先說個冷笑話，IGBT，不是LGBT，不是性少數(shù)群體的意思……好了，回到正題。

IGBT晶體管，英文全稱是「Insulated Gate Bipolar Transistor」，中文名叫「絕緣柵雙極晶體管」。

IGBT晶體管是半導體器件的一種，主要被用于電動汽車、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制等領域。

IGBT晶體管是由BJT（雙極型晶體或雙極性晶體管，俗稱三極管）和MOSFET（絕緣柵型場效應管，也叫IGFET，Insulated Gate Field Effect Transister）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，它兼有MOSFET的驅動電流小，以及BJT導通電阻低兩方面的優(yōu)點（傳統(tǒng)的BJT導通電阻小，但是驅動電流大，而MOSFET的導通電阻大，卻驅動電流?。?。

正是由于IGBT晶體管結合了MOSFET的高電流單柵控制特性及BJT的低飽和電壓的能力，在單一的IGBT器件里，會通過過把一個隔離的FET（場效應晶體管）結合，作為其控制輸入，并以BJT作開關。

IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。

實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏溝道，而這個溝道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS（on）特性，但是在高耐壓的器件上，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE（sat）的能力，以及IGBT的結構，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅動器的原理圖。

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