功率晶體管（GTR）
2009-12-10 14:22:43
9447 雙極性步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路則如圖2所示，它會(huì)使用八顆晶體管來(lái)驅(qū)動(dòng)兩組相位。雙極性驅(qū)動(dòng)電路可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)四線式或六線式步進(jìn)電機(jī)，雖然四線式電機(jī)只能使用雙
2010-06-11 09:28:246748 
本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
2022-08-01 09:03:572704 
大功率LED燈串（例如汽車前燈中用的燈串）要求電流恒定，也就是無(wú)論環(huán)境溫度和輸入電壓如何波動(dòng)變化，電流都保持穩(wěn)定。電流穩(wěn)定可以確保LED燈串的亮度水平恒定，有助于延長(zhǎng)其工作壽命。驅(qū)動(dòng)功率LED有幾種解決方案。較完善的分立式方案是將精密并聯(lián)穩(wěn)壓器和功率雙極性晶體管組合，采用電流吸收器配置。
2023-02-03 10:17:131101 
晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電，故稱之為雙極性晶體管(BJT)，也稱為半導(dǎo)體三極管，以下簡(jiǎn)稱晶體管。
2023-02-03 15:43:1410467 
雙極性晶體管(英語(yǔ)：bipolar transistor)，全稱雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor, BJT)，俗稱三極管，是一種具有三個(gè)終端的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成，晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。
2023-02-24 17:49:516341 
雙極型晶體管，電子工業(yè)的基石，引領(lǐng)著人類科技發(fā)展的重要引擎。
2023-12-28 15:55:255400 
雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT），也被稱為半導(dǎo)體三極管或三極管，是一種具有三個(gè)終端的電子器件。它由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體組成，這三部分分別是發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。這種晶體管的工作方式涉及電子和空穴兩種載流子的流動(dòng)，因此被稱為雙極性的。
2024-02-19 15:15:055231 
達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達(dá)林頓對(duì)（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大，從而提供比其中任意一個(gè)雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:5313533 
電力晶體管（Giant Transistor——GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時(shí)也稱為Power BJT。但其驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，驅(qū)動(dòng)功率大。
2024-03-07 17:06:382690 
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時(shí)，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測(cè)，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化，(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓，(4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號(hào)的小功率晶體管，可根據(jù)電路的要求選擇晶體管的材料與極性，還要考慮被選晶體管的耗散
2012-01-28 11:27:38
、上位機(jī)等，給新手綜合學(xué)習(xí)的平臺(tái)，給老司機(jī)交流的平臺(tái)。所有文章來(lái)源于項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)，屬于原創(chuàng)。一、原理介紹晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電，故稱之為雙極性晶體管(BJT),又稱半導(dǎo)體三...
2021-07-21 06:31:06
為大家奉上GP,multisim對(duì)雙極性晶體管模型進(jìn)行模擬分析是基于GP模型的。
2016-01-16 09:13:21
脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙
2021-04-01 10:11:46
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的大功率脈沖晶體管，該系統(tǒng)工作在2.7-2.9 GHz的瞬時(shí)帶寬上。 在C類模式下工作時(shí)，該通用基礎(chǔ)設(shè)備在100μs脈沖寬度和10％占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管，專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20％的占空比工作，在瞬時(shí)工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)...
2022-02-16 06:48:11
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
PNP雙極型晶體管的設(shè)計(jì)
2012-08-20 08:29:56
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過(guò)一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
類型。3.2 晶體管的種類及其特點(diǎn)》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時(shí)被稱為功率BJT。特點(diǎn)：電壓高，電流大，開關(guān)特性好，驅(qū)動(dòng)功率高，但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級(jí)、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器?！ ∵_(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對(duì)，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標(biāo)本實(shí)驗(yàn)旨在研究如何利用零增益概念來(lái)產(chǎn)生穩(wěn)定（對(duì)輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
和功率密度方面的性能越好。此外，GaN功率晶體管具有在AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)上形成的橫向二維電子氣體（2DEG）通道，該異質(zhì)結(jié)沒(méi)有固有的雙極體二極管。無(wú)體二極管意味著沒(méi)有Qrr，這意味著由于MOSFET
2023-02-27 09:37:29
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開關(guān)頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21
方向上受控，在反向方向上不受控)。絕緣柵極雙極性晶體管的工作原理和柵極驅(qū)動(dòng)電路與 n 溝道功率 MOSFET 非常相似?；緟^(qū)別在于 IGBT 中，當(dāng)電流通過(guò)處于“ ON”狀態(tài)的器件時(shí)，主導(dǎo)通道所提
2022-04-29 10:55:25
回波，從而對(duì)遙遠(yuǎn)目標(biāo)進(jìn)行探測(cè)成像。在這種要求苛刻的應(yīng)用中，這些脈沖系統(tǒng)電源采用的晶體管必須具備很高的能效，并能在各種工作條件下驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定的信號(hào)。高能效帶來(lái)低熱量輸出，而高可靠性使得可以在700瓦輸出功率下
2018-11-29 11:38:26
雙極性晶體管與MOSFET對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-04-20 06:36:55
采用雙極性晶體管的基準(zhǔn)電源電路
2019-09-10 10:43:51
用于隔離柵雙極性晶體管(IGBT)的富士混合IC 驅(qū)動(dòng)器使用說(shuō)明
介紹:隔離柵雙極性晶體管（IGBT）正日益廣泛地應(yīng)用于小體積，低噪音，高特性的電源，逆變器，不間斷電源（UPS
2009-01-21 13:41:30
21 高頻晶體管的特性與使用技巧目前已經(jīng)商品化的高頻晶體管，大致上可分成:Si—BJT(BJT:Bipolar Junction Transistor，雙極性接點(diǎn)晶體管)Si—MOSFETSi—JFETGaAs—MESFETGaAs—HEMT
2009-10-04 09:31:0544
能驅(qū)動(dòng)1A功率晶體管的光電隔離器驅(qū)動(dòng)電路
2007-08-20 15:27:571124 
采用雙極性晶體管的基準(zhǔn)電源電路圖
2009-05-12 22:58:461052 
大功率晶體管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)及其應(yīng)用
摘要：介紹了大功率晶體管（GTR）基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，分析了基極驅(qū)動(dòng)電路的要求
2009-07-09 10:36:404644 
晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534989 什么是絕緣柵極雙極性晶體管
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質(zhì)上是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè)P型層.根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)IEC/TC(CO)1
2010-03-05 15:49:224527 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 (一)晶體管材料與極性的判別,1.從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性 國(guó)產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性
2011-09-29 14:18:173431 （一）晶體管材料與極性的判別 1.從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性 國(guó)產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母AD表示晶體管的材料和極性。其中，A代表鍺材料PNP型管，B代表鍺
2012-07-23 15:38:001476 嚴(yán)格意義上講，晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT
2018-03-01 15:37:4743156 本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的簡(jiǎn)稱，在電力半導(dǎo)體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經(jīng)被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結(jié)構(gòu)。
2018-03-05 16:12:1427407 
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay
2018-03-27 13:48:5249036 雙極性晶體管（英語(yǔ)： bipolar transistor），全稱雙極性結(jié)型晶體管（bipolar junction transistor， BJT），俗稱三極管，是一種具有三個(gè)終端的電子器件。雙
2018-03-27 14:09:5634382 工藝的不同可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管;其還可根據(jù)電流容量的不同、工作頻率的不同、封裝結(jié)構(gòu)的不同等分類方式分為不同的種類。但晶體管多指晶體三極管，主要分為雙極性晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），接下來(lái)我們就以BJT和FET為例來(lái)講述晶體管的工作原理。
2019-04-09 14:18:3136638 雙極性晶體管（英語(yǔ)：bipolar transistor），全稱雙極性結(jié)型晶體管（bipolar junction transistor， BJT），俗稱三極管，是一種具有三個(gè)終端的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成，晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。
2019-09-13 10:57:0011074 場(chǎng)效應(yīng)管中，導(dǎo)電過(guò)程是多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，故稱為單極型晶體管；雙極型晶體管中既有多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)又有少子的漂移運(yùn)動(dòng)。
2019-09-13 11:04:0020372 雙極性晶體管（英語(yǔ)：bipolar transistor），全稱雙極性結(jié)型晶體管（bipolar junction transistor， BJT），俗稱三極管，是一種具有三個(gè)終端的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成，晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。
2020-08-07 16:37:3612615 
雙極晶體管」。 IGBT晶體管是半導(dǎo)體器件的一種，主要被用于電動(dòng)汽車、鐵路機(jī)車及動(dòng)車組的交流電電動(dòng)機(jī)的輸出控制等領(lǐng)域。 IGBT晶體管是由BJT（雙極型晶體或雙極性晶體管，俗稱三極管）和MOSFET（絕緣
2021-02-03 17:37:1515588 雙極型晶體管的原理 雙極型晶體管是一種電流同時(shí)控制電子和空穴的導(dǎo)電，是最普及的一種功率晶體管，具有體積小、質(zhì)量輕、耗電少、壽命長(zhǎng)、可靠性高的特點(diǎn)。 雙極型晶體管原理： 對(duì)于PNP型器件，需要將兩組
2021-08-18 17:24:336327 雙極型晶體管原理：對(duì)于PNP型器件，需要將兩組電源極性反接， 集電極高的反向偏壓。
2022-01-04 10:11:206636 Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。...
2022-02-09 12:34:232 上篇對(duì)雙極性晶體管的放大作用做了一下簡(jiǎn)單分析，知道了要實(shí)現(xiàn)放大作用，不但靜態(tài)下要滿足條件，動(dòng)態(tài)下也對(duì)電路有所要求。本篇就介紹一下關(guān)于靜態(tài)分析的相關(guān)內(nèi)容。
2022-08-14 16:39:073142 
首先介紹了雙極性晶體管（BJT）的工作原理，接著演示了晶體管的伏安（I-V）特性，電流增益（current gain）和輸出電導(dǎo)（conductance）。高能注入和重?fù)诫s帶來(lái)的能帶狹窄也會(huì)介紹到
2022-12-05 11:20:091710 首先介紹了雙極性晶體管（BJT）的工作原理，接著演示了晶體管的伏安（I-V）特性，電流增益（current gain）和輸出電導(dǎo)（conductance）。高能注入和重?fù)诫s帶來(lái)的能帶狹窄也會(huì)介紹到。
2023-02-02 14:15:302609 
為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-02-10 16:56:411096 功率晶體管的參數(shù)主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數(shù)都會(huì)影響功率晶體管的性能，因此在選擇功率晶體管時(shí)，應(yīng)該根據(jù)實(shí)際應(yīng)用來(lái)選擇合適的參數(shù)。
2023-02-17 14:29:373679 NPN晶體管是由N型晶體管和P型晶體管組成的，它可以控制電流的流動(dòng)方向，并且可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)電路的開關(guān)控制。NPN晶體管的特點(diǎn)是可以控制電流的流動(dòng)方向，可以實(shí)現(xiàn)電路的開關(guān)控制，并且具有較高的靜態(tài)電流增益。
2023-02-24 16:41:109316 
為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-04-24 09:09:551026 
雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，簡(jiǎn)稱BJT)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電子和空穴的雙極性導(dǎo)電性質(zhì)的三極管。與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管的控制電流較大，但具有高電流放大系數(shù)和高頻特性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:23:138032 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-20 15:19:121228 
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-05-24 12:15:481106 
LED 有幾種解決方案。較完善的分立式方案是將精密并聯(lián)穩(wěn)壓器和功率雙極性晶體管組合，采用電流吸收器配置。 ? 分立式LED驅(qū)動(dòng)電路圖 在升壓轉(zhuǎn)換器的輸出級(jí)使用線性調(diào)節(jié)，可將 24 V 電源電壓轉(zhuǎn)換為 72 V，為兩個(gè)并聯(lián)的 LED 燈串提供所需的高電壓。兩
2023-09-19 03:17:18648 
在電源與充電樁等高功率應(yīng)用中，通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管？ 電源與充電樁等高功率應(yīng)用通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管，主要是出于以下幾個(gè)方面的考慮。 首先，最后一級(jí)
2023-10-22 14:47:331149 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用基于三相絕緣柵極雙極性晶體管 (IGBT)的逆變器應(yīng)用筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-29 11:05:315 晶體管的極性區(qū)別可通過(guò)圖形、黑點(diǎn)等標(biāo)記來(lái)進(jìn)行。該種識(shí)別技巧要牢記掌握，常見晶極管電極引腳有橢圓形和直線形排列。
2024-03-11 10:34:522227 
PNP晶體管是一種雙極性晶體管，用于電子電路中放大、開關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對(duì)應(yīng)，PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在于其三個(gè)不同的半導(dǎo)體區(qū)域：正極（P型）、負(fù)極（N型）、正極（P型）。這種結(jié)構(gòu)使得PNP晶體管在電流流動(dòng)方向和電荷類型上與NPN晶體管有所不同，但其工作原理基本相同。
2024-07-01 17:45:329210 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）和雙極性晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡(jiǎn)稱BJT，也稱雙極性結(jié)型晶體管）是兩種常見的半導(dǎo)體
2024-08-13 17:42:004535 晶體管的極性，是一個(gè)在電子學(xué)領(lǐng)域具有基礎(chǔ)且重要意義的概念。為了全面闡述晶體管的極性，我們需要從其定義、分類、工作原理、極性的具體表現(xiàn)以及在實(shí)際應(yīng)用中的意義等多個(gè)方面進(jìn)行深入探討。
2024-09-14 15:39:012017 經(jīng)典的雙極性晶體管(BJT- Bipolar Junction Transistor)的物理原理已有大約100年的歷史，可追溯到Julius E Lilienfeld進(jìn)行的開創(chuàng)性研究，它構(gòu)成了現(xiàn)代
2025-01-10 16:01:501488 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)展其雙極性晶體管(BJT)產(chǎn)品組合，推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名為MJPE系列
2025-07-18 14:19:472332
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