高壓放大器在半導(dǎo)體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號精準(zhǔn)放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴(yán)苛的測試條件。 下面將詳細(xì)介紹它在幾個(gè)關(guān)鍵測試場景中
2026-01-05 14:15:31
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隨著汽車行業(yè)的迅猛發(fā)展，尤其是電動(dòng)汽車（EV）和自動(dòng)駕駛技術(shù)的興起，汽車電子系統(tǒng)變得更加復(fù)雜和多樣化。在這些系統(tǒng)中，分立器件是實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定、可靠功能的核心組成部分。本文MDD辰達(dá)半導(dǎo)體將詳細(xì)探討
2025-12-22 10:27:48126 
提起源表SMU，多數(shù)人腦海里浮現(xiàn)的都是實(shí)驗(yàn)室里精密的測試場景：半導(dǎo)體器件的I-V特性測量、絕緣材料的高阻檢測、鋰電池的充放電監(jiān)測……它是集四象限電壓源、電流源、電壓表、電流表于一體的硬核測試
2025-12-19 17:26:58483 
在半導(dǎo)體器件分析、光伏電池研究及材料科學(xué)領(lǐng)域，對多個(gè)器件或同一器件的不同端口進(jìn)行同步、精確的電流-電壓（I-V）特性測量是至關(guān)重要的。 吉時(shí)利（Keithley，現(xiàn)為是德科技旗下品牌）2612B
2025-12-18 11:09:15145 
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)在半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)、質(zhì)量控制及應(yīng)用中具有重要的使用價(jià)值和意義，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 1. 技術(shù)價(jià)值：確保器件性能與可靠性 半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng) 精準(zhǔn)
2025-12-16 16:22:19123 
詳細(xì)介紹如何利用該儀器完成材料電學(xué)性能的全面測試，涵蓋測試準(zhǔn)備、參數(shù)配置及數(shù)據(jù)分析等核心步驟。 ? 一、測試前準(zhǔn)備與連接 1. 硬件連接 根據(jù)測試需求選擇合適的電極系統(tǒng)（如三電極法用于電阻率測試，或兩電極法用于簡單I-V特性分析）。 將待測材
2025-12-15 17:36:28345 
等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用價(jià)值，為科研人員提供了精準(zhǔn)、高效的測試解決方案。 ? 1. 半導(dǎo)體器件特性分析：從基礎(chǔ)研究到工藝優(yōu)化 2400的高精度電流測量能力（分辨率可達(dá)0.1 pA）使其成為半導(dǎo)體器件研究的利器。例如，在晶體管I-V特性測試中，儀器可
2025-12-15 17:36:00311 TEC 溫控 器在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心應(yīng)用與技術(shù)特性 TEC（熱電制冷器）作為固態(tài)溫控核心器件，憑借無機(jī)械運(yùn)動(dòng)、無制冷劑污染、精準(zhǔn)雙向控溫的特性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的芯片制造、封裝測試、核心器件運(yùn)行等精密環(huán)節(jié)
2025-12-12 09:32:23312 傾佳電子光伏與儲能產(chǎn)業(yè)功率半導(dǎo)體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉(zhuǎn)型的深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-12-01 09:49:522168 
在功率半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，高壓測試的精確性與可靠性直接關(guān)系到產(chǎn)品質(zhì)量與性能。長期以來，高壓電源領(lǐng)域受海外企業(yè)高度壟斷，隨著中國功率半導(dǎo)體市場的快速增長，測試設(shè)備的國產(chǎn)化需求日益迫切。
2025-11-25 16:05:30408 使用TSP Toolkit腳本開發(fā)插件（Visual Studio Code擴(kuò)展程序）可降低對多種被測器件，例如如多端半導(dǎo)體元件、太陽能電池等，進(jìn)行電流-電壓（I-V特性）測試的開發(fā)時(shí)間與復(fù)雜度
2025-11-24 13:53:552870 
的分立器件、復(fù)合器件及部分 IC 類產(chǎn)品的綜合測試平臺，覆蓋從研發(fā)驗(yàn)證到量產(chǎn)篩選的全流程需求。 一、廣泛適配的測試器件與參數(shù) STD2000X 支持多達(dá) 20 類常見半導(dǎo)體器件 的靜態(tài)參數(shù)測試，包括
2025-11-21 11:16:03118 
—— 走進(jìn)STD2000X半導(dǎo)體電性測試系統(tǒng)的技術(shù)世界 ?在現(xiàn)代電子設(shè)備中，半導(dǎo)體器件如同人體的“心臟”與“神經(jīng)”，其性能直接決定了整機(jī)的可靠性與效率。而如何對這些微小的“電子器官”進(jìn)行全面、精準(zhǔn)
2025-11-20 13:31:10236 
在第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)與性能評估中，對半橋電路上管進(jìn)行精確的電壓與電流參數(shù)測試，是優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、驗(yàn)證器件特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一套科學(xué)、可靠的測試方案可為技術(shù)開發(fā)提供堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)支撐，加速技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)化
2025-11-19 11:01:05129 
的保障，半導(dǎo)體器件的測試也愈發(fā)重要。 對于半導(dǎo)體器件而言，它的分類非常廣泛，例如二極管、三極管、MOSFET、IC等，不過這些器件的測試有共性也有差異，因此在實(shí)際的測試時(shí)測試項(xiàng)目也有通用項(xiàng)目和特殊項(xiàng)目，本文將為大家整
2025-11-17 18:18:372314 
在現(xiàn)代材料研究與光伏組件測試中，I-V曲線（電流-電壓特性曲線）是評估器件性能的關(guān)鍵指標(biāo)。吉時(shí)利數(shù)字源表憑借其高精度、多功能集成與自動(dòng)化特性，顯著提升了測試效率，為科研與工業(yè)應(yīng)用提供了高效解決方案
2025-11-13 11:47:01134 
一臺半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測量儀器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
半導(dǎo)體分立器件測試儀產(chǎn)品介紹產(chǎn)品為桌面放置的臺式機(jī)結(jié)構(gòu)，由測試主機(jī)和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器，還能夠通過Prober接口、Handler接口可選（16Bin）連接分選機(jī)和機(jī)械手建立
2025-10-29 10:28:53235 
靜電在自然界中無處不在。從芯片制造、封裝測試、運(yùn)輸存儲到組裝使用，靜電可能在任一環(huán)節(jié)對芯片造成不可逆損。半導(dǎo)體ESD失效的四大特征1.隱蔽性（1）人體通常需2~3KV靜電才能感知，而現(xiàn)代半導(dǎo)體器件
2025-10-22 14:33:21598 
半導(dǎo)體封裝形式介紹 摘 要 ：半導(dǎo)體器件有許多封裝型式，從 DIP 、SOP 、QFP 、PGA 、BGA 到 CSP 再到 SIP，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)，這些都是前人根據(jù)當(dāng)時(shí)的組裝技術(shù)和市場需求
2025-10-21 16:56:30862 
傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）提供的碳化硅（SiC
2025-10-21 10:12:15390 
" 的角色，它不僅能檢測材料導(dǎo)電性、絕緣性等基礎(chǔ)性能，更能揭示原子尺度的微觀奧秘，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的核心驅(qū)動(dòng)力。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，電磁特性測試如同材料的 "體檢表"，能精準(zhǔn)衡量材料的儲能能力；I-V和C-V測試則像材料的 "心電圖"，可以通過分
2025-10-17 11:44:21315 
隨著第三代半導(dǎo)體材料SiC在新能源汽車、5G通信和工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其動(dòng)態(tài)特性的精準(zhǔn)測量成為保障系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵。泰克示波器憑借高帶寬、高速采樣率和專業(yè)的分析功能，為SiC器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測試
2025-10-17 11:42:14231 
? 半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)是用于評估二極管、晶體管、晶閘管等獨(dú)立功能器件性能的專業(yè)設(shè)備。 一、核心功能 ? 參數(shù)測試 ? ? 靜態(tài)參數(shù) ?：擊穿電壓（V(BR)）、漏電流（I(CES)）、導(dǎo)通電
2025-10-16 10:59:58343 
精準(zhǔn)洞察，卓越測量---BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測試平臺
原創(chuàng) 一覺睡到童年 陜西博微電通科技
2025年09月25日 19:08 陜西
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，每一顆微小的半導(dǎo)體
2025-10-10 10:35:17
半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過精確控制的物理化學(xué)過程去除各類污染物，同時(shí)避免對材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)路徑的詳細(xì)闡述：污染物分類與對應(yīng)
2025-10-09 13:40:46705 
前言在電力電子領(lǐng)域，高電壓、大電流場景對功率器件的集成度、可靠性與散熱性能提出了嚴(yán)苛要求。PIM（功率集成模塊）通過“多器件高密度封裝”的高集成設(shè)計(jì)，將分立的功率半導(dǎo)體、輔助電路與散熱結(jié)構(gòu)整合為單一
2025-10-03 08:04:37903 
電阻率的測試方法多樣，應(yīng)根據(jù)材料的維度（如塊體、薄膜、低維結(jié)構(gòu)）、形狀及電學(xué)特性選擇合適的測量方法。在低維半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)和生產(chǎn)中，電阻率作為反映材料導(dǎo)電性能的關(guān)鍵參數(shù)，其精確測量對器件性能
2025-09-29 13:43:16581 
半導(dǎo)體技術(shù)作為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的核心，其測試環(huán)節(jié)對器件性能與可靠性至關(guān)重要。吉時(shí)利源表（Keithley SourceMeter）憑借高精度、多功能性及自動(dòng)化優(yōu)勢，在半導(dǎo)體測試領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用
2025-09-23 17:53:27581 半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)是用于評估二極管、晶體管、晶閘管等獨(dú)立功能器件性能的專業(yè)設(shè)備，其核心功能和技術(shù)特點(diǎn)如下： 一、核心功能 ?參數(shù)測試? 靜態(tài)參數(shù)：擊穿電壓（V(BR)）、漏電流（I(CES
2025-09-12 16:54:012347 作為 FOSAN 富捷科技集團(tuán)旗下專注半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心企業(yè)，安徽富信半導(dǎo)體科技有限公司憑借豐富的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品線與場景化解決方案能力，深度滲透 BMS 電池管理、儲能電源、智能裝備、消費(fèi)
2025-09-08 14:45:28699 
專業(yè)高效的功率器件測試解決方案 在功率器件CV特性測試領(lǐng)域，當(dāng)前市場設(shè)備普遍存在以下挑戰(zhàn)： 進(jìn)口設(shè)備： ? 成本較高，采購和維護(hù)成本對許多企業(yè)構(gòu)成壓力； ? 功能集成度高導(dǎo)致操作復(fù)雜度提升，非母語
2025-09-03 17:49:11618 
BASiC_SiC分立器件產(chǎn)品介紹
2025-09-01 16:16:11
0 一、基本概念 CV特性 （電容-電壓特性）是指半導(dǎo)體器件在不同偏置電壓下表現(xiàn)出的電容變化規(guī)律，主要用于分析器件的介電特性、載流子分布和界面狀態(tài)。該特性是評估功率器件性能的核心指標(biāo)之一。 CV特性測試
2025-09-01 12:26:20930 博微BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測試系統(tǒng)可針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進(jìn)行高精度靜態(tài)參數(shù)測試（包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿
2025-08-28 12:28:15
，便于舊系統(tǒng)遷移。
應(yīng)用場景與優(yōu)勢
漏電流測試
阻尼功能優(yōu)化電容類器件漏電測試，減少瞬態(tài)干擾。
適用于絕緣體、繼電器、開關(guān)等元件的低電流測量。
半導(dǎo)體與材料分析
高精度I-V特性測量，用于半導(dǎo)體器件
2025-08-27 17:45:44
速度比傳統(tǒng)PC控制快200%。
TSP-Link?接口支持多通道并行測試擴(kuò)展，無需主機(jī)干預(yù)，降低系統(tǒng)復(fù)雜性和成本。
軟件與兼容性
內(nèi)置基于Java的I-V特性分析軟件，提供“即插即用”操作體驗(yàn)。
兼容
2025-08-26 17:48:58
監(jiān)測與放射監(jiān)測
·電阻值/率測量
·絕緣體、開關(guān)、繼電器和其他元件的漏流測試
·半導(dǎo)體等器件的I-V測量
·光纖校準(zhǔn)
·DCLF電路中的電路測試與分析
·傳感器特征分析
深圳市寶安區(qū)沙井方豐瑞儀器設(shè)備
2025-08-26 17:45:02
近日，在中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件年會上，新潔能憑借在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和行業(yè)貢獻(xiàn)，再次成功入選 “中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”！自2016年以來，這已經(jīng)是新潔能第八次獲此殊榮，不僅是對企業(yè)技術(shù)實(shí)力與市場地位的認(rèn)可，更是對企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、追求卓越的肯定！
2025-08-05 17:58:091699 
一、樂山無線電 LRC：從西部崛起的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿 （一）歷史積淀與行業(yè)地位 樂山無線電股份有限公司（英文簡稱 LRC）創(chuàng)立于 1971 年，坐落于四川樂山，是中國半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域的奠基者之一
2025-08-05 17:31:411168 主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開關(guān)特性。這些測試中最基本的測試就是靜態(tài)參數(shù)測試。靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的，與其工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù)。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏
2025-08-05 16:06:15648 
和水平發(fā)散角）是評估器件性能的核心指標(biāo)，通過對光斑特性的測量可以驗(yàn)證仿真結(jié)果、設(shè)計(jì)耦合方案、改進(jìn)芯片波導(dǎo)設(shè)計(jì)、改進(jìn)封裝工藝。 傳統(tǒng)的測試方法往往依賴復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)或昂貴的專用設(shè)備，操作繁瑣且成本高昂，而光斑測試
2025-08-05 10:46:151636 
7月26日-27日，第十九屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件年會在江蘇南京召開。會議期間，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會正式發(fā)布了“2024年中國半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”名單。
2025-08-01 17:58:191757 A22-3分立半導(dǎo)體器件(MOS管)知識與應(yīng)用專題
2025-07-30 09:57:0118532 
A22-2分立半導(dǎo)體器件(三極管)知識與應(yīng)用專題
2025-07-30 09:55:23446 
A22-1分立半導(dǎo)體器件(二極管)知識與應(yīng)用專題
2025-07-30 09:46:5912891 
軟件于一體，為功率半導(dǎo)體行業(yè)提供全方位的測試解決方案。 核心優(yōu)勢與設(shè)計(jì)亮點(diǎn)多場景廣泛適配：探針臺支持主流6英寸、8英寸、12英寸晶圓滿足不同研發(fā)與生產(chǎn)階段需求。 高溫卡盤兼容Banana、BNC
2025-07-29 16:21:17
2025 年7月25日-27日，第十九屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件年會暨2025年中國半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在南京盛大啟幕。本次大會由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會指導(dǎo)、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體
2025-07-28 18:30:071315 科技憑借深厚的技術(shù)積累和持續(xù)的創(chuàng)新，推出了一系列高性能示波器，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的各個(gè)環(huán)節(jié)，從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造，到封裝測試，有效保障了半導(dǎo)體器件的質(zhì)量與性能。 是德示波器產(chǎn)品特性剖析 卓越的帶寬與采樣率
2025-07-25 17:34:52652 
半導(dǎo)體分立器件測試是對二極管、晶體管、晶閘管等獨(dú)立功能半導(dǎo)體器件的性能參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)性檢測的過程，旨在評估其電氣特性、可靠性和適用性。以下是主要測試內(nèi)容與方法的總結(jié)： 1. ? 測試對象與分類
2025-07-22 17:46:32825 
產(chǎn)品介紹 HUSTEC-DC-2010晶體管直流參數(shù)測試系統(tǒng)是由我公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合半導(dǎo)體功率器件測試的多年
2025-07-16 11:12:26
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
功率半導(dǎo)體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結(jié)構(gòu)、功能、特性和特征。另外，書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關(guān)內(nèi)容。
本書可作為微電子
2025-07-11 14:49:36
測試法（脈寬300μs-5ms）抑制溫升，結(jié)合Kelvin四線消除接觸電阻誤差，確保大功率器件極限參數(shù)準(zhǔn)確性 ? 高效智能化操作 ? 單參數(shù)測試速度達(dá)0.5ms/參數(shù)，百點(diǎn)I-V曲線生成僅需數(shù)秒 支持自動(dòng)
2025-07-04 11:39:43622 在汽車電子領(lǐng)域，光電半導(dǎo)體器件的可靠性是保障汽車行駛安全與穩(wěn)定的關(guān)鍵因素。AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)作為汽車用分立光電半導(dǎo)體元器件的可靠性測試規(guī)范，其中的高溫高濕試驗(yàn)對于評估器件在復(fù)雜汽車環(huán)境下的性能
2025-06-30 14:39:24487 
半導(dǎo)體參數(shù)測試需結(jié)合器件類型及應(yīng)用場景選擇相應(yīng)方法，核心測試技術(shù)及流程如下： ? 一、基礎(chǔ)電學(xué)參數(shù)測試 ? ? 電流-電壓（IV）測試 ? ? 設(shè)備 ?：源測量單元（SMU）或?qū)Ｓ肐V測試儀，支持
2025-06-27 13:27:231146 
區(qū)間，在對散熱要求較高的工業(yè)生產(chǎn)和實(shí)驗(yàn)環(huán)境中，可實(shí)現(xiàn)熱量快速散發(fā)，維持溫度穩(wěn)定。而半導(dǎo)體高低溫實(shí)驗(yàn)設(shè)備，如 SFP 光模塊測試盒，針對 10G、25G、100G 等不同速率的光模塊進(jìn)行測試，其控溫范圍
2025-06-25 14:44:54
在電子電路設(shè)計(jì)中，如何選擇合適的分立半導(dǎo)體器件？如何充分發(fā)揮IGBT的性能？這些問題是否困擾著你？作為一家擁有56年歷史的專業(yè)公司，KEC以其專注于電力分立器件的卓越表現(xiàn)，成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者
2025-06-24 08:01:001141 
根據(jù)半導(dǎo)體分立器件的功能與結(jié)構(gòu)差異，可將其分為以下核心類別，各類型典型器件及應(yīng)用場景如下： ?一、基礎(chǔ)二極管類? ? ?類型? ?代表器件? ?核心功能? ?典型應(yīng)用? ?整流二極管? 1N4007
2025-06-23 12:28:34863 本文主要介紹半導(dǎo)體芯片的可靠性測試項(xiàng)目
2025-06-20 09:28:501101 
在5G通信、智能駕駛、物聯(lián)網(wǎng)飛速發(fā)展的今天，半導(dǎo)體光電器件是實(shí)現(xiàn)光電信號轉(zhuǎn)換與信息傳遞的核心元件，其性能優(yōu)劣直接決定設(shè)備的功能與可靠性。正因如此，半導(dǎo)體光電器件測試成為貫穿研發(fā)、生產(chǎn)與質(zhì)檢全流程
2025-06-12 19:17:281516 
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測試方法，為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案，并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:571157 
隨著功率半導(dǎo)體器件在新能源、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其可靠性問題日益受到關(guān)注。塑料封裝作為功率器件的主要封裝形式，因其非氣密性特性，在濕熱環(huán)境下容易出現(xiàn)分層失效，嚴(yán)重影響器件性能和壽命
2025-06-05 10:15:45738 
源測量單元（SMU）可同時(shí)輸出和測量電壓、電流，廣泛用于器件與材料的I-V特性表征，尤其擅長低電流測量。在測試系統(tǒng)中存在長電纜或高寄生電容的情況下，部分SMU可能因無法容忍負(fù)載電容而產(chǎn)生讀數(shù)噪聲或振蕩。
2025-06-04 10:19:371042 
化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s，本征電阻率達(dá)10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
2025-05-28 14:37:382339 
半導(dǎo)體分立器件分類及應(yīng)用領(lǐng)域 一、核心分類 ?基礎(chǔ)元件? ?二極管?：包括普通二極管（如硅/鍺二極管）、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）等。 ?三極管?：如NPN/PNP型雙極
2025-05-19 15:28:061310 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，可靠性測試設(shè)備如同產(chǎn)品質(zhì)量的 “守門員”，通過模擬各類嚴(yán)苛環(huán)境，對半導(dǎo)體器件的長期穩(wěn)定性和可靠性進(jìn)行評估，確保其在實(shí)際使用中能穩(wěn)定運(yùn)行。以下為你詳細(xì)介紹常見的半導(dǎo)體測試可靠性測試設(shè)備。
2025-05-15 09:43:181022 
介紹的兩輪車儀表方案是無錫梓軒電子基于武漢芯源半導(dǎo)體 CW32L010F8P6開發(fā)，適用于小規(guī)格電動(dòng)車儀表方案，實(shí)現(xiàn)車輛速度、累計(jì)里程、單次里程、模式狀態(tài)、故障狀態(tài)顯示等功能。
電動(dòng)車儀表盤能夠及時(shí)
2025-05-13 14:06:45
麥科信獲評CIAS2025金翎獎(jiǎng)【半導(dǎo)體制造與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商】
蘇州舉辦的2025CIAS動(dòng)力·能源與半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展大會上，深圳麥科信科技有限公司憑借在測試測量領(lǐng)域的技術(shù)積累，入選半導(dǎo)體
2025-05-09 16:10:01
其中，前者負(fù)責(zé)測試晶圓器件參數(shù)（如IV，CV，Vt，Ion/Ioff等），或者可靠性（如HCI，NBTI，TDDB等）測試，通常稱作半導(dǎo)體測試儀，簡稱“半測儀”。
2025-04-30 15:39:011491 
泛應(yīng)用。以下是其技術(shù)原理、組成、工藝特點(diǎn)及發(fā)展趨勢的詳細(xì)介紹： 一、技術(shù)原理 BOE刻蝕液是一種以氫氟酸（HF）和氟化銨（NH?F）為基礎(chǔ)的緩沖溶液，通過化學(xué)腐蝕作用去除半導(dǎo)體表面的氧化層（如SiO?、SiN?）。其核心反應(yīng)機(jī)制包括： 氟化物離子攻擊： 氟化銨（NH?
2025-04-28 17:17:255516 微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵步驟，然而由于微量摻雜元素含量極低，對它的檢測和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531707 
從鍺晶體管到 5G 芯片，半導(dǎo)體材料的每一次突破都在重塑人類科技史。
2025-04-24 14:33:371214 
SC2020晶體管參數(shù)測試儀/?半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)-日本JUNO測試儀DTS-1000國產(chǎn)平替 ?專為半導(dǎo)體分立器件測試而研發(fā)的新一代高速高精度測試機(jī)。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:200 本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372157 
。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
有機(jī)半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料，1986年第一個(gè)聚噻吩場效應(yīng)晶體管發(fā)明以來，有機(jī)場效應(yīng)晶體管（OFET）飛速發(fā)展。有機(jī)物作為半導(dǎo)體甚至是導(dǎo)體制備電子器件來代替以部分硅為主的傳統(tǒng)電子產(chǎn)品，利用有機(jī)物可以大規(guī)模低成本合成的優(yōu)勢，市場前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:551071 
BW-4022A
晶體管直流參數(shù)測試系統(tǒng)
一、產(chǎn)品介紹：
BW-4022A 晶體管直流參數(shù)測試機(jī)是新一代針對半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng)，經(jīng)過我公司多次升級與產(chǎn)品迭代，目前測試性能、精度、測試范圍及產(chǎn)品穩(wěn)定度
2025-03-20 11:30:20
吉時(shí)利數(shù)字源表2400（Keithley 2400）作為一款高性能源測量單元（SMU），集成了電壓源、電流源、電壓表和電流表的多功能特性，在半導(dǎo)體器件測試領(lǐng)域展現(xiàn)了卓越的性能和廣泛的應(yīng)用。本文將從
2025-03-18 11:36:15891 
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 18:06:0046944 
半導(dǎo)體器件可靠性測試方法多樣，需根據(jù)應(yīng)用場景(如消費(fèi)級、工業(yè)級、車規(guī)級)和器件類型(如IC、分立器件、MEMS)選擇合適的測試組合。測試標(biāo)準(zhǔn)(如JEDEC、AEC-Q、MIL-STD)為測試提供了詳細(xì)的指導(dǎo)，確保器件在極端條件下的可靠性和壽命。
2025-03-08 14:59:291107 
AEC-Q102是汽車電子領(lǐng)域針對分立光電半導(dǎo)體元器件的應(yīng)力測試標(biāo)準(zhǔn)，由汽車電子委員會（AEC）制定。該標(biāo)準(zhǔn)于2017年3月首次發(fā)布，隨后在2020年4月更新為AEC-Q102REVA版本，成為目前
2025-03-07 15:35:151610 
芯片簡介
SS6208 將半橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器（高邊+ 低邊）集成到 3mm*3mm 8-pins DFN 的封裝中。
與分立元件解決方案相比，SS6208 集成解決 方案大大減少了分立方案
2025-03-07 09:27:56
(MOSFET)、IGBT、SCR
(4)光電耦合器
(5)MEMS
(6)聲表面波器件(SAW Device)
(7)集成電路
BW-AH-5520半導(dǎo)體高精度自動(dòng)溫度實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)具備風(fēng)冷式，水冷式，液氮制冷式冷卻方式；主要是用來對各種元器件及芯片等性能參數(shù)在全溫度范圍內(nèi)、實(shí)現(xiàn)精密在線測試。
2025-03-06 10:48:56
此前，2月24-28日，概倫電子2025年半導(dǎo)體器件特性測試系統(tǒng)代理商培訓(xùn)會議在山城重慶喜來登酒店隆重舉行。
2025-03-05 11:48:561202 關(guān)于 CW32 單片機(jī)的書籍。在這本書中，我們從最基礎(chǔ)的知識講起，詳細(xì)介紹了 CW32 單片機(jī)的硬件架構(gòu)、內(nèi)核特性、存儲系統(tǒng)以及各類外設(shè)功能。無論是剛剛踏入嵌入式開發(fā)領(lǐng)域的新手，還是經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)人士
2025-03-03 15:14:41
半導(dǎo)體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:210 近年來，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527 
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體器件制造過程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，旨在保護(hù)芯片免受外界環(huán)境的影響，同時(shí)實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的連接。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝技術(shù)也在不斷革新，以滿足電子設(shè)備小型化、高性能、低成本和環(huán)保的需求。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝的類型和制造方法。
2025-02-02 14:53:002637 有序的芯片單元，每個(gè)小方塊都預(yù)示著一個(gè)未來可能大放異彩的芯片。芯片的尺寸大小，直接關(guān)聯(lián)到單個(gè)晶圓能孕育出的芯片數(shù)量。 半導(dǎo)體制造流程概覽 半導(dǎo)體的制造之旅可以分為三大核心板塊：晶圓的生產(chǎn)、封裝以及測試。晶圓的生
2025-01-28 15:48:001182 
碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色，其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352664 我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件，這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了許多在普通5V或12V系統(tǒng)中不會出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。
2025-01-22 17:30:263078 
近日，泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進(jìn)展，雙方共同對遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進(jìn)行了全面深入的測試與評估，取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗(yàn)證了遠(yuǎn)山半導(dǎo)體
2025-01-20 11:07:33962 BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級結(jié)
2025-01-14 09:42:281901 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 在半導(dǎo)體器件的實(shí)際部署中，它們會因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱，過高的溫度會削弱甚至損害器件性能。因此，熱測試對于驗(yàn)證半導(dǎo)體組件的性能及評估其可靠性至關(guān)重要。然而，半導(dǎo)體熱測試過程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391580
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