晶體管
安泰小課堂
發(fā)布于 :2025年12月05日 17:20:57
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡(luò),單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個電阻器組成,一個是串聯(lián)基極電阻器,另一個是基極-發(fā)射極
發(fā)表于 11-24 16:27
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電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章,這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示:
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時
發(fā)表于 11-17 07:42
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,0.45-6.0
發(fā)表于 09-18 18:33
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
發(fā)表于 09-15 15:31
晶體管光耦(PhotoTransistorCoupler)是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件,用于實現(xiàn)電路之間的電氣隔離,同時傳遞信號或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
發(fā)表于 06-20 15:15
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工藝的持續(xù)發(fā)展提供了新的方向。
根據(jù)imec的一篇最新論文,imec的研究人員引入了一種名為“外壁叉片”(outer wall forksheet)的新型晶體管布局,預(yù)計該布局將從A10代(1納米
發(fā)表于 06-20 10:40
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié),隧道穿透
發(fā)表于 05-16 17:32
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晶體管(Transistor)是一種?半導(dǎo)體器件?,用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,幾乎所有電子設(shè)備(從手機(jī)到超級計算機(jī))都依賴晶體管實現(xiàn)功能。以下
發(fā)表于 05-16 10:02
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多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
發(fā)表于 04-15 10:24
晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨器電路設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計,電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作,進(jìn)晶體管
發(fā)表于 04-14 17:24
本書主要介紹了晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨電路的設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計和制作,柵極接地放大電路的設(shè)計,電流反饋行型op放大器的設(shè)計與制作
發(fā)表于 03-07 13:55
這本書介紹了晶體管的基本特性,單管電路的設(shè)計與制作, 雙管電路的設(shè)計與制作,3~5管電路的設(shè)計與制作,6管以上電路的設(shè)計與制作。書中具體內(nèi)容有:直流工作解析,交流工作解析,接地形式,單
發(fā)表于 02-26 19:55
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵或圍柵(GAA
發(fā)表于 01-24 10:03
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光速電場型多值晶體管的結(jié)構(gòu)
發(fā)表于 12-27 08:08
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