據(jù)TechCrunch網(wǎng)站報(bào)道,碳納米管屬于一種超級(jí)材料——它是直徑為1或2納米的圓柱狀物,它有包括從超級(jí)計(jì)算機(jī)到效能比更高的智能手機(jī)在內(nèi)的許多夢(mèng)幻般應(yīng)用。問題是,它們不容易制造,推出商業(yè)化碳納米管產(chǎn)品可能尚需10-15年。
2016-08-22 10:09:07
2131 據(jù)外媒報(bào)道,硅在芯片領(lǐng)域的主導(dǎo)地位可能終結(jié)。多年來(lái),研究人員和企業(yè)家希望碳納米管能給芯片設(shè)計(jì)帶來(lái)一場(chǎng)革命。從理論上說(shuō),這種分子水平的結(jié)構(gòu),能用來(lái)制造速度是現(xiàn)有產(chǎn)品6-10倍、能耗大幅降低的芯片。除
2016-11-15 13:41:50
858 幾十年來(lái),電子技術(shù)的進(jìn)步一直由硅晶體管尺寸的不斷縮小而推動(dòng)。然而,硅晶體管縮小變得越來(lái)越困難,現(xiàn)在的收益正在遞減。
2019-09-23 07:14:00
3875 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:11
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得益于研究人員的持續(xù)推進(jìn),碳納米管器件現(xiàn)在正在越來(lái)越接近硅的能力,最新的進(jìn)展也在最近舉辦的IEEE電子器件會(huì)議IEDM上揭曉。會(huì)上,來(lái)自臺(tái)積電,加州大學(xué)圣地亞哥分校和斯坦福大學(xué)的工程師介紹了一種新的制造工藝,該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對(duì)于確保在邏輯電路中晶體管完全關(guān)閉至關(guān)重要。
2020-12-16 10:11:29
3777 :56~58)發(fā)現(xiàn)的新材料,是石墨化的碳原子卷曲而成的納米級(jí)無(wú)縫中空管狀結(jié)構(gòu)。碳納米管的物理結(jié)構(gòu)就決定了,碳納米管具有多種優(yōu)異的力學(xué)、熱學(xué)和電學(xué)性能。例如,碳納米管的導(dǎo)熱性是銅的5倍,拉伸強(qiáng)度達(dá)到50
2023-07-19 13:35:50
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,特別是近年來(lái)碳納米管的發(fā)展令人注目,在速度、集成度、特別是功耗方面都將有重大突破,但離開實(shí)際應(yīng)用可能比硅基量子器件要更遠(yuǎn)一些。原文見王陽(yáng)元院士在“納米CMOS器件”書中寫的序(2004年1月科學(xué)出版社出版)。 :
2018-08-24 16:30:27
碳納米管/ TiO2 電極光電催化測(cè)定耐蘭方法探討摘要:自合成二氧化鈦2碳納米管( TiO22CN T) 復(fù)合催化劑,用Nafion 溶液把CN T2TiO2 固定到玻碳電極上制成CN T2TiO2
2009-08-08 09:44:34
碳納米管針尖
2019-10-18 09:36:45
并采用CST進(jìn)行仿真,結(jié)果表明納米管束比單根納米管的天線效率提高了30-40dB,文中把納米管束作為電導(dǎo)率與納米管根數(shù)成正比的單根天線來(lái)研究,在理論上不夠準(zhǔn)確,而且鑒于納米管束的尺寸,采用中點(diǎn)饋電
2019-05-28 07:58:57
設(shè)計(jì)分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件碳納米管的電測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量碳納米管電氣特性提高納米電子和分子電子器件的低電流測(cè)量在低功率和低壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、可靠的電阻測(cè)量納米級(jí)器件和材料的電氣測(cè)量提高超高電阻和電阻率測(cè)量的可
2021-11-16 15:59:56
步驟造成的損壞,并且可以使用成熟的二氧化硅材料和工具來(lái)構(gòu)建。
由于現(xiàn)在的壁厚為 15 納米,這可能會(huì)影響晶體管密度,因?yàn)橥獗诓嫫骷?b class="flag-6" style="color: red">比內(nèi)壁叉片晶體管更大。然而,外壁叉片晶體管提供的可制造性和性能優(yōu)勢(shì)
2025-06-20 10:40:07
碳納米管對(duì)于傳感器器件的重要性?!盇pplied Nanotech首席執(zhí)行官表示:“酶涂層碳納米管使靈敏度和選擇性提高,并有消除錯(cuò)誤的潛力?!?
2018-11-19 15:20:44
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么,為何說(shuō)7nm就是硅材料芯片的物理極限,碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢?面對(duì)美國(guó)的技術(shù)突破,中國(guó)應(yīng)該怎么做呢?XX nm制造工藝是什么概念?芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
,GaN完勝。塊體GaN電子遷移率是硅的兩倍多,而二維電子氣形態(tài)的GaN電子遷移率則是硅的四倍。正如GaN具有高臨界擊穿電場(chǎng)和高熱導(dǎo)率,GaN也具有遠(yuǎn)高于硅的載流子飽和速度?! ⊥该?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的障礙
2020-11-27 16:30:52
測(cè)量高阻低電流測(cè)量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量用6線電阻測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機(jī)
2021-11-11 10:35:10
測(cè)量高阻低電流測(cè)量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量用6線電阻測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機(jī)
2021-12-08 15:35:04
晶體管設(shè)計(jì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)太陽(yáng)能電池和 LED 設(shè)計(jì)高電子遷移率晶體管設(shè)計(jì)復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件碳納米管的電測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量碳納米管電氣特性提高納米電子
2018-11-09 11:28:25
)需要幾毫安才能上電,并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動(dòng)。然而,螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?! ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
晶體管可以讓工程師開發(fā)出速度更快、集成度和效率更高的集成電路,進(jìn)而設(shè)計(jì)出更輕薄的筆記本電腦,散發(fā)的熱量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于現(xiàn)在的水平。這些晶體管包含很多由砷化銦鎵做成的納米管,并沒有采用傳統(tǒng)的材料硅。生產(chǎn)工藝采用
2011-12-08 00:01:44
等效的提高開關(guān)速度的方法,較小R1值也會(huì)加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開關(guān)速度的另外一種方法,我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
采取直接在硅片上真空蒸鍍NiCr合金作為催化劑,用化學(xué)氣相沉積法制備了碳納米管薄膜。并采用H2等離子體球處理碳納米管薄膜,測(cè)試其場(chǎng)發(fā)射特性,并與未經(jīng)處理的碳納米管薄
2008-12-03 12:55:26
13 碳納米管薄膜是一種能應(yīng)用于場(chǎng)發(fā)射平面顯示器等器件中的新型冷陰極材料。該文用Ni作為催化劑,采用催化熱解法在硅片上制備了多壁碳納米管薄膜場(chǎng)發(fā)射陰極,反應(yīng)氣體為乙炔
2009-05-14 19:44:18
20 采用硫酸和硝酸混合酸對(duì)催化裂解法(CVD法)制備的多壁碳納米管(MWNTs)進(jìn)行純化,然后運(yùn)用硬脂酸對(duì)碳納米管表面進(jìn)行修飾,并研究了硬脂酸修飾后的碳納米管的表面狀況以及
2009-05-16 01:52:26
17 隨著對(duì)碳納米管研究的不斷深入,對(duì)碳納米管的應(yīng)用研究越來(lái)越受到人們的重視。通過分析碳納米管的物理特性,對(duì)碳納米管的應(yīng)用前景進(jìn)行了廣泛的探索。著重分析了碳納米管
2009-07-13 10:28:18
13 碳納米管研究的不斷發(fā)展為其與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS) 的結(jié)合提供了可能,這種結(jié)合“Top - down”與“Bottom2up”的方法是微米/ 納米技術(shù)的一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)。碳納米管的特性及其在MEMS 上
2009-11-16 11:31:07
26 以界面勢(shì)壘對(duì)碳納米管(CNT)場(chǎng)發(fā)射的影響為研究目的,在硅襯底上引進(jìn)很薄的二氧化硅層,以二氧化硅層作為絕緣勢(shì)壘,然后在二氧化硅界面層上直接生長(zhǎng)CNT,來(lái)研究二氧化硅絕緣勢(shì)
2010-03-05 14:07:36
14 目前看來(lái),碳納米管的潛在用途是無(wú)窮無(wú)盡的,僅在半導(dǎo)體行業(yè)就存在著大量的潛在應(yīng)用。研究人員已經(jīng)成功將碳納米管用于FET開關(guān)、消費(fèi)電子存儲(chǔ)器,以及下一代電視機(jī)的場(chǎng)發(fā)
2010-04-16 10:34:24
12 通過原位溶液聚合制備了聚苯胺/碳納米管(PAN I/ CN T) 復(fù)合材料。采用透射電子顯微鏡(TEM )、紫外2可見光光譜(UV 2V IS)、傅立葉變換紅外光譜(FT IR)、熱失重分析(TGA ) 及差示掃描量熱法(
2010-11-21 12:27:21
32 文章系統(tǒng)地論述了非碳納米管的制備,較詳盡地介紹了多種非碳納米管制備最新的進(jìn)展,包括硫化物、氮化物、氧化物等等,特別重點(diǎn)地總結(jié)了非碳納米管前沿材料,例如WS2 ,Bi2 S3 , ZnS,
2010-11-21 12:35:46
52 采用原位聚合的方法,制備了多壁碳納米管/ 聚甲基丙烯酸甲酯復(fù)合材料。多壁碳納米管經(jīng)過強(qiáng)酸氧化處理,表面具有有機(jī)活性。碳納米管的加入并未使聚合誘導(dǎo)期延長(zhǎng),但令體系粘度增
2010-11-21 12:37:05
49 IBM公司日前發(fā)布了據(jù)稱是全球首款電致發(fā)光(EL)納米管晶體管,并聲稱該器件發(fā)光亮度比發(fā)光二極管(LED)強(qiáng)1000倍,光子通量多達(dá)1萬(wàn)倍。 &n
2006-03-13 13:03:07
670
如何測(cè)量單結(jié)晶體管的分壓比
2009-08-12 11:44:51
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斯坦福大學(xué)成功研制出具備較復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)的碳納米管IC
最近斯坦福大學(xué)研制出了首個(gè)三維碳納米管結(jié)構(gòu)電路,這項(xiàng)成果可能標(biāo)志著科學(xué)家在研制納米管計(jì)算機(jī)方面又
2009-12-24 09:11:16
1169 科學(xué)家新發(fā)現(xiàn):碳納米管產(chǎn)生大電流(新型發(fā)電方式)
麻省理工學(xué)院科學(xué)家發(fā)現(xiàn)一種新發(fā)電方式,利用碳納米管產(chǎn)生出大電流,可為超小型設(shè)備提供電能,而且納米管產(chǎn)生
2010-03-15 08:44:17
1404 對(duì)碳納米管陰極的制備以及場(chǎng)發(fā)射顯示器的真空封裝技術(shù)進(jìn)行了研究.利用一種新的碳納米管生長(zhǎng)工藝制備出了具有優(yōu)良場(chǎng)發(fā)射性能的碳納米管陰極.并將這種直接生長(zhǎng)的碳納米管薄膜作
2011-04-19 12:24:25
42 針對(duì)現(xiàn)有的碳納米管場(chǎng)發(fā)射顯示器(CNT FED)制造技術(shù)中存在的工藝復(fù)雜、 成本過高的問題,提出了用于制造碳納米管場(chǎng)發(fā)射顯示器的全印刷制造技術(shù),即采用絲網(wǎng)印刷工藝制備 CN T FED 器件內(nèi)
2011-04-19 14:59:57
34 碳納米管具有一些獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì), 在納米電子學(xué)有很好的應(yīng)用前景。隨著納米技術(shù)的發(fā)展, 新的工藝技術(shù)也隨之產(chǎn)生。納米器件的由下至上制作工藝, 是在納米技術(shù)和納米材料的基礎(chǔ)之
2011-06-21 17:50:06
62 來(lái)自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國(guó)普渡大學(xué)的工程師近日表示,他們構(gòu)建出了首個(gè)10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:29
1105 北京大學(xué)在碳納米管集成電路領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,該文章報(bào)道了彭練矛教授研究團(tuán)隊(duì)在碳納米管集成電路領(lǐng)域取得的重要進(jìn)展?;瘜W(xué)與分子工程學(xué)院李彥教授和美國(guó)杜克大學(xué)劉杰教授為該
2012-02-22 09:34:07
2330 
以碳納米管為材料制備而成的納米光學(xué)天線,可以將接收光波的范圍縮小到亞波長(zhǎng)尺度上,這樣就擴(kuò)大了太陽(yáng)能面板接收光能量的波長(zhǎng)范圍,能夠收集到紅外線的能量,從而為納米光子學(xué)提供
2012-02-22 10:58:53
4 據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)最近報(bào)道,美國(guó)斯坦福和南加州大學(xué)工程師開發(fā)出一種設(shè)計(jì)碳納米管線路的新方法,首次能生產(chǎn)出一種以碳納米管為基礎(chǔ)的全晶片數(shù)字電路,即使在許多納米管發(fā)
2012-06-19 10:18:09
1649 藍(lán)色巨人IBM的科學(xué)家們?cè)俅握故玖怂麄冃酆竦目蒲袑?shí)力:歷史上第一次,使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝,將一萬(wàn)多個(gè)碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內(nèi),并通過了可行性測(cè)
2012-10-29 11:44:48
8434 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上,IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外,還展示了諸如硅光子晶體管,碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:30
8361 IBM 的研究人員已經(jīng)找到了如何使用碳納米管制造微型芯片的方法,這一成果可以讓我們制造更強(qiáng)的芯片,使得曲面電腦、可注射芯片成為可能。
2016-11-17 13:51:40
1393 多壁碳納米管_Nafion_納米金構(gòu)建阻抗傳感器研究_胡曉琴
2017-03-19 19:03:46
3 基于SEM圖像的碳納米管薄膜均勻性表征方法研究_陳彥海
2017-03-19 19:12:42
0 金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù),具有純度高,管徑小等優(yōu)點(diǎn)。用其分散出來(lái)的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H),與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低,導(dǎo)電性好等優(yōu)點(diǎn),能夠更好的滿足動(dòng)力電池對(duì)安全性和導(dǎo)電性需求。
2017-12-27 11:42:52
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芯片是信息時(shí)代的基礎(chǔ)與推動(dòng)力,碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾時(shí)代的重要選項(xiàng)。今日?qǐng)?bào)道由北大申報(bào)的”5納米碳納米管CMOS器件“入選了高校十大科技進(jìn)展。
2018-01-02 15:11:34
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金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù),具有純度高,管徑小等優(yōu)點(diǎn)。用其分散出來(lái)的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H),與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低,導(dǎo)電性好等優(yōu)點(diǎn),能夠更好的滿足動(dòng)力電池對(duì)安全性和導(dǎo)電性需求。
2018-01-05 09:35:39
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目前碳納米管的制備方法主要有三種,分別是弧光放電法,激光高溫?zé)品ㄒ约盎瘜W(xué)氣相沉淀法。本文采用的實(shí)驗(yàn)樣品是使用化學(xué)氣相沉淀法制備多壁碳納米管陣列
2018-03-23 17:10:00
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在Nano Letters雜志描述的研究中,Barron和他的團(tuán)隊(duì)在嘗試了各種方法從各種污染物中清潔碳納米管之后,對(duì)多壁碳納米管和單壁碳納米管進(jìn)行了艱苦的阻力測(cè)量。 結(jié)果是他們可以去除的雜質(zhì)越多,阻力測(cè)量值越準(zhǔn)確和一致。
2018-03-09 15:41:34
5001 經(jīng)多年研發(fā),趙社濤最近成功突破了碳納米管導(dǎo)電劑的新世代生產(chǎn)技術(shù),進(jìn)一步大大提高了現(xiàn)有小管徑碳納米管導(dǎo)電劑的性能。新工藝所制造的碳納米管集三大優(yōu)點(diǎn)于一身:1、是陳列式的碳納米管,蓬松易分散;2
2018-08-21 17:15:32
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文章介紹了碳納米管的結(jié)構(gòu)和性能,綜述了碳納米管/聚合物復(fù)合材料的制備方法及其聚合物結(jié)構(gòu)復(fù)合材料和聚合物功能復(fù)合材料中的應(yīng)用研究情況,在此基礎(chǔ)上,分析了碳納米管在復(fù)合材料制備過程中的純化、分散、損傷和界面等問題,并展望了今后碳納米管/聚合物復(fù)合材料的發(fā)展趨勢(shì)。
2018-12-13 08:00:00
8 他們的解決方案依賴于碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CNTFET)和電阻式RAM存儲(chǔ)器(RRAM)的3D集成。這種技術(shù)是Shulaker在斯坦福大學(xué)期間,協(xié)助 H.-S. Philip Wong
2019-03-05 11:10:38
5950 英國(guó)《自然》雜志28日發(fā)表了一項(xiàng)計(jì)算科學(xué)最新進(jìn)展:美國(guó)麻省理工學(xué)院團(tuán)隊(duì)利用14000多個(gè)碳納米管晶體管,制造出16位微處理器,并生成這樣一條信息。其設(shè)計(jì)和制造方法克服了之前與碳納米管相關(guān)的挑戰(zhàn),將為先進(jìn)微電子裝置中的硅帶來(lái)一種高效能替代品。
2019-08-29 16:12:13
3895 MIT和ADI公司的研究人員們創(chuàng)造了第一個(gè)完全可編程的16位碳納米管微處理器。它是迄今基于碳納米管的CMOS邏輯最復(fù)雜的集成,擁有14000多個(gè)晶體管,基于RISC-V架構(gòu),可執(zhí)行與商用微處理器相同的任務(wù)。
2019-09-02 14:37:29
1575 以半導(dǎo)體碳納米管為基礎(chǔ)的晶體管作為先進(jìn)微電子器件中硅晶體管的替代品,顯然很有前景。但碳納米管固有的納米級(jí)缺陷和可變性,以及處理它們面臨的挑戰(zhàn),阻礙了它們?cè)谖㈦娮宇I(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用。
2019-09-07 07:08:00
8089 EPFL研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種比當(dāng)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍的器件。新設(shè)備的運(yùn)行速度也比目前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。他們發(fā)明的納米級(jí)設(shè)備能夠產(chǎn)生高功率太赫茲波。
2020-03-28 14:12:20
2865 EPFL研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種比當(dāng)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍的器件。新設(shè)備的運(yùn)行速度也比目前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。
2020-03-28 22:35:28
2961 EPFL研究員開發(fā)出了一種比現(xiàn)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍器件,并且新設(shè)備在運(yùn)行速度上也比當(dāng)前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。
2020-04-02 11:55:35
2769 據(jù)外媒報(bào)道,美國(guó)科學(xué)家已經(jīng)開發(fā)出一種碳納米管來(lái)制造帶有硅陽(yáng)極的鋰離子電池。該設(shè)備在1500次循環(huán)后的容量保持率優(yōu)于87%。研究人員說(shuō),他們的發(fā)現(xiàn)克服了將硅用作陽(yáng)極的許多障礙,開拓了鋰離子電池中電極材料的使用。
2020-04-08 16:24:27
3213 據(jù)外媒報(bào)道,美國(guó)科學(xué)家已經(jīng)開發(fā)出一種碳納米管來(lái)制造帶有硅陽(yáng)極的鋰離子電池。
2020-04-23 15:07:25
4495 據(jù)外媒報(bào)道,美國(guó)科學(xué)家已經(jīng)開發(fā)出一種碳納米管來(lái)制造帶有硅陽(yáng)極的鋰離子電池。該設(shè)備在1500次循環(huán)后的容量保持率優(yōu)于87%。
2020-05-27 23:47:45
2718 通過使用與制造硅基晶體管相同的設(shè)備,可以實(shí)現(xiàn)這種快速生產(chǎn)。碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CNFET)比當(dāng)前的硅芯片具有更高的能源效率,可用于制造新型的三維處理器,但是由于制造方面的限制,迄今為止它們大多
2020-06-11 15:04:28
3216 自1991年日本Iijima教授發(fā)現(xiàn)碳納米管以來(lái),納米技術(shù)吸引了大量科學(xué)家的興趣和研究,是目前科學(xué)界的研究熱點(diǎn)?;?b class="flag-6" style="color: red">碳納米管獨(dú)特的電學(xué)特性,提出了利用碳納米管陣列構(gòu)筑新型天線和傳輸線的設(shè)想。自此
2020-11-06 10:40:00
2 圖1 中所示倍壓器用晶體管代替二極管,所以比圖2中的常規(guī)倍壓器具有更好的倍壓性能。常規(guī)倍壓器的輸出電壓可以表示為VOUTDC=2VINAC–2VD,其中VOUTDC 為輸出直流電壓,VINAC 為
2020-08-13 10:59:34
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但是,這并不代表著對(duì)碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會(huì)一帆風(fēng)順。1998年首個(gè)碳納米管晶體管研發(fā)至今,碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長(zhǎng)期以來(lái),最小碳納米管CMOS器件的柵長(zhǎng)停滯在20nm(2014年 IBM)。
2020-08-31 15:00:50
4507 (CNT)、石墨烯等,新型導(dǎo)電劑(碳納米管、石墨烯及其復(fù)合導(dǎo)電劑)擁有更高的導(dǎo)電性和更少的添加比例(傳統(tǒng)炭黑導(dǎo)電劑添加量一般為正極材料重量的3%左右,而碳納米管、石墨烯等新型導(dǎo)電劑添加量可降至0.8%-1.5%。),其應(yīng)用范圍和比例正逐步擴(kuò)
2020-09-22 11:06:37
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GGII預(yù)計(jì),在未來(lái)幾年,中國(guó)新型導(dǎo)電劑,特別是碳納米管導(dǎo)電劑將逐步代替?zhèn)鹘y(tǒng)導(dǎo)電劑,到2020年碳納米管導(dǎo)電漿料市場(chǎng)規(guī)模將突破7萬(wàn)噸。
2020-10-13 16:44:13
4796 使用碳納米管作為溝道材料,并使用離子凝膠作為柵極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,可承受高強(qiáng)度的輻射,在輻射損壞后,并且可以經(jīng)過簡(jiǎn)單的工藝恢復(fù)。
2020-11-04 15:22:22
2778 新的制造工藝,該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對(duì)于確保在邏輯電路中充當(dāng)晶體管的晶體管完全關(guān)閉時(shí)至關(guān)重要。
2020-12-15 15:22:13
2363 中國(guó)正開始大批量生產(chǎn)商業(yè)用途的硅負(fù)極材料,應(yīng)用于鋰電池市場(chǎng),而單壁碳納米管在改善硅負(fù)極性能方面起著關(guān)鍵作用。TUBALL單壁碳納米管可以有效提高鋰離子電池的性能,通過提高硅負(fù)極的循環(huán)壽命,從而最終滿足電動(dòng)汽車嚴(yán)格的要求
2020-12-25 20:32:43
2908 研究人員尋求通過在納米管和晶體管柵極之間,使用更薄的絕緣體來(lái)更好地控制碳納米晶體管。 ? 在 近日的IEEE Electron Devices Meeting (IEDM)會(huì)議上,碳納米管期間
2021-01-16 09:40:08
3366 目前,OCSiAl(奧科希艾爾)的TUBALL單壁碳納米管產(chǎn)能為80噸/年,占全球單壁碳納米管市場(chǎng)的95%以上,該產(chǎn)能滿足100+GWH以上的鋰離子電池的導(dǎo)電劑需求。 電動(dòng)汽車沒有完全替代燃油汽車
2021-03-17 18:17:21
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本文提出了一種碳納米管“橋接策略”來(lái)合成這種富含用于 ORR 催化的高活性單原子 Fe 位點(diǎn)和用于 OER催化的高性能NiCo 納米顆粒的雙功能氧電催化劑(FePc||CNTs||NiCo/CP)。
2022-11-11 11:04:52
1935 國(guó)家空間科學(xué)中心空間天氣學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳睿副研究員、韓建偉研究員團(tuán)隊(duì)與北京大學(xué)電子學(xué)院張志勇教授課題組、中科院微電子所李博研究員課題組合作,針對(duì)碳納米管晶體管和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元
2022-11-16 11:19:32
1443 碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性,已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評(píng)論文章中,西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機(jī)遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:36
1999 技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室與北京大學(xué)教授張志勇、中科院國(guó)家空間科學(xué)中心副研究員陳睿合作,研制出基于局域底柵的碳納米管晶體管和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,并系統(tǒng)研究了碳納米管器件與電路的綜合抗輻射能力(圖1)。研究顯示,局域底柵碳納米
2022-12-02 16:49:28
3883 利用碳納米管包裹的棉和氨綸紗線,通過定制紡紗設(shè)備制造的電極如圖1a所示。首先,研究人員將兩個(gè)碳納米管陣列安裝在紡絲裝置的上料區(qū)。芯棉和氨綸紗線穿過送料筒的內(nèi)管。芯棉和芯紗插入內(nèi)管的直徑為0.5?cm,以適應(yīng)多種紗線的紡織。為了確保順利進(jìn)紗,研究人員使用了彈簧張緊系統(tǒng)來(lái)控制張力。
2022-12-19 10:38:27
2296 溝道表面的氧化釔薄膜由電子束蒸發(fā)鍍膜儀所蒸鍍的金屬釔加熱氧化形成,隨后在溝道表面蒸鍍金納米薄膜,金納米薄膜會(huì)自團(tuán)聚形成金顆粒,自此完成浮柵型碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FG-CNT-FET)的制備以及表面的金納米顆粒修飾。
2023-03-23 11:04:10
3471 OCSiAl通過技術(shù)革新,提升了單壁碳納米管粉料的產(chǎn)能,同時(shí)推出了新一代的高固含導(dǎo)電產(chǎn)品,相較現(xiàn)有產(chǎn)品,固含提升在2倍以上,進(jìn)一步降低單壁碳納米管的使用成本,提升性價(jià)比。
2023-04-20 09:34:46
2727 on Carbon Nanotube Film and Application in Optoelectronic Integration”的綜述文章,該綜述全面介紹了高純度半導(dǎo)體碳納米管的提純和薄膜制備
2023-06-12 17:02:40
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HS-3000A拉伸試驗(yàn)機(jī)適用于尋求材料力與形變關(guān)系的實(shí)驗(yàn),可對(duì)金屬,非金屬的原材料、加工件、成品進(jìn)行拉伸、彎曲、剝離、壓縮、壓陷、附著力、撕裂等多項(xiàng)力學(xué)實(shí)驗(yàn)及分析。多壁碳納米管/聚丙烯納米復(fù)合材料
2022-06-13 18:12:31
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? 近日,北京大學(xué)彭練矛院士/張志勇教授團(tuán)隊(duì) 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ,具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術(shù),目前該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的高靈敏碳納米管
2023-09-05 15:10:18
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,成為提高鋰電池能量密度、實(shí)現(xiàn)快充快放和提升循環(huán)壽命的關(guān)鍵輔材。在過去的幾年里,碳納米管導(dǎo)電漿料的需求急劇增長(zhǎng),尤其是在下游動(dòng)力電池企業(yè)中,為碳納米管導(dǎo)電劑的市場(chǎng)帶來(lái)了蓬勃發(fā)展。
2023-10-27 17:41:23
5386 IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來(lái)多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步,并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是,它可能會(huì)導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類別的開發(fā)。
2023-12-26 10:12:55
1206 研究中,他們提出了一種頂柵互補(bǔ)碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)(Top Gate complementary CNT MOSFETs)。在該結(jié)構(gòu)中,通過將摻雜僅僅局限在延伸部分,而在通道保持未摻雜的狀態(tài),憑借這一架構(gòu)課題組消除了金屬電極的重疊
2024-01-05 16:08:32
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一維空心圓柱形碳納米管納米結(jié)構(gòu)自被發(fā)現(xiàn)以來(lái),在納米技術(shù)的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用。
2024-01-18 09:18:12
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。碳納米管的長(zhǎng)徑比、碳純度作為影響導(dǎo)電性的兩個(gè)核心指標(biāo),直接決定了碳納米管的產(chǎn)品性能,碳納米管管徑越細(xì),長(zhǎng)度越長(zhǎng),導(dǎo)電性能越好。 CNT具有突出的多方面性能:1)力學(xué)性能:具有極高的彈性和韌性,楊氏模量是鋼的近6倍、抗拉強(qiáng)度是鋼
2024-12-03 17:11:53
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碳納米管的主要應(yīng)用領(lǐng)域 1. 能源領(lǐng)域 碳納米管因其優(yōu)異的導(dǎo)電性和機(jī)械強(qiáng)度,在能源領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。它們可以作為電池和超級(jí)電容器的電極材料,提高儲(chǔ)能效率和充放電速率。此外,碳納米管還可
2024-12-11 17:55:03
6222 碳納米管與石墨烯的比較 碳納米管和石墨烯都是碳的同素異形體,它們具有獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),并在許多領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是兩者的主要區(qū)別: 碳納米管 石墨烯 結(jié)構(gòu) 中空管狀結(jié)構(gòu),分為單壁和多
2024-12-11 18:05:44
6303 碳納米管的導(dǎo)電性能介紹 1. 碳納米管的結(jié)構(gòu)特性 碳納米管的結(jié)構(gòu)可以看作是石墨烯(單層碳原子構(gòu)成的二維材料)卷曲而成的一維結(jié)構(gòu)。根據(jù)卷曲的方式不同,碳納米管可以分為扶手椅型、鋸齒型和手性碳納米管
2024-12-12 09:07:02
3993 碳納米管的結(jié)構(gòu)與特性解析 1. 結(jié)構(gòu)概述 碳納米管(Carbon Nanotubes,簡(jiǎn)稱CNTs)是一種由碳原子組成的納米級(jí)管狀結(jié)構(gòu)材料,具有獨(dú)特的一維納米結(jié)構(gòu)。它們可以看作是石墨烯(單層碳原子
2024-12-12 09:09:51
5900 碳納米管在光電器件中的應(yīng)用 碳納米管在光電器件中具有廣泛的應(yīng)用,這主要得益于其優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性能。以下是一些具體的應(yīng)用實(shí)例: 光電轉(zhuǎn)換器件 :碳納米管可以作為理想的光電轉(zhuǎn)換器件材料。研究者曾利用
2024-12-12 09:12:53
1635 光電探測(cè)器廣泛應(yīng)用于遙感、夜視、偵察、醫(yī)學(xué)成像、環(huán)境保護(hù)和化學(xué)檢測(cè)等領(lǐng)域,光電探測(cè)材料的結(jié)構(gòu)和性能直接影響光電探測(cè)器的性能。近期,碳納米管(CNTS)由于其獨(dú)特的光學(xué)和電學(xué)性能,已成為光電檢測(cè)中不可
2024-12-19 11:41:37
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石墨烯與碳納米管具有相似的結(jié)構(gòu)和性質(zhì),二者之間存在強(qiáng)烈的界面相互作用。通過將石墨烯與碳納米管復(fù)合,可以制備出具有優(yōu)異力學(xué)性能和導(dǎo)電性能的新型復(fù)合材料。這種復(fù)合材料在柔性電子器件、傳感器等領(lǐng)域具有廣泛
2025-01-23 11:06:47
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隨著集成電路的不斷縮小,傳統(tǒng)硅基材料逐漸接近性能極限。碳納米管,作為一種低維材料,憑借其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能,在射頻領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。 碳納米管的種類和優(yōu)勢(shì): 半導(dǎo)體性碳納米管:由于其獨(dú)特
2025-02-13 09:52:28
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評(píng)論