān)穩(wěn)壓器使用串聯(lián)晶體管或功率 MOSFET
2024-06-18 14:19:42
用作壓控電阻的晶體管
2010-05-11 16:53:35
47 晶體管的替換原則
如果掌握了晶體管的代換原則，往往能使維修工作事半功倍，提高維修效率。晶體管的置換原則可概括為三條：即類型相同、特
2009-05-04 20:29:48
2238
如何測量單結(jié)晶體管的分壓比
2009-08-12 11:44:511924 
晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534989 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:056814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:3014825 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:108979 晶體管h參數(shù),晶體管h參數(shù)是什么意思
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路
2010-03-05 17:37:226627 晶體管直流二倍升壓電路
2010-03-29 15:27:337013 
如何建立一個可擴展的基于晶體管的防盜報警器
這是一個簡單的晶體管的防盜報警電路。它的功能包
2010-10-16 19:25:141307 
據(jù)國外媒體報道，MIT 的科學(xué)家已經(jīng)研發(fā)出了一種新型晶體管，新的晶體管通過材料原子結(jié)構(gòu)中的洞孔來讓電流通過，速度是當(dāng)前晶體管的 4 倍左右。
2013-01-04 09:02:443549 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《談晶體管的飽和狀態(tài)和飽和壓降.doc》資料免費下載
2017-04-17 21:38:000 MAX8863 利用外部晶體管降低線性穩(wěn)壓器壓差
2016-08-16 19:05:370 米特拉表示，“如果利用碳納米
管晶體管取代硅
晶體管，效能比
可提高1000
倍?！?/div>
2016-08-22 14:03:541290 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 1、晶體管的選型：根據(jù)負(fù)載電流、負(fù)載電源電壓來確定具體晶體管型號，需要保證 Ic負(fù)載電流，Vceo負(fù)載電壓，Vcbo負(fù)載電壓 2、確定偏置電阻：基極電流大于1/倍，晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，而這個基極電流
2020-05-26 08:07:385625 
干貨 | 如何降低晶體管和變壓器損耗，提高開關(guān)電源效率？
2023-01-05 09:51:421079 提高晶體管開關(guān)速度的方法可以通過減少晶體管的輸入電容來提高晶體管的開關(guān)速度，這可以通過減少晶體管的輸入電容的大小來實現(xiàn)。
2023-02-24 15:54:572318 
硅雙極型晶體管、晶閘管及其衍生器件具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，可改善大電流情況下的飽和壓降，降低其通態(tài)損耗。
2023-07-13 09:42:16747 
如何提高晶體管的開關(guān)速度？
2023-11-27 14:23:471888 
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計將帶來多項技術(shù)進步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會導(dǎo)致更強大的芯片類別的開發(fā)。
2023-12-26 10:12:551206 有什么方法可以提高晶體管的開關(guān)速度呢？ 電子行業(yè)一直在尋求提高晶體管速度的方法，以滿足高速和高性能計算需求。下面將詳細介紹幾種可以提高晶體管開關(guān)速度的方法： 1. 尺寸縮?。?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的尺寸越小，電子
2024-01-12 11:18:222182 咱們今天講講電子世界的跑步選手——晶體管。這小東西在電子產(chǎn)品里就像是繼電賽跑的選手，開關(guān)的速度決定了電子設(shè)備的快慢。那么，如何才能提高晶體管的開關(guān)速度呢？來一探究竟。如果把晶體管比作一名運動員，要想
2024-04-03 11:54:121518 
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點、應(yīng)用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009544 已全部加載完成
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