源測(cè)量單元（SMU）可同時(shí)輸出和測(cè)量電壓、電流，廣泛用于器件與材料的I-V特性表征，尤其擅長(zhǎng)低電流測(cè)量。在測(cè)試系統(tǒng)中存在長(zhǎng)電纜或高寄生電容的情況下，部分SMU可能因無法容忍負(fù)載電容而產(chǎn)生讀數(shù)噪聲或振蕩。
2025-06-04 10:19:37
1042 
可以通過很多方式在bioFETs上進(jìn)行DC I-V測(cè)試。最簡(jiǎn)便的方式是使用多個(gè)源測(cè)量單元（SMUs），SMU是一種同時(shí)提供和測(cè)量電流和電壓的儀器。
2021-04-28 09:47:572032 
利用源表SMU可以靈活的進(jìn)行電阻測(cè)量I-V測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件(DUT)施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)。根據(jù)待測(cè)器件(DUT)的不同，信號(hào)電平可能相當(dāng)?shù)?需要高靈敏度源和測(cè)量?jī)x器及測(cè)試技術(shù)
2024-06-06 15:43:312306 
曲線追蹤儀是一種基礎(chǔ)電子測(cè)試設(shè)備，通過分析半導(dǎo)體器件（如二極管、晶體管、晶閘管等）的特點(diǎn)，用來執(zhí)行I-V曲線追蹤。它們通常用于器件可靠性應(yīng)用中，如故障分析和參數(shù)表征。
2021-09-14 10:51:522752 
，幾乎沒有開關(guān)特性的溫度依存性。圖3: 開關(guān)溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th)(界限値)關(guān)于MOSFET的VGS(th)MOSFET開啟時(shí)，GS (柵極、源極) 間需要的電壓稱為VGS(th
2019-04-10 06:20:15
綜合了如下功能：精密電壓源、高精度 電流源、數(shù)字多用表、任意波形發(fā)生器、電壓或電流脈沖發(fā)生器、電子負(fù)載以及觸發(fā)控制器 代碼后向兼容2600 系列數(shù)字源表，便于更換 TSP Express軟件工具實(shí)現(xiàn)快速、便捷的I-V測(cè)試 精密定時(shí)和信道同步(
2021-12-11 12:39:35
直流、10A脈沖/100fA- 電壓最大值/最小值：200V/100nV2611B源表一般特性- 內(nèi)建“即插即用”基于Java的I-V特性分析和測(cè)試軟件- TSP®（測(cè)試腳本處理）技術(shù)在
2020-07-17 11:34:17
小值：3A直流、10A脈沖/100fA- 電壓zui大值/zui小值：40V/100nV吉時(shí)利Keithley雙通道源表SMU一般特性- 內(nèi)建“即插即用”基于Java的I-V特性分析和測(cè)試軟件
2021-01-11 13:30:37
充放電循環(huán)系統(tǒng)等；普賽斯源表應(yīng)用領(lǐng)域：分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試，電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC等；能量與效率特性測(cè)試，LED/AMOLED
2020-04-17 16:32:29
MOSFET模型仿真驗(yàn)證Id_Vds有效性MOSFET模型導(dǎo)通電壓Vgs(th)驗(yàn)證MOSFET模型導(dǎo)通電阻測(cè)試驗(yàn)證與體二極管I-V特性測(cè)試電路搭建MOSFET模型體二極管正向電流與正向電壓關(guān)系I_V性能仿真驗(yàn)證
2017-04-12 20:43:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
labview measure I-V是自帶的嗎？為什么我在文件夾里找不到？
2015-12-14 10:18:24
如何進(jìn)行超快I-V測(cè)量？下一代超快I-V測(cè)試系統(tǒng)關(guān)鍵的技術(shù)挑戰(zhàn)有哪些?
2021-04-15 06:33:03
2.0、LXI-C、GPIB、RS-232以及數(shù)字I/O接口?免費(fèi)軟件驅(qū)動(dòng)與開發(fā)/調(diào)試工具?可選配ACS-Basic版本半導(dǎo)體器件特性分析軟件典型應(yīng)用：各種器件的I-V功能測(cè)試和特征分析，包括：?分立
2020-09-07 15:38:36
值/較小值：40V/100nV一般特性- 內(nèi)建“即插即用”基于Java的I-V特性分析和測(cè)試軟件- TSP?（測(cè)試腳本處理）技術(shù)在測(cè)量?jī)x器內(nèi)嵌入了完整測(cè)試程序- TSP-Link?擴(kuò)展技術(shù)面向多通道
2021-11-04 10:17:26
儀器 全國(guó)上門回收售出儀器均可免費(fèi)保修3個(gè)月-12個(gè)月不等Keithley 2635A 數(shù)字源表提供高速的源--測(cè)量能力，加上先進(jìn)的自動(dòng)控制特性和省時(shí)的軟件工具，使其成為對(duì)多數(shù)器件進(jìn)行I-V測(cè)試的理想
2021-11-19 11:58:20
。? * ?一個(gè)緊湊的單元中綜合了如下功能：精密電壓源、高精度電流源、數(shù)字多用表、任意波形發(fā)生器、電壓或電流脈沖發(fā)生器、電子負(fù)載以及觸發(fā)控制器 代碼后向兼容2 6 0 0系列數(shù)字源表，便于更換 TSP? Express軟件工具實(shí)現(xiàn)快速、便捷的I-V測(cè)試 精密定時(shí)和信道同步（
2021-11-29 10:38:11
I-V源-延時(shí)-測(cè)量操作的應(yīng)用，這種工具也提供了能夠快速配置和測(cè)量√離散點(diǎn)的接口。用戶可以通過圖形或者表格的方式查看數(shù)據(jù)，可以直接將數(shù)據(jù)導(dǎo)出到√.csv文件用于電子表格式應(yīng)用。對(duì)于更高級(jí)的測(cè)試需求，2600A系列數(shù)字源表的自動(dòng)√腳本生成功能簡(jiǎn)化了用戶編寫程序的過程`
2018-11-09 11:30:30
源表不像源-測(cè)量單元那樣具有極高輸入電阻測(cè)量能力。數(shù)字源表由于其內(nèi)置了源功能，所以可以用來生成一組電流－電壓（I-V）特性曲線，這對(duì)于半導(dǎo)體器件和材料的測(cè)試是非常有用的。當(dāng)電源時(shí)可作為可編程電壓源或可
2022-04-08 16:33:47
/小值：200V/100nV一般特性~內(nèi)建“即插即用”基于Java的I-V特性分析和測(cè)試軟件~TSP?（測(cè)試腳本處理）技術(shù)在測(cè)量?jī)x器內(nèi)嵌入了完整測(cè)試程序~TSP-Link?擴(kuò)展技術(shù)面向多通道并行測(cè)試~軟件
2021-12-15 16:48:08
控制器 代碼后向兼容2600系列數(shù)字源表，便于更換TSP? Express軟件工具實(shí)現(xiàn)快速、便捷的I-V測(cè)試 精密定時(shí)和信道同步（
2018-09-04 10:49:34
光電測(cè)試技術(shù)分析有源的光電器件是一個(gè)基本的半導(dǎo)體結(jié)，為了更全面的測(cè)試，不僅要求對(duì)其做正向的I-V特性測(cè)試，也要求監(jiān)測(cè)反向的I-V特性。傳統(tǒng)的激光二極管電流驅(qū)動(dòng)在實(shí)驗(yàn)室級(jí)別是合適的，但是對(duì)于開發(fā)半導(dǎo)體
2009-12-09 10:47:38
我的程序是基于labview的I-V測(cè)試系統(tǒng)，利用串口接收數(shù)據(jù)，怎么將數(shù)據(jù)中的電流、電壓用I-V曲線波形 顯示出來？？求高手給個(gè)例程。
2012-05-31 12:37:48
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
-電容掃描測(cè)試 電容-時(shí)間掃描測(cè)試 MOS器件二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度等參數(shù)的計(jì)算 原始數(shù)據(jù)圖形化顯示和保存 MOS電容的 C-V 特性測(cè)試方案 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)： 系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、探針臺(tái)
2019-09-29 15:28:11
10MHz之間。所加載的 直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測(cè)試待測(cè)器件待測(cè)器件的交流電壓和電流，從而計(jì)算出不同電壓下的電容值。在CV特性測(cè)試方案中，同時(shí)集成了美國(guó)吉時(shí)利公司源表（SMU）和合
2019-09-27 14:23:43
半導(dǎo)體二極管的I-V特性
2019-10-16 17:32:16
控制器代碼后向兼容2600系列數(shù)字源表，便于更換TSP?Express軟件工具實(shí)現(xiàn)快速、便捷的I-V測(cè)試精密定時(shí)和信道同步（
2018-08-23 10:07:49
速度比傳統(tǒng)PC控制快200%。
TSP-Link?接口支持多通道并行測(cè)試擴(kuò)展，無需主機(jī)干預(yù)，降低系統(tǒng)復(fù)雜性和成本。
軟件與兼容性
內(nèi)置基于Java的I-V特性分析軟件，提供“即插即用”操作體驗(yàn)。
兼容
2025-08-26 17:48:58
多通道并行測(cè)試并擴(kuò)展了測(cè)試系統(tǒng)，沒有主機(jī)開銷。3A直流、10A脈沖和40V輸出的寬量程適于測(cè)試寬范圍的大電流器件、材料、組件和分裝件。2600A系列數(shù)字源表是吉時(shí)利新的I-V源-測(cè)量?jī)x器，既可以
2021-06-21 16:02:05
測(cè)試對(duì)測(cè) 試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級(jí)，這些對(duì)低噪聲源表，探針臺(tái)和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案，泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時(shí)利
2019-10-08 15:41:37
信息和測(cè)試數(shù)據(jù)可選擇 CSV 格式或者 txt 格式導(dǎo)出。 ◆系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)I-V、I-P、I-R、V-P、V-R、R-P、R-t、V/A-t、P-t的圖像。NS-SourceMeter雙通道源表程控軟件
2023-03-10 17:37:05
系列一個(gè)緊湊的單元中綜合了如下功能：精密電壓源、高精度 電流源、數(shù)字多用表、任意波形發(fā)生器、電壓或電流脈沖發(fā)生器、電子負(fù)載以及觸發(fā)控制器 代碼后向兼容2600 系列數(shù)字源表，便于更換 TSP Express軟件工具實(shí)現(xiàn)快速、便捷的I-V測(cè)試 精密定時(shí)和信道同步(
2016-07-27 18:35:30
I-V源-延時(shí)-測(cè)量操作的應(yīng)用，這種工具也提供了能夠快速配置和測(cè)量√離散點(diǎn)的接口。用戶可以通過圖形或者表格的方式查看數(shù)據(jù)，可以直接將數(shù)據(jù)導(dǎo)出到√.csv文件用于電子表格式應(yīng)用。對(duì)于更高級(jí)的測(cè)試需求，2600A系列數(shù)字源表的自動(dòng)√腳本生成功能簡(jiǎn)化了用戶編寫程序的過程`
2018-11-18 10:38:08
I-V Curve 電特性量測(cè)原理是 ，利用自動(dòng)曲線追縱儀電特性量測(cè)的方式，快速計(jì)算阻值，藉此確認(rèn)各腳位(Pin)關(guān)系并實(shí)時(shí)篩檢出異常(Open / Short)，另可產(chǎn)出曲線圖文件。 提供DC組件
2018-08-24 09:02:36
無論在研究實(shí)驗(yàn)室還是生產(chǎn)線，都要對(duì)封裝器件或在晶圓上的元器件I-V測(cè)試。元器件I-V特性分析通常需要高靈敏電流表、電壓表、電壓源和電流源。對(duì)所有分離儀器進(jìn)行編程、同步和連接，既麻煩又耗時(shí)，而且需要
2020-05-14 15:59:59
GaN PA 設(shè)計(jì)？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個(gè)很好的起點(diǎn)。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫(kù)里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計(jì)？
2019-07-31 06:44:26
大家好：我正在使用E5270B儀器對(duì)MOS器件進(jìn)行基本的I-V測(cè)量（改變漏極電壓和監(jiān)測(cè)一個(gè)柵極電壓下的漏極電流）。與設(shè)定合規(guī)性不同，我想知道一旦測(cè)量的漏極電流值達(dá)到特定點(diǎn)，是否有任何方法可以停止測(cè)量
2019-08-21 06:06:43
如何利用2420型高電流源表去測(cè)量光電池I-V特性？有哪些步驟？
2021-05-11 06:12:00
電壓源、高精度電流源、數(shù)字多用表、任意波形發(fā)生器、電壓或電流脈沖發(fā)生器、電子負(fù)載以及觸發(fā)控制器 代碼后向兼容2600系列數(shù)字源表，便于更換 TSP? Express軟件工具實(shí)現(xiàn)快速、便捷的I-V測(cè)試 精密
2018-11-07 17:26:38
、系統(tǒng)結(jié)構(gòu)：六、系統(tǒng)配置：源表：2臺(tái)雙通道SMU；連接線：237-ALG-2，Triax轉(zhuǎn)鱷魚夾連接線；七、功能介紹：1、可進(jìn)行霍爾效應(yīng)、I-V 特性、R-T 特性和 R-M 特性的測(cè)量；2、可得
2020-06-08 17:04:49
/通道）- 4象限源/測(cè)量具有6位半分辨率- 電流最大值/最小值：3A直流、10A脈沖/100fA- 電壓最大值/最小值：40V/100nV一般特性- 內(nèi)建“即插即用”基于Java的I-V特性分析和測(cè)試
2020-04-24 15:52:21
精確的光伏 I-V 特性分析用于 PV 電池板模塊的 I-V 掃描測(cè)試電路
2021-01-21 07:26:08
源、電壓/電流表、掃描分析儀、函數(shù)發(fā)生器，為這類測(cè)試提供了完美的解決方案。源表還包括可編程負(fù)載，可以測(cè)量元器件上的I-V特點(diǎn)，從幾μV到3KV，從幾fA到100A。一個(gè)很好的插件是IVy應(yīng)用，可以從
2016-08-18 16:23:38
提供了直觀的用戶界面，能夠快速設(shè)置和執(zhí)行基本的和高級(jí)的測(cè)試操作，包括用于器件特征分析應(yīng)用的嵌套式單步/掃描、脈沖掃描和用戶自定義掃描。對(duì)于需要單點(diǎn)I-V源-延時(shí)-測(cè)量操作的應(yīng)用，這種工具也提供了能夠快速
2020-06-03 17:52:05
先進(jìn)的自動(dòng)化特性及軟件工具使得吉時(shí)利2600系列數(shù)字源表系列成為廣泛用于多種器件I-V測(cè)試的理想方案。長(zhǎng)期回收 吉時(shí)利2611A 二手?jǐn)?shù)字源表-二手吉時(shí)利2611A吉時(shí)利2611型單通道系統(tǒng)源表
2021-06-01 15:32:52
晶體硅光伏（PV）方陣I-V特性的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量:本標(biāo)準(zhǔn)描述晶體硅光伏方陣特性的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量及將測(cè)得的數(shù)據(jù)外推到標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件或其他選定的溫度和輻照度條件下的程序.
2009-02-23 22:01:14
17 2600A系列數(shù)字源表：吉時(shí)利新的I-V源-測(cè)量?jī)x器，既可以用作桌面級(jí)I-V特性分析工具，也可以成為多通道I-V測(cè)試系統(tǒng)的組成部分。對(duì)于桌面級(jí)的應(yīng)用，2600A系列提供一款嵌入式TSP
2022-08-03 15:51:16
數(shù)字源表用于光電I-V測(cè)試使用手冊(cè)
吉時(shí)利數(shù)字源表系列是專為緊密結(jié)合精密電壓源和電流源以及同時(shí)測(cè)量（包括源回讀）的測(cè)試應(yīng)用要求開發(fā)的。在特性分析過
2010-03-13 09:21:5719 2600A系列數(shù)字源表使用手冊(cè)
2600A系列數(shù)字源表是吉時(shí)利最新的I-V源測(cè)量?jī)x器，可用作臺(tái)式I-V特征分析工具或者構(gòu)成多通道I-V測(cè)試系統(tǒng)的組成模塊。作為臺(tái)式儀器
2010-03-16 15:12:2432 Keithley/吉時(shí)利2602A數(shù)字源表數(shù)字源表是吉時(shí)利新的I-V源測(cè)量?jī)x器，可用作臺(tái)式I-V特征分析工具或者構(gòu)成多通道I-V測(cè)試系統(tǒng)的組成模塊。作為臺(tái)式儀器使用時(shí)，2600A系列儀器提供了一個(gè)
2024-07-22 11:41:30
描述：2600A系列數(shù)字源表是吉時(shí)利新的I-V源-測(cè)量?jī)x器，既可以用作桌面級(jí)I-V特性分析工具，也可以成為多通道I-V測(cè)試系統(tǒng)的組成部分。對(duì)于桌面級(jí)的應(yīng)用，2600A系列提供一款嵌入式TSP
2024-08-09 14:29:07
吉時(shí)利宣布推出了最新的4225-PMU超快I-V測(cè)試模塊
吉時(shí)利儀器公司今日宣布推出了最新的4225-PMU超快I-V測(cè)試模塊，進(jìn)一步豐富了4200-SCS半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng)的可選儀器系
2010-02-24 10:12:241247 光纖無源器件特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
一 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp; 1 了解光無源器件的性能參數(shù) 2 掌握一些性能參數(shù)
2010-08-22 09:50:013416 
與直流電流-電壓(I-V)和電容-電壓(C-V)測(cè)量一樣，是否能夠進(jìn)行超快I-V測(cè)量對(duì)于從事新材料、器件或工藝研發(fā)特征
2010-12-27 08:56:482325 
Ultra-fast I-V tests (pulsed I-V, transient I-V, and pulsed sourcing ) have become increasingly
2011-03-28 17:15:140 脈沖測(cè)試為人們和研究納米材料、納米電子和目前的半導(dǎo)體器件提供了一種重要手段。在加電壓脈沖的同時(shí)測(cè)量直流電流是電荷泵的基本原理
2011-05-11 11:49:242280 
新推出的2401型數(shù)字源表與所有吉時(shí)利SMU(源測(cè)量單元)儀器一樣，對(duì)光伏(太陽(yáng)能)電池、高亮度LED(HBLED)、低壓材料和半導(dǎo)體器件的電流與電壓(I-V)特性分析以及電阻測(cè)量等高精度測(cè)試應(yīng)用進(jìn)
2011-12-05 16:57:151113 利用吉時(shí)利2450或2460型觸摸屏數(shù)字源表，可以輕松生成這些I-V特性，該儀器可以提供電流和電壓源和測(cè)量。由于2450型和2460型數(shù)字源表儀器都具有4象限源能力，因此它們可以起到施加電壓的作用
2015-05-28 11:23:47125 本文提出了一種基于拉格朗日插值多項(xiàng)式的光伏電池I-V特性的新的建模方法。該方法利用桑迪亞（Sandia）國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室I-V特性曲線上的五個(gè)點(diǎn)的值作為節(jié)點(diǎn)進(jìn)行拉格朗日插值，最終得到 特性顯式表達(dá)
2016-01-04 17:13:4922 本文詳細(xì)介紹了用4225-PRM遠(yuǎn)程放大器_開關(guān)模型實(shí)現(xiàn)對(duì)DC I-V、C-V、脈沖I-V測(cè)量的自動(dòng)轉(zhuǎn)換。
2017-11-15 15:29:0515 而且對(duì)于高電導(dǎo)率材料的電阻測(cè)量都非常重要。利于研究人員和電子行業(yè)測(cè)試工程師而言，這一功耗限制對(duì)當(dāng)前的器件與材料以及今后器件的特征分析提出了巨大的挑戰(zhàn)。 與微米級(jí)元件與材料的I-V曲線生成不同的是，對(duì)納米材料與器件的測(cè)量需
2018-01-21 16:43:011326 探測(cè)器的I-V特性可以為讀出電路設(shè)計(jì)提供重要依據(jù)，為此在光電測(cè)試平臺(tái)采用keithley 4200-SCS半導(dǎo)體特性測(cè)試儀測(cè)試探測(cè)器特性。探測(cè)器陣列為2×8元，單元探測(cè)器面積為80×80μm.測(cè)試過程中作為公共電極的襯底電位固定，掃描單元探測(cè)器一端的電壓。
2018-11-20 09:03:006684 
無論在研究實(shí)驗(yàn)室還是生產(chǎn)線，都要對(duì)封裝器件或在晶圓上的元器件I-V測(cè)試。元器件I-V特性分析通常需要高靈敏電流表、電壓表、電壓源和電流源。對(duì)所有分離儀器進(jìn)行編程、同步和連接，既麻煩又耗時(shí)，而且需要
2020-06-05 11:26:001988 2657A專門做了這些優(yōu)化：二極管、FETs和IGBTs等功率半導(dǎo)體器件的高壓測(cè)試應(yīng)用以及氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等新材料及其它復(fù)合半導(dǎo)體材料和器件的特性分析。而且，2657A還適于高速瞬態(tài)分析以及在高達(dá)3000V的各種電子器件上進(jìn)行故障測(cè)試和漏電測(cè)試。
2020-08-09 00:08:391839 無論在研究實(shí)驗(yàn)室還是生產(chǎn)線，都要對(duì)封裝器件或在晶圓上的元器件I-V測(cè)試。元器件I-V特性分析通常需要高靈敏電流表、電壓表、電壓源和電流源。對(duì)所有分離儀器進(jìn)行編程、同步和連接，既麻煩又耗時(shí)，而且需要
2020-09-26 11:21:542423 二極管是兩端口電子器件，支持電流沿著一個(gè)方向流動(dòng)（正向壓），并阻礙電流從反方向流動(dòng)（反向偏壓）。無論在研究實(shí)驗(yàn)室還是生產(chǎn)線，都要對(duì)封裝器件或在晶圓上進(jìn)行二極管I－V測(cè)試。
2020-09-29 15:19:475838 
， LED 照明和顯示 ，半導(dǎo)體器件特性，過載保護(hù)測(cè)試等等。PL系列脈沖電流源內(nèi)置18 位高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器，使它可以同時(shí)獲得高速脈沖電壓和脈沖光功率波形，而不需要額外使用單獨(dú)的儀器。PL系列脈沖電流源是一套強(qiáng)大的測(cè)試解決方案，可以顯著提高生產(chǎn)力，應(yīng)用范圍從臺(tái)式表測(cè)試到高度自動(dòng)化的脈沖I-V生產(chǎn)測(cè)試
2020-10-16 09:45:361844 半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流 I-V 測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析，或 I-V
2021-01-14 16:47:24896 院校、研究所及研發(fā)型企業(yè)的“新寵“，今天安泰測(cè)試Agitek就給大家分享一下吉時(shí)利源表熱門應(yīng)用之在I-V二極管特性分析的應(yīng)用。
2021-04-29 15:00:391969 
近期有很多用戶在網(wǎng)上咨詢I-V特性測(cè)試， I-V特性測(cè)試是很多研發(fā)型企業(yè)和高校研究的對(duì)象，分立器件I-V特性測(cè)試可以幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣
2021-05-19 10:50:253047 
二極管是常見的半導(dǎo)體兩端口電子元器件，與電阻、電容、電感等元器件連接可以構(gòu)成不同功能的電路，實(shí)現(xiàn)對(duì)交流電整流、對(duì)調(diào)制信號(hào)檢波、限幅和鉗位以及對(duì)電源電壓的穩(wěn)壓等多種功能。無論在研究實(shí)驗(yàn)室還是生產(chǎn)線，二極管在出廠前必須進(jìn)行三項(xiàng)直流參數(shù)測(cè)試：正向電壓（VF）、擊穿電壓（VR）和反向漏流（IR）測(cè)試。
2021-06-02 14:42:032038 
I-V測(cè)試是二級(jí)管測(cè)試必不可少的項(xiàng)目。二極管I-V特性分析通常需要高靈敏電流表、電壓表、電壓源和電流源。吉時(shí)利源表2450是二極管特性分析的理想選擇，提供四象限精密電壓和電流源/負(fù)載，可精確地發(fā)起電壓或電流以及同時(shí)測(cè)量電壓和/或電流，其電壓和電流測(cè)量分辨率分別達(dá)到10 nV和10 fA。
2021-08-27 15:14:501299 
源表測(cè)試過程中，除了選擇一臺(tái)可靠的儀器，使用操作方法也會(huì)影響測(cè)試的準(zhǔn)確可靠性，今天安泰測(cè)試帶大家來圍觀一下資深工程師的測(cè)試小妙招吧。 I-V測(cè)試是二級(jí)管測(cè)試必不可少的項(xiàng)目。二極管I-V特性分析通常
2021-12-21 17:42:121187 
ITECH艾德克斯于今日正式推出旗下圖形化系列的高精密源測(cè)量單元---IT2800系列，簡(jiǎn)稱源表或SMU。
2022-08-17 14:24:411301 精密型數(shù)字源表（SMU）是對(duì)太陽(yáng)能電池和各種其他器件的I-V特性進(jìn)行表征的最佳解決方案。其寬廣的電流和電壓測(cè)量范圍，可以為科研及生產(chǎn)制造提供卓越的測(cè)量性能。結(jié)合太陽(yáng)光模擬器以及專用的上位機(jī)軟件，支持
2022-11-11 15:25:241587 
2600B系列數(shù)字源表是吉時(shí)利的I-V源-測(cè)量?jī)x器，既可以用作桌面級(jí)I-V特性分析工具，也
可以成為多通道I-V測(cè)試系統(tǒng)的組成部分。對(duì)于桌面級(jí)的應(yīng)用，2600B系列提供一款嵌入式
TSP
2022-12-07 17:30:152045 600A系列數(shù)字源表是吉時(shí)利**新的I-V源-測(cè)量?jī)x器，既可以用作桌面級(jí)I-V特性分析工具，也可以成為多通道I-V測(cè)試系統(tǒng)的組成部分。對(duì)于桌面級(jí)的應(yīng)用，2600A系列提供一款嵌入式TSP
2022-12-08 15:55:472027 精準(zhǔn)的測(cè)試，幾乎是所有工程師測(cè)試工作永恒的追求目標(biāo)。但這絕非易事，特別是小信號(hào)的測(cè)量。例如，半導(dǎo)體器件、材料、醫(yī)療、MEMS、發(fā)光器件等，需要測(cè)量精確伏安（I-V）特性曲線、絕緣特性、電容漏電流、暗電流等小信號(hào)，源表往往是首選。
2023-01-24 19:45:192658 
精準(zhǔn)的測(cè)試，幾乎是所有工程師測(cè)試工作永恒的追求目標(biāo)。但這絕非易事，特別是小信號(hào)的測(cè)量。例如，半導(dǎo)體器件、材料、醫(yī)療、MEMS、發(fā)光器件等，需要測(cè)量精確伏安（I-V）特性曲線、絕緣特性、電容漏電
2023-01-29 15:59:481027 
精準(zhǔn)的測(cè)試，幾乎是所有工程師測(cè)試工作永恒的追求目標(biāo)。但這絕非易事，特別是小信號(hào)的測(cè)量。例如，半導(dǎo)體器件、材料、醫(yī)療、MEMS、發(fā)光器件等，需要測(cè)量精確伏安（I-V）特性曲線、絕緣特性、電容漏電流、暗電流等小信號(hào)，源表往往是首選。
2023-02-01 16:19:231423 
器件的I-V功能測(cè)試和特征分析是實(shí)驗(yàn)過程中經(jīng)常需要測(cè)試的參數(shù)之一，一般我們用到源表進(jìn)行IV參數(shù)的測(cè)試，如果需要對(duì)測(cè)試的數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)IV曲線圖顯示及保存，可以用到源表測(cè)試軟件
2023-02-02 10:50:592392 
參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器
件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表，脈沖源
2023-02-15 16:11:141 IV曲線測(cè)試是一種常用的電源表測(cè)試方法，它可以測(cè)量電源表的輸出電壓和電流之間的關(guān)系，以及電源表的負(fù)載特性。在測(cè)試測(cè)量實(shí)驗(yàn)中，可以借助源表測(cè)試軟件來測(cè)試I-V曲線、I-P曲線、恒定輸出等。下面納米軟件Namisoft小編給大家分享一下：用源表測(cè)試軟件如何輸出I-V曲線、I-P曲線、恒定輸出。
2023-03-28 16:28:083215 
Keithley2636A雙通道系統(tǒng)數(shù)字源表（1fA, 10A脈沖） 2600A系列數(shù)字源表是吉時(shí)利最新的I-V源-測(cè)量?jī)x器，既可以用作桌面級(jí)I-V特性分析工具，也可以成為多通道I-V測(cè)試系統(tǒng)
2023-05-26 14:30:02574 
吉時(shí)利2635A數(shù)字源表2635A單通道系統(tǒng)數(shù)字源表 2600A系列數(shù)字源表 2600A系列數(shù)字源表是吉時(shí)利*新的I-V源-測(cè)量?jī)x器，既可以用作桌面級(jí)I-V特性分析工具，也可以成為多通道I-V測(cè)試
2023-06-01 10:33:02684 
艾德克斯ITECH IT2800系列 高精密源表 （SMU）憑借其突破性的獨(dú)特設(shè)計(jì)和高性能測(cè)試指標(biāo)成功入圍歐洲兩大電力電子行業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)：Electronics Industry Awards年度最佳測(cè)試
2023-09-04 17:35:55735 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《由運(yùn)放組成的V-I、I-V轉(zhuǎn)換電路.zip》資料免費(fèi)下載
2023-11-21 09:38:259 。按導(dǎo)電溝道功率MOSFET可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。 MOSFET的主要特
2024-01-09 10:22:431697 
利用源表SMU可以靈活的進(jìn)行電阻測(cè)量 I-V測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件(DUT)施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)。根據(jù)待測(cè)器件(DUT)的不同，信號(hào)電平可能相當(dāng)?shù)停枰哽`敏度源和測(cè)量?jī)x器及測(cè)試
2024-06-06 16:05:310 I-V測(cè)試是評(píng)估太陽(yáng)能電池性能的基本手段，它通過測(cè)量太陽(yáng)能電池在不同電壓下的電流輸出，得到電池的電流-電壓曲線（I-V曲線）。這條曲線不僅直接反映了太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，還提供了諸如開路電壓
2024-07-15 11:25:061930 
率和高穩(wěn)定性的要求下正常運(yùn)行，測(cè)試設(shè)備的精確性和可靠性至關(guān)重要。ITECH的IT2800系列源表憑借其高精度、高分辨率和高速脈沖掃描優(yōu)勢(shì)，為光模塊及其核心光電芯片測(cè)試提供了卓越的解決方案。
2025-02-14 17:13:281264 
深度等優(yōu)點(diǎn)，在功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試中具有廣泛的應(yīng)用前景。本文旨在研究利用普源示波器進(jìn)行功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的方法，為相關(guān)領(lǐng)域的研究和應(yīng)用提供參考。 功率器件動(dòng)態(tài)特性的重要性 ? 功率器件的動(dòng)態(tài)特性主要包括開關(guān)
2025-06-12 17:03:15539 
在現(xiàn)代材料研究與光伏組件測(cè)試中，I-V曲線（電流-電壓特性曲線）是評(píng)估器件性能的關(guān)鍵指標(biāo)。吉時(shí)利數(shù)字源表憑借其高精度、多功能集成與自動(dòng)化特性，顯著提升了測(cè)試效率，為科研與工業(yè)應(yīng)用提供了高效解決方案
2025-11-13 11:47:01135 
在半導(dǎo)體器件分析、光伏電池研究及材料科學(xué)領(lǐng)域，對(duì)多個(gè)器件或同一器件的不同端口進(jìn)行同步、精確的電流-電壓（I-V）特性測(cè)量是至關(guān)重要的。 吉時(shí)利（Keithley，現(xiàn)為是德科技旗下品牌）2612B
2025-12-18 11:09:15145 
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