本內(nèi)容講解了氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),與現(xiàn)有技術(shù)相比，氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢(shì)在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和更高的結(jié)溫操作
2011-12-12 15:19:28
1773 65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。
又過(guò)了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過(guò)1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通，這個(gè)系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái)，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
手機(jī)甚至出廠就直接標(biāo)配氮化鎵快充，也讓更多用戶接觸到氮化鎵快充小巧便攜高性能的特性。未來(lái)，氮化鎵快充除了在消費(fèi)電子市場(chǎng)繼續(xù)增長(zhǎng)外，也會(huì)在 PC 電源、新能源汽車等更多行業(yè)上得到應(yīng)用，達(dá)到全面開(kāi)花
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來(lái)越多充電器開(kāi)始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來(lái)很小，但是功率一般很大，可以給手機(jī)平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn)，下文簡(jiǎn)單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個(gè)名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開(kāi)始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
趕上甚至超過(guò)了成本昂貴的硅上氮化鎵產(chǎn)品的替代技術(shù)。我們期待這項(xiàng)合作讓這些GaN創(chuàng)新在硅供應(yīng)鏈內(nèi)結(jié)出碩果，最終服務(wù)于要求最高的客戶和應(yīng)用?！币夥ò雽?dǎo)體汽車與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
可以做得更大，成長(zhǎng)周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛，在雷達(dá)、軍事通信、無(wú)線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
）行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 SMPS ODM需要置身于滿足這些標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)半導(dǎo)體器件和主動(dòng)組件的供應(yīng)商網(wǎng)絡(luò)中。對(duì)于氮化鎵來(lái)說(shuō)，在更關(guān)鍵的電子子系統(tǒng)之一，符合AEC標(biāo)準(zhǔn)的器件已經(jīng)存在，即電源開(kāi)關(guān)器件和柵極驅(qū)動(dòng)器
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面，根據(jù)實(shí)際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過(guò)采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實(shí)現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng)，同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
幾十倍、甚至上百倍的數(shù)量增加，因此成本的控制非常關(guān)鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優(yōu)勢(shì)，隨著硅基氮化鎵技術(shù)的成熟，它能以最大的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)取得市場(chǎng)的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
受到市場(chǎng)相當(dāng)不錯(cuò)的回響，應(yīng)用需求也越來(lái)越多。近年來(lái)在消費(fèi)性電源領(lǐng)域引發(fā)話題的手機(jī)快速充電、USB-PD等技術(shù)，就是氮化鎵組件可以大展身手的舞臺(tái)。和電動(dòng)車的情況類似，快速充電也是智能型手機(jī)或便攜設(shè)備
2021-09-23 15:02:11
客戶測(cè)試后再進(jìn)行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方，麥科信工程師對(duì)測(cè)試過(guò)程提供了技術(shù)支持。測(cè)試背景：3C消費(fèi)類產(chǎn)品，其電源采用氮化鎵（GaN）半橋方案。測(cè)試目的：氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds，分析
2023-02-01 14:52:03
的測(cè)試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過(guò)程中的諸多細(xì)節(jié)問(wèn)題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿意。但通過(guò)共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能簡(jiǎn)介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
已經(jīng)在電池上采用多極耳，多條連接線來(lái)降低大電流的發(fā)熱。氮化鎵的低阻抗優(yōu)勢(shì)，可以有效的降低快充發(fā)熱。應(yīng)用在手機(jī)電池保護(hù)板上，可以支持更高的快充功率，延長(zhǎng)快充持續(xù)時(shí)間，獲得更好的快充體驗(yàn)。同時(shí)氮化鎵屬于寬禁
2023-02-21 16:13:41
這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過(guò)程相結(jié)合，以更低的成本進(jìn)行廣泛使用，從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比，射頻能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
阻礙業(yè)界在各種應(yīng)用中采納氮化鎵器件，例如氮化鎵器件不僅使能激光雷達(dá)應(yīng)用，而且在硅MOSFET以前占據(jù)主導(dǎo)地位的傳統(tǒng)應(yīng)用中，如數(shù)據(jù)中心和車載電子，也逐漸轉(zhuǎn)用氮化鎵器件。本文將揭穿關(guān)于氮化鎵技術(shù)的最常見(jiàn)誤解
2023-06-25 14:17:47
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
、設(shè)計(jì)和評(píng)估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營(yíng)銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì)，被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵(GaN)技術(shù)超越硅 實(shí)現(xiàn)更高電源轉(zhuǎn)換效率——來(lái)自安森美半導(dǎo)體Onsemi
2015-12-23 11:06:20
28 隨著2019年5G的正式布局，高效化和智能化已經(jīng)成為每一個(gè)照明企業(yè)都無(wú)法回避的問(wèn)題，各大企業(yè)紛紛布局，通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)。其中氮化鎵（GaN）的方案與技術(shù)最為突出，在2019年掀起電源行業(yè)一波波熱潮
2020-03-28 10:46:101926 2020年氮化鎵快充技術(shù)的商用正式進(jìn)入快車道，尤其是隨著數(shù)碼產(chǎn)品大功率快充以及5G時(shí)代的到來(lái)，氮化鎵技術(shù)在消費(fèi)類電源領(lǐng)域的發(fā)展如魚得水，市場(chǎng)容量增速迅猛。氮化鎵快充市場(chǎng)的爆發(fā)，帶來(lái)的不僅是功率器件
2021-01-08 16:06:293915 的行業(yè)痛點(diǎn)問(wèn)題，安睿信科技現(xiàn)已推出基于國(guó)內(nèi)氮化鎵功率器件。 英諾賽科InnoGaN?的INN650設(shè)計(jì)出一系列大功率充電器方案，例如：下面介紹的這款已投放市場(chǎng)批量生產(chǎn)應(yīng)用的65w氮化鎵充電器方案。 GaN氮化鎵65W PD電源方案特點(diǎn)： （1）65W輸出
2022-06-02 15:32:523981 
氮化鎵已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備
2022-11-02 08:16:291 氮化鎵已為數(shù)字電源控制應(yīng)用做好準(zhǔn)備
2022-11-04 09:50:551 普通消費(fèi)者，甚至對(duì)氮化鎵了解不多的工程師，普遍認(rèn)為氮化鎵只能實(shí)現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實(shí)，因?yàn)樵鰪?qiáng)型氮化鎵目前只有QFN/DFN和TOLL等貼片封裝形式，在中大功率應(yīng)用場(chǎng)景的散熱問(wèn)題難以解決。
2022-11-25 15:41:282258 隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展，氮化鎵也應(yīng)用在了很多新興領(lǐng)域，充電頭網(wǎng)此次選取了手機(jī)、車充、PC電源、服務(wù)器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場(chǎng)景，幫助大家掌握氮化鎵應(yīng)用的最新動(dòng)態(tài)。
2023-02-02 17:52:312470 器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。 氮化鎵技術(shù)是指一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體，具有相對(duì)寬的帶隙。所以寬帶隙器件可以在高壓、高溫、高頻率下工作。
2023-02-03 14:14:454119 氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度
2023-02-05 10:24:522352 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:355312 氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及芯片等主要應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-02-07 09:36:562410 
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢(shì)，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域；硅基氮化鎵功率器件主要應(yīng)用于電力電子器件領(lǐng)域。雖然
2023-02-10 10:52:524734 
3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
2023-02-12 17:32:164697 硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結(jié)合在一起，形成一種新的復(fù)合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:582277 氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù)？ 氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù)
2023-02-16 17:48:445868 來(lái)源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來(lái)，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:204101 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來(lái)源。
2023-02-25 17:25:151497 Electronic緊緊錨定氮化鎵自主創(chuàng)新，后發(fā)追趕全力競(jìng)速。氮化鎵賦能UE智能插座成效顯著，UE電源技術(shù)取得長(zhǎng)足進(jìn)步，彰顯發(fā)展活力與韌性。從硅到氮化鎵的快速應(yīng)用，是UE電源技術(shù)蓬勃發(fā)展的生動(dòng)腳注。 智能插座研發(fā)的既有路徑是通過(guò)采集數(shù)據(jù)“海量篩選”，
2023-03-08 17:28:511079 緊緊錨定氮化鎵自主創(chuàng)新，后發(fā)追趕全力競(jìng)速。氮化鎵賦能UE智能插座成效顯著，UE電源技術(shù)取得長(zhǎng)足進(jìn)步，彰顯發(fā)展活力與韌性。從硅到氮化鎵的快速應(yīng)用，是UE電源技術(shù)蓬勃發(fā)
2023-03-09 10:13:261231 
相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對(duì)于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:2310672 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用，以及氮化鎵解決方案如何實(shí)現(xiàn)更高的能效。
2023-10-13 16:02:051619 
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，充電技術(shù)也在發(fā)生著前所未有的變革，而隨著其中，氮化鎵充電頭已成為人們關(guān)注的新熱點(diǎn)。那么，氮化鎵充電頭的原理是什么呢？KeepTops將為您詳細(xì)闡述氮化鎵充電頭的制作、工作原理及應(yīng)用。
2023-10-20 16:04:064631 
氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實(shí)際使用場(chǎng)景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場(chǎng)景。首先要明確使用的具體場(chǎng)景，如音頻、視頻、計(jì)算還是其他應(yīng)用場(chǎng)景。不同的場(chǎng)景對(duì)氮化鎵芯片的性能和特點(diǎn)要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時(shí)，要充分考慮應(yīng)用的場(chǎng)景。
2023-10-26 17:02:181576 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下，產(chǎn)生紫光(405nm)激光。 GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為17
2023-11-24 11:05:117181 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過(guò)程和所
2023-11-24 11:15:206429 、電子設(shè)備領(lǐng)域： 1.1 功率放大器：氮化鎵技術(shù)在功率放大器的應(yīng)用中具有重要的意義。相比傳統(tǒng)的硅基功率放大器，氮化鎵功率放大器具有更高的功率密度、更高的效率和更寬的頻率范圍。因此，它們廣泛用于射頻通信、雷達(dá)、無(wú)線電和太赫
2024-01-09 18:06:363961 氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)。氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)屬于六方晶系，也被稱為wurtzite結(jié)構(gòu)。在氮化鎵的晶格中，鎵原子與氮原子以共價(jià)鍵相連，形成一個(gè)密排的晶體結(jié)構(gòu)。在該晶體結(jié)構(gòu)中，鎵原子和氮原子是以六邊形密堆積的形式排列。 氮化鎵晶體
2024-01-10 10:03:216728 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，由氮?dú)夂徒饘?b class="flag-6" style="color: red">鎵反應(yīng)得到。它具有優(yōu)異的光電特性和熱穩(wěn)定性，因此在電子器件、光電器件、化學(xué)傳感器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。本文將從氮化鎵的制備方法、特性、應(yīng)用等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹
2024-01-10 10:06:302384 的結(jié)構(gòu)通常采用六方晶系，屬于閃鋅礦型結(jié)構(gòu)。在氮化鎵晶體中，鎵原子和氮原子交替排列，形成緊密堆積的晶格結(jié)構(gòu)。氮化鎵晶體中含有三維的GaN基底，其晶格常數(shù)約為a=0.3162 nm和c=0.5185 nm。 制備方法： 氮化鎵的制備方法有多種，其中最常用的
2024-01-10 10:18:336032 氮化鎵快充技術(shù)主要通過(guò)將氮化鎵功率器件應(yīng)用于充電器、電源適配器等充電設(shè)備中，以提高充電效率和充電速度。光耦技術(shù)作為一種能夠?qū)㈦娦盘?hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)并實(shí)現(xiàn)電氣與光學(xué)之間隔離的器件，為氮化鎵快充技術(shù)的安全性和穩(wěn)定性提供了全方位的保障。
2024-06-26 11:15:051144 
本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
景和技術(shù)需求。 氮化鎵（GaN）的優(yōu)勢(shì) 高頻與高效率 ：氮化鎵具有高電子遷移率和低電阻率，使得它在高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。例如，在5G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信等需要高頻工作的領(lǐng)域，氮化鎵器件能夠提供更高的工作頻率和更大的
2024-09-02 11:37:167233 在消費(fèi)類快充電源市場(chǎng)中，氮化鎵有著廣泛的應(yīng)用，如今已有數(shù)十家主流電源廠商開(kāi)辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的氮化鎵快充新品多達(dá)數(shù)百款。氮化鎵電源芯片正呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)，小伙伴們一定要關(guān)注起來(lái)，不要錯(cuò)過(guò)氮化鎵持續(xù)拓展市場(chǎng)的巨大潛力！
2024-12-24 16:06:001241 氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對(duì)默契的搭檔，通過(guò)緊密配合，顯著提升電源效率。在開(kāi)關(guān)電源的工作過(guò)程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開(kāi)關(guān)速度和高頻率的開(kāi)關(guān)能力，能夠迅速地切換電路狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)
2025-01-15 16:08:501734 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02950 氮化鎵（GaN）技術(shù)為電源行業(yè)提供了進(jìn)一步改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換的機(jī)會(huì)，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來(lái)，硅基半導(dǎo)體一直主導(dǎo)著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性和電氣特性已得到充分了解，使其成為電子行業(yè)
2025-08-21 06:40:348328 
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