短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細(xì)的解釋和分類了，但就具體工作中而言，我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈沖階段和關(guān)斷階段以及關(guān)斷完畢之后的，失效的模式主要為熱失效和動(dòng)態(tài)雪崩失效以及電場(chǎng)尖峰過高失效(電流分布不均勻)。理論上還有其他的一些失效情況，但我工作中基本不怎么遇到了。
2025-08-21 11:08:54
4041 
失效分析是指研究產(chǎn)品潛在的或顯在的失效機(jī)理，失效概率及失效的影響等，為確定產(chǎn)品的改進(jìn)措施進(jìn)行系統(tǒng)的調(diào)查研究工作，是可靠性設(shè)計(jì)的重要組成部分。失效
2009-07-03 14:33:234164 到底什么是雪崩失效呢，簡(jiǎn)單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡(jiǎn)而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。
2017-09-18 10:35:3010637 
失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。失效機(jī)理：是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過程。1、電阻器的主要
2017-10-11 06:11:0014157 失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。 失效機(jī)理：是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過程。 1、電阻器的主要失效模式與失效機(jī)理為 1) 開路：主要失效機(jī)理為電阻膜燒毀或大面積脫落，基體斷裂，引線
2018-01-16 08:47:1133382 
電子元器件的主要失效模式包括但不限于開路、短路、燒毀、爆炸、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。
2022-10-24 16:10:444192 半導(dǎo)體元器件在整機(jī)應(yīng)用端的失效主要為各種過應(yīng)力導(dǎo)致的失效，器件的過應(yīng)力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過應(yīng)力，當(dāng)半導(dǎo)體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生超出器件最大可承受的應(yīng)力時(shí)，元器件發(fā)生失效。應(yīng)力的種類繁多，如表1，其中過電應(yīng)力導(dǎo)致的失效相對(duì)其它應(yīng)力更為常見。
2023-01-06 13:36:253488 所以掌握各類電子元器件的實(shí)效機(jī)理與特性是硬件工程師比不可少的知識(shí)。下面分類細(xì)敘一下各類電子元器件的失效模式與機(jī)理。
2023-02-01 10:32:472488 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
2023-04-15 17:31:583118 
失效分析(FA)是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過分析和驗(yàn)證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。
2023-09-06 10:28:054614 
當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會(huì)損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。
2024-02-25 15:48:087211 
功率MOSFET的雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2024-02-25 16:16:353554 
MOSFET失效原因全分析
2019-03-04 23:17:28
一、主要失效原因分類MOSFET 失效可分為外部應(yīng)力損傷、電路設(shè)計(jì)缺陷、制造工藝缺陷三大類，具體表現(xiàn)如下：1. 外部應(yīng)力損傷（1）靜電放電（ESD）擊穿· 成因· MOSFET 柵源極（G-S）間
2025-04-23 14:49:27
MOSFET的失效機(jī)理至此，我們已經(jīng)介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET，首先不能超過MOSFET規(guī)格書中的絕對(duì)最大
2022-07-26 18:06:41
完整性、品種、規(guī)格等方面)來劃分材料失效的類型。對(duì)機(jī)械產(chǎn)品可按照其相應(yīng)規(guī)定功能來分類。 2.2 按材料損傷機(jī)理分類 根據(jù)機(jī)械失效過程中材料發(fā)生變化的物理、化學(xué)的本質(zhì)機(jī)理不同和過程特征差異
2011-11-29 16:46:42
分析委托方發(fā)現(xiàn)失效元器件，會(huì)對(duì)失效樣品進(jìn)行初步電測(cè)判斷，再次會(huì)使用良品替換確認(rèn)故障。如有可能要與發(fā)現(xiàn)失效的人員進(jìn)行交流，詳細(xì)了解原始數(shù)據(jù)，這是開展失效分析工作關(guān)鍵一步。確認(rèn)其失效機(jī)理，失效機(jī)理是指失效
2020-08-07 15:34:07
`v失效：產(chǎn)品失去規(guī)定的功能。v失效分析：為確定和分析失效器件的失效模式，失效機(jī)理，失效原因和失效性質(zhì)而對(duì)產(chǎn)品所做的分析和檢查。v失效模式：失效的表現(xiàn)形式。v失效機(jī)理：導(dǎo)致器件失效的物理，化學(xué)變化
2011-11-29 17:13:46
丟失、數(shù)據(jù)寫入出錯(cuò)、亂碼、全“0”全“F”等諸多失效問題，嚴(yán)重影響了IC卡的廣泛應(yīng)用。因此，有必要結(jié)合IC卡的制作工藝及使用環(huán)境對(duì)失效的IC卡進(jìn)行分析，深入研究其失效模式及失效機(jī)理，探索引起失效
2018-11-05 15:57:30
IGBT傳統(tǒng)防失效機(jī)理是什么IGBT失效防護(hù)電路
2021-03-29 07:17:06
IGBT的失效機(jī)理 半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡(jiǎn)稱SOA
2017-03-16 21:43:31
`對(duì)于LED產(chǎn)品在可靠性的視角來看，光輸出功率以及電性能隨著時(shí)間的推移逐漸退化[1-3] 為了滿足客戶對(duì)產(chǎn)品可靠性的要求，研究失效機(jī)理顯得尤為重要。 前些年有些科研人員針對(duì)負(fù)電極脫落開展失效分析工作
2017-12-07 09:17:32
LLC做，其輸入電壓，輸出電流和輸出電壓都不是恒定電壓，可見工程師對(duì)LLC的愛有多深了。但是在平常的客戶拜訪中了解到LLC產(chǎn)品在產(chǎn)線或終端客戶經(jīng)常碰到低失效率的問題，所以今天介紹一下LLC的MOSFET
2016-12-12 15:26:49
`請(qǐng)問SMT焊點(diǎn)的主要失效機(jī)理有哪些？`
2019-12-24 14:51:21
本文先對(duì)mos失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對(duì)1,2重點(diǎn)進(jìn)行分析：1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致
2018-08-15 17:06:21
進(jìn)行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全
2019-08-28 07:30:00
經(jīng)常碰到電源板上MOSFET失效，煩?。。。。〈蠹叶际窃趺唇鉀Q的呢？
2015-08-31 11:31:46
次的失效原因即是下一層次的失效現(xiàn)象。越是低層次的失效現(xiàn)象，就越是本質(zhì)的失效原因?；靖拍睢 ?.1 失效和失效分析 產(chǎn)品喪失規(guī)定的功能稱為失效。 判斷失效的模式,查找失效原因和機(jī)理,提出預(yù)防再失效
2011-11-29 16:39:42
元器件進(jìn)行診斷過程。1、進(jìn)行失效分析往往需要進(jìn)行電測(cè)量并采用先進(jìn)的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機(jī)理，提出糾正措施，防止這種失效模式和失效機(jī)理的重復(fù)出現(xiàn)。3、失效
2016-10-26 16:26:27
失效分析基本概念定義：對(duì)失效電子元器件進(jìn)行診斷過程。1、進(jìn)行失效分析往往需要進(jìn)行電測(cè)量并采用先進(jìn)的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機(jī)理，提出糾正措施，防止這種失效
2016-12-09 16:07:04
的失效機(jī)理可以分為兩類：過應(yīng)力和磨損。過應(yīng)力失效往往是瞬時(shí)的、災(zāi)難性的；磨損失效是長(zhǎng)期的累積損壞，往往首先表示為性能退化，接著才是器件失效。失效的負(fù)載類型又可以分為機(jī)械、熱、電氣、輻射和化學(xué)負(fù)載等
2021-11-19 06:30:00
本文采用恒定溫度應(yīng)力加速壽命試驗(yàn)對(duì)功率VDMOS的可靠性進(jìn)行了研究，得到較為完整的可靠性數(shù)據(jù)，并分析得到引起其漏源電流IDS退化的主要失效機(jī)理是柵極擊穿，從而為功率VDMOS類型器件的加工制造及應(yīng)用等方面提供有價(jià)值的數(shù)據(jù)。
2021-04-14 06:37:09
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
IGBT失效分析大概有下面幾個(gè)方面：1、IGBT過壓失效，Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過流，一定程度
2012-12-19 20:00:59
`電容器的常見失效模式和失效機(jī)理【上】電容器的常見失效模式有――擊穿短路；致命失效――開路；致命失效――電參數(shù)變化（包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等；部分功能失效――漏液
2011-11-18 13:16:54
`電容器的常見失效模式和失效機(jī)理【下】3.2.6鋁電解電容器的失效機(jī)理鋁電解電容器正極是高純鋁，電介質(zhì)是在金屬表面形成的三氧化二鋁膜，負(fù)極是黏稠狀的電解液，工作時(shí)相當(dāng)一個(gè)電解槽。鋁電解電容器常見失效
2011-11-18 13:19:48
`電容器的常見失效模式和失效機(jī)理【中】3.2電容器失效機(jī)理分析3.2.1潮濕對(duì)電參數(shù)惡化的影響空氣中濕度過高時(shí)，水膜凝聚在電容器外殼表面，可使電容器的表面絕緣電阻下降。此處，對(duì)于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說
2011-11-18 13:18:38
、性能和使用環(huán)境各不相同，失效機(jī)理也各不一樣。各種常見失效模式的主要產(chǎn)生機(jī)理歸納如下。3.1失效模式的失效機(jī)理3.1.1 引起電容器擊穿的主要失效機(jī)理3.1.2 引起電容器開路的主要失效機(jī)理3.1.3
2011-12-03 21:29:22
請(qǐng)問一下元器件失效機(jī)理有哪幾種？
2021-06-18 07:25:31
從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機(jī)理
1、? 引言
半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之
2010-02-22 09:32:423714 
判斷失效的模式, 查找失效原因和機(jī)理, 提出預(yù)防再失效的對(duì)策的技術(shù)活動(dòng)和管理活動(dòng)稱為失效分析。
2012-03-15 14:21:36
121 本文共討論了MEMS加速計(jì)的三種高壓滅菌器失效機(jī)理。分別說明了每一種失效機(jī)理的FA方法（通過建模和測(cè)量）和設(shè)計(jì)改進(jìn)。排除了封裝應(yīng)力作為高壓滅菌器失效的根源。
2013-01-24 10:39:191889 
基于集成電路應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理中文版
2016-02-25 16:08:1110 高壓IGBT關(guān)斷狀態(tài)失效的機(jī)理研究，IGBT原理，PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330 大功率白光LED的可靠性研究及失效機(jī)理分析
2017-02-07 21:04:011 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)失效模式分類 根據(jù)失效原因、性質(zhì)、機(jī)理、程度、產(chǎn)生的速度、發(fā)生的時(shí)間以及失效產(chǎn)生的后果，可將失效進(jìn)行不同的分類。電動(dòng)觀光車常見的失效模式可以分為：損壞型、退化型、松脫型、失調(diào)型、阻漏型
2017-03-09 01:43:232219 元器件長(zhǎng)期儲(chǔ)存的失效模式和失效機(jī)理
2017-10-17 13:37:3420 元器件的長(zhǎng)期儲(chǔ)存的失效模式和失效機(jī)理
2017-10-19 08:37:3432 對(duì)電子元器件的失效分析技術(shù)進(jìn)行研究并加以總結(jié)。方法 通過對(duì)電信器類、電阻器類等電子元器件的失效原因、失效機(jī)理等故障現(xiàn)象進(jìn)行分析。
2018-01-30 11:33:4112625 電容器的常見失效模式有：――擊穿短路；致命失效――開路；致命失效――電參數(shù)變化（包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等；部分功能失效――漏液；部分功能失效――引線腐蝕或斷裂；致命失效――絕緣子破裂；致命失效――絕緣子表面飛弧；
2018-03-15 11:00:1028648 
到底什么是雪崩失效呢，簡(jiǎn)單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡(jiǎn)而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓
2018-05-06 09:13:2615611 本文通過大量的歷史資料調(diào)研和失效信息收集等方法，針對(duì)不同環(huán)境應(yīng)力條件下的MEMS慣性器件典型失效模式及失效機(jī)理進(jìn)行了深入探討和分析。
2018-05-21 16:23:459746 
本文主要對(duì)變壓器線圈常見的三種失效機(jī)理進(jìn)行了介紹，另外還對(duì)電感和變壓器類失效機(jī)理與故障進(jìn)行了分析。
2018-05-31 14:41:5212282 
或者全失效會(huì)在硬件電路調(diào)試上花費(fèi)大把的時(shí)間，有時(shí)甚至炸機(jī)。今天主要說的是電容器，電阻器和電感。 電容器失效模式與機(jī)理 電容器的常見失效模式有：擊穿短路；致命失效開路；致命失效電參數(shù)變化（包括電容量超差、損耗
2018-06-07 15:18:139221 電容器在工作應(yīng)力與環(huán)境應(yīng)力綜合作用下，工作一段時(shí)間后，會(huì)分別或同時(shí)產(chǎn)生某些失效模式。同一失效模式有多種失效機(jī)理，同一失效機(jī)理又可產(chǎn)生多種失效模式。失效模式與失效機(jī)理之間的關(guān)系不是一一對(duì)應(yīng)的。
2018-08-07 17:45:566417 下面簡(jiǎn)要從鉆孔質(zhì)量和除膠過程這兩個(gè)方面，闡述 ICD 失效的影響機(jī)理，對(duì)此類問題的檢測(cè)和分析經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行小結(jié)。
2019-11-29 07:50:0011565 1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超越MOSFET的額定電壓，并且超越到達(dá)了一定的才能從而招致MOSFET失效。 2：SOA失效(電流失效)，既超出MOSFET平安工作
2023-03-20 16:15:37794 外觀檢查就是目測(cè)或利用一些簡(jiǎn)單儀器，如立體顯微鏡、金相顯微鏡甚至放大鏡等工具檢查PCB的外觀，尋找失效的部位和相關(guān)的物證，主要的作用就是失效定位和初步判斷PCB的失效模式。
2020-03-06 14:30:352628 或者全失效會(huì)在硬件電路調(diào)試上花費(fèi)大把的時(shí)間，有時(shí)甚至炸機(jī)。 所以掌握各類電子元器件的實(shí)效機(jī)理與特性是硬件工程師比不可少的知識(shí)。下面分類細(xì)敘一下各類電子元器件的失效模式與機(jī)理。 電阻器失效 失效模式：各種失效的
2020-06-29 11:15:217748 隨著LED產(chǎn)品制造技術(shù)的逐漸成熟，成本越來越低，性價(jià)比越來越高。目前小功率LED產(chǎn)品在大屏幕戶外顯示等商用領(lǐng)域有很大的應(yīng)用范圍，如何增加使用壽命，減少維護(hù)成本也是業(yè)界關(guān)注的要點(diǎn)所在。解決高成本問題的一個(gè)積極態(tài)度，就是要分析其失效機(jī)理，彌補(bǔ)技術(shù)缺陷，以提高LED產(chǎn)品的可靠性，提高LED的性價(jià)比。
2020-06-14 09:07:461595 本文對(duì)MOS失效原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析： 1、雪崩失效（電壓失效），也就是漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。 2
2021-06-22 15:53:2910694 下圖為貼片電阻結(jié)構(gòu)圖： 失效背景：電阻開路 問題分析：從失效樣品圖片來看，電阻本體沒有電應(yīng)力和結(jié)構(gòu)損傷。如果沒有電應(yīng)力和結(jié)構(gòu)損傷，一般是由于電極開路造成的失效，確定好失效模式和機(jī)理就可以針對(duì)性進(jìn)行
2021-12-11 10:11:594338 
或斷裂；致命失效 ――絕緣子破裂；致命失效 ――絕緣子表面飛??；部分功能失效 引起電容器失效的原因是多種多樣的。各類電容器的材料、結(jié)構(gòu)、制造工藝、性能和使用環(huán)境各不相同，失效機(jī)理也各不一樣。 各種常見失效模式的主要產(chǎn)
2021-12-11 10:13:534564 失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。
失效機(jī)理：是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過程。
2022-02-10 09:49:0618 MOSFET的失效機(jī)理 本文的關(guān)鍵要點(diǎn) ?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。 ?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。 ?有五個(gè)SOA的制約要素
2022-03-19 11:10:073370 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。這種電子-空穴對(duì)呈雪崩
2022-04-19 15:10:244636 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
2022-05-16 15:05:585500 
元件的失效直接受濕度、溫度、電壓、機(jī)械等因素的影響。
2022-08-19 11:25:501783 摘要：常用電路保護(hù)器件的主要失效模式為短路，瞬變電壓抑制器(TvS)亦不例外。TvS 一旦發(fā)生短路失效，釋放出的高能量常常會(huì)將保護(hù)的電子設(shè)備損壞．這是 TvS 生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免
2022-10-11 10:05:019421 失效分析是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過分析和驗(yàn)證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。失效分析是確定芯片失效機(jī)理的必要手段。失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。失效分析為
2022-10-12 11:08:486132 講述了電子器件的失效進(jìn)行分類 、對(duì)失效的機(jī)理行闡失效的評(píng)估方法等制 。
2022-10-17 14:26:2810 PCB失效的機(jī)理，必須遵守基本的原則及分析流程。一般的基本流程是，首先必須基于失效現(xiàn)象，通過信息收集、功能測(cè)試、電性能測(cè)試以及簡(jiǎn)單的外觀檢查，確定失效部位與失效模式，即失效定位或故障定位。
2022-11-09 14:35:481576 失去原有的效力。在各種工程中，部件失去原有設(shè)計(jì)所規(guī)定的功能稱為失效。失效簡(jiǎn)單地說就是“壞了”，但是“壞了”也有很多種情況。
2022-11-30 10:47:53982 MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。
2023-02-13 09:30:072615 
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:081973 
介紹了TVS瞬態(tài)抑制二極管的組成結(jié)構(gòu)，失效機(jī)理和質(zhì)量因素，希望對(duì)你們有所幫助。
2023-03-16 14:53:571 MOSFET等開關(guān)器件可能會(huì)受各種因素影響而失效。因此，不僅要準(zhǔn)確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件，還要全面考慮電路工作中的各種導(dǎo)致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見的失效機(jī)理。
2023-03-20 09:31:072161 失效率是可靠性最重要的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，所以研究IGBT的失效模式和機(jī)理對(duì)提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:044179 
常用電路保護(hù)器件的主要失效模式為短路，瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦發(fā)生短路失效，釋放出的高能量常常會(huì)將保護(hù)的電子設(shè)備損壞．這是TVS生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免的情況
2023-05-12 17:25:486296 
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對(duì)于感性負(fù)載在開關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義，失效的現(xiàn)象及評(píng)估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計(jì)必備的能力。 本文將以下面三個(gè)方面進(jìn)行探討。
2023-05-15 16:17:453421 
為了防止在失效分析過程中丟失封裝失效證據(jù)或因不當(dāng)順序引人新的人為的失效機(jī)理，封裝失效分析應(yīng)按一定的流程進(jìn)行。
2023-06-25 09:02:301297 
集成電路封裝失效機(jī)理是指與集成電路封裝相關(guān)的，導(dǎo)致失效發(fā)生的電學(xué)、溫度、機(jī)械、氣候環(huán)境和輻射等各類應(yīng)力因素及其相互作用過程。
2023-06-26 14:11:263093 集成電路封裝失效機(jī)理是指與集成電路封裝相關(guān)的，導(dǎo)致失效發(fā)生的電學(xué)、溫度、機(jī)械、氣候環(huán)境和輻射等各類應(yīng)力因素及其相互作用過程。根據(jù)應(yīng)力條件的不同，可將失效機(jī)理劃分為電應(yīng)力失效機(jī)理、溫度-機(jī)械應(yīng)力失效
2023-06-26 14:15:312480 
本文通過對(duì)典型案例的介紹，分析了鍵合工藝不當(dāng)，以及器件封裝因素對(duì)器件鍵合失效造成的影響。通過對(duì)鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析，以及對(duì)各種失效模式總結(jié)，闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良，造成鍵合本質(zhì)失效的機(jī)理；并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。
2023-07-26 11:23:153526 PCB熔錫不良現(xiàn)象背后的失效機(jī)理
2023-08-04 09:50:012519 
電阻膜腐蝕造成電阻失效的發(fā)生機(jī)理為：外部水汽通過表面樹脂保護(hù)層浸入到電阻膜層，在內(nèi)部電場(chǎng)作用下，發(fā)生水解反應(yīng)。電阻膜表面殘留的K離子、Na離子極易溶于水，加速了電阻膜的水解反應(yīng)，致使電阻膜腐蝕失效。
2023-08-18 11:41:373839 
肖特基二極管失效機(jī)理? 肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）作為一種快速開關(guān)元件，在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是，隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:083623 什么是雪崩失效
2023-12-06 17:37:531407 
保護(hù)器件過電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析
2023-12-14 17:06:451923 
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同，如表1所示。本文針對(duì)兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機(jī)理進(jìn)行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ)，尤其是封裝
2023-11-23 08:10:077556 
有效的熱管理對(duì)于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系，環(huán)境過熱會(huì)降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過早失效，充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對(duì)于 MOSFET 散熱至關(guān)重要。
2023-12-05 17:14:301265 電路性能下降甚至系統(tǒng)癱瘓。因此，深入了解晶閘管的失效模式與機(jī)理，對(duì)于提高電路設(shè)計(jì)的可靠性具有重要意義。本文將從晶閘管的基本原理出發(fā)，詳細(xì)探討其失效模式與機(jī)理，并結(jié)合相關(guān)數(shù)字和信息進(jìn)行說明。
2024-05-27 15:00:042961 在電子與電氣工程領(lǐng)域，雪崩失效與過壓擊穿是兩種常見的器件失效模式，它們對(duì)電路的穩(wěn)定性和可靠性構(gòu)成了嚴(yán)重威脅。盡管這兩種失效模式在本質(zhì)上是不同的，但它們之間存在一定的聯(lián)系和相互影響。本文將深入探討雪崩失效與過壓擊穿的發(fā)生順序、機(jī)制、影響因素及預(yù)防措施，為技術(shù)人員提供全面、準(zhǔn)確的技術(shù)指導(dǎo)。
2025-01-30 15:53:001271 本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機(jī)理的統(tǒng)計(jì)，然后詳細(xì)介紹了封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備。
2025-03-13 14:45:411820 
半導(dǎo)體集成電路失效機(jī)理中除了與封裝有關(guān)的失效機(jī)理以外，還有與應(yīng)用有關(guān)的失效機(jī)理。
2025-03-25 15:41:371794 
失效分析的定義與目標(biāo)失效分析是對(duì)失效電子元器件進(jìn)行診斷的過程。其核心目標(biāo)是確定失效模式和失效機(jī)理。失效模式指的是我們觀察到的失效現(xiàn)象和形式，例如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等；而失效機(jī)理則是指導(dǎo)
2025-05-08 14:30:23910 
，IGBT 芯片表面平整度與短路失效存在密切關(guān)聯(lián)，探究?jī)烧叩淖饔?b class="flag-6" style="color: red">機(jī)理對(duì)提升 IGBT 可靠性具有重要意義。 二、IGBT 結(jié)構(gòu)與短路失效危害 IGBT 由雙極型晶體管和 MOSFET 組合而成，其芯片表面通常包含柵極氧化層、源極金屬層等多層結(jié)構(gòu)。短路失效時(shí)，過大的電流
2025-08-25 11:13:121354 
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，元器件的可靠性直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。本文將深入探討各類電子元器件的典型失效模式及其背后的機(jī)理，為電子設(shè)備的設(shè)計(jì)、制造和應(yīng)用提供參考。典型元件一：機(jī)電元件機(jī)電元件包括電連接器
2025-10-27 16:22:56377 
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