(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發(fā)的特點；納微半導體的GaNFast方案則可以通過高頻實現充電器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。對于氮化鎵快充普及浪潮的來臨，各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發(fā)展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅，有效降低內部變壓器等原件體積，同時優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢，針對 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34
和擴展到4G LTE基站以及大規(guī)模MIMO 5G天線領域，其中天線配置的絕對密度對功率和熱性能具有極高的價值，特別是在較高頻率下。經過適當開發(fā)，硅基氮化鎵的功率效率優(yōu)勢將對無線網絡運營商的基站運營費用
2018-08-17 09:49:42
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
，2013年1月達到140lm為/W。 硅芯片和藍寶石的區(qū)別，藍寶石是透明襯底，硅襯垂直結構，白光出光均勻，容易配二次光學。硅襯底氮化鎵基LED直接白光芯片，熒光粉直涂白光芯片分布集中。 下一步怎么做呢
2014-01-24 16:08:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
硬件和軟件套件有助加快并簡化固態(tài)射頻系統(tǒng)開發(fā)經優(yōu)化后可供烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點火系統(tǒng)的商業(yè)制造商使用系統(tǒng)設計人員能夠以LDMOS的價格充分利用硅基氮化鎵性能的優(yōu)勢在IMS現場
2017-08-03 10:11:14
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
TI始終引領著提倡開發(fā)和實施全面性方法，確保在嚴苛操作環(huán)境下，GaN設備也能夠可靠地運行和具有出色的使用壽命。為此，我們用傳統(tǒng)的硅方法制作GaN的硅基，從而利用硅的內在特性。
2019-07-31 06:19:34
eMode硅基氮化鎵技術，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
幾十倍、甚至上百倍的數量增加，因此成本的控制非常關鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優(yōu)勢，隨著硅基氮化鎵技術的成熟，它能以最大的性價比優(yōu)勢取得市場的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
組件連手改變電力電子產業(yè)原本由硅組件主導的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性，能為高頻電源設計帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優(yōu)勢，因此在服務器、通訊電源及便攜設備充電器等領域
2021-09-23 15:02:11
造成過大的損耗。氮化鎵開關管與傳統(tǒng)的硅MOS不同，氮化鎵具有非常低的導阻，保護芯片通過檢測保護管壓降來判斷過電流的方式仍然可以沿用。但是氮化鎵導阻極低，這對保護芯片的壓降檢測精度帶來了更高的要求。需要
2023-02-21 16:13:41
鎵器件大約在2015年推出市場，與具有相同導通電阻和額定電壓的硅功率MOSFET相比，其價格更低 。從那時起，產量繼續(xù)提升、氮化鎵器件的價格持續(xù)下降、氮化鎵技術不斷改進和芯片進一步更小化。下圖顯示了
2023-06-25 14:17:47
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
法國阿斯克新城和德國德累斯頓 - 2018 年 2 月 1 日 - 來自電子、微電子及納米技術研究院 （IEMN） 的最新結果顯示，ALLOS 即將推出的適用于 1200 V 器件的硅基氮化鎵外延片產品具有超過 1400 V 的縱向和橫向擊穿電壓。
2018-02-26 10:17:42
6459 
氮化鎵外延片產品技術。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內多家杰出的消費類電子產品公司生產外延片的同時，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產品技術在Veeco Propel? MOCVD反應器上的可復制性。
2018-11-10 10:18:181790 與傳統(tǒng)的金屬氧化物（LDMOS）半導體相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢十分明顯——提供的有效功率可超過70%，每個單位面積的功率提升了4~6倍數，從而降低整體功耗，并且很重要的是能夠擴展至高頻率應用。同時
2018-11-10 11:29:249762 關鍵詞：硅基氮化鎵 , 功率放大器 MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅
2019-02-17 12:32:01659 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產產量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應用其獨特的應變工程技術，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN－on－Si） 外延片的出色一致性和可重復性
2020-12-24 10:20:302566 意法半導體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數據中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片制造成功。
2022-05-20 09:16:172067 據外媒報道，格芯（Globalfoundries Inc.）日前獲得3000萬美元的聯邦資金支持，用于在其位于佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該工廠目前每月可生產超過
2022-10-21 15:33:231691 傳統(tǒng)上，半導體生產中最常用的材料是硅（Si），因為它豐富且價格合理。但是，半導體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數還提供額外的好處，例如碳化硅（SiC）、砷化鎵（GaAs）和氮化鎵
2022-12-13 10:00:083919 氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關，更高的熱導率和更低的導通電阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
2023-02-02 17:23:014677 器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。 氮化鎵技術是指一種寬帶隙半導體材料，相較于傳統(tǒng)的硅基半導體，具有相對寬的帶隙。所以寬帶隙器件可以在高壓、高溫、高頻率下工作。
2023-02-03 14:14:454119 氮化鎵前景怎么樣 氮化鎵產業(yè)概述 1、產業(yè)地位 隨著半導體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導體和第二代砷化鎵等半導體，第三代半導體具有高擊穿電場、高熱導率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點。以SiC
2023-02-03 14:31:181408 氮化鎵是目前全球最快功率開關器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導體材料，許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導體更強。
2023-02-05 12:48:1527982 生長在c面生長表面上的c面氮化鎵基半導體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產生內電場，這降低了輻射復合率。為了防止這樣的極化現象，正在進行對非極性或半極性氮化鎵基半導體層的研究。
2023-02-05 14:23:454374 
卻可以實現更高的性能。那么氮化鎵芯片應用領域有哪些呢？ 而隨著氮化鎵技術的不斷發(fā)展，氮化鎵也應用在了很多新興領域。 新型電子器件 GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器
2023-02-05 14:30:084276 隨著半導體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導體和第二代砷化鎵等半導體，第三代半導體具有高擊穿電場、高熱導率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點。以SiC和GaN為代表物質制作的器件具有更大的輸出功率
2023-02-05 14:41:412921 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。
2023-02-06 09:46:093643 
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料，主要應用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對傳統(tǒng)硅材料進行替代。預計中短期內硅基氮 化鎵將在手機快充充電器市場快速滲透，長期在基站、服務器、新能源汽車等諸多場景也將具有一定的增長潛力。
2023-02-06 16:44:274965 硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導體技術，硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:355312 在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導體技術中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應用。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）半導體，具有快速的開關速度，更高的擊穿強度和高導熱性。
2023-02-09 18:04:021141 硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-10 10:43:342743 
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無線電的領先大功率射頻功率放大器技術。然而，目前的實現方式成本過高。與硅基技術相比，氮化鎵生長在昂貴的III/V族SiC晶圓上，采用昂貴
2023-02-10 10:48:501674 
氮化鎵根據襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達等領域；硅基氮化鎵功率器件主要應用于電力電子器件領域。雖然
2023-02-10 10:52:524734 
硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經過各種氣體反應在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極小面積上的一種電子產品。氮化鎵功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:4213770 
硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導體，屬于所謂寬禁帶半導體之列。
2023-02-12 13:52:271619 在半導體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開了大門，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。
2023-02-12 14:00:151261 硅基氮化鎵是第三代半導體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長度可以拉長至2米。 硅基氮化鎵器件具有擊穿電壓高、導通電阻低、開關速度快、零
2023-02-12 14:30:283191 硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料，主要應用于功率器件，可有效縮小功率器件體積，提高功率器件效率，對傳統(tǒng)硅材料功率器 件進行替代。
2023-02-12 17:05:08997 硅上氮化鎵具有廣泛的未來應用，擴展了當前的HEMT功能，將功率水平提高到1kW以上。該技術可幫助設計人員提高工作電壓，并將頻率響應從Ka波段推入E波段、W波段和太赫茲空間。本文由香港科技大學電子及計算機科技系的一組研究人員提出。
2023-02-12 17:20:08736 硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）LED始終備受世人的關注。在最近十年的初期，當 Bridgelux（普瑞光電）公司宣布該技術可減低 LED 照明的成本時，它一舉成為了頭條新聞。LED 芯片
2023-02-12 17:28:001624 硅基氮化鎵技術是一種新型的氮化鎵外延片技術，它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:012596 硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件，它可以提高功率器件的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學、電力、航空航天等領域。
2023-02-14 14:28:092240 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學、電力、航空航天等領域。
2023-02-14 14:36:082354 硅基氮化鎵技術原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結合在一起，形成一種新的復合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:582277 硅基氮化鎵是一種新型復合材料，它是由硅和氮化鎵結合而成的，具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性和抗拉強度，可以用于制造功率器件和襯底，如電子元件、電子器件和電子零件等。它具有低溫制備、低成本、低污染等優(yōu)點，可以滿足不同應用領域的需求。
2023-02-14 15:14:171894 硅基氮化鎵是一種由硅和氮化鎵組成的復合材料，它具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。此外，硅基氮化鎵還可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 15:26:103578 硅基氮化鎵充電器是一種利用硅基氮化鎵材料作為電池正極材料的充電器，具有高功率密度、高安全性和高可靠性等優(yōu)點。
2023-02-14 15:41:074636 氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關速度，更高的熱導率和更低的導通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:06
0 氮化鎵（GaN）是一種具有半導體特性的化合物，是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導體材料，與碳化硅（SiC）并稱為第三代半導體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶隙（band-gap）”，因此與硅基電子產品相比具有許多優(yōu)勢。
2023-02-15 17:52:352111 砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是：硅基芯片是進行物理刻蝕線路工藝（凹刻），可以5-100納米工藝，而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學堆砌線路（凸堆），線路線寬40-100納米。所以，能做硅基芯片的公司是做不了砷化鎵芯片的。
2023-02-20 16:53:1010760 一步，推出采用GaNSense?技術的新一代智能GaNFast?氮化鎵功率芯片，為氮化鎵技術的探索翻開了新的一頁。? 氮化鎵VS傳統(tǒng)的硅，節(jié)能又減排 眾所周知，硅作為晶體管的首選材料，一直是半導體科技的基
2023-02-21 14:57:110 合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的半導體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術，將多個半導體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:232506 相對于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產生的熱量較少，因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅電源會產生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:2310672 氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-28 17:03:083021 
納微半導體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標準的、低
2023-09-01 14:46:041591 
氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強于傳統(tǒng)的硅基半導體。
2023-09-11 17:17:534150 GaN 技術持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導地位，但它的出現將影響供應鏈，并可能塑造未來的電信技術。
2023-09-14 10:22:362158 
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構
2023-09-19 14:50:3410640 
作為第三代半導體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:331748 
氮化鎵芯片的選用要從實際應用出發(fā)，結合實際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達到最佳的性能和效果。明確應用場景。首先要明確使用的具體場景，如音頻、視頻、計算還是其他應用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時，要充分考慮應用的場景。
2023-10-26 17:02:181576 GaN氮化鎵晶圓硬度強、鍍層硬、材質脆材質特點，與硅晶圓相比在封裝過程中對溫度、封裝應力更為敏感，芯片裂紋、界面分層是封裝過程最易出現的問題。同時，GaN產品的高壓特性，也在封裝設計過程對爬電距離的設計要求也與硅基IC有明顯的差異。
2023-11-21 15:22:362662 
導率以及較高的抗電擊穿能力。相比于傳統(tǒng)的硅基充電器，氮化鎵充電器具有許多優(yōu)點。 首先，氮化鎵充電器具有更高的功率密度。GaN材料具有較高的電子遷移率，能夠更高效地傳導電流。因此，使用氮化鎵充電器可以在相同尺寸的設備中傳輸
2023-11-21 16:15:247003 ，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點和優(yōu)勢，同時也存在一些缺點。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點，以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導體
2023-11-21 16:15:3011008 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程和所
2023-11-24 11:15:206429 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點，被廣泛應用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:155437 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
2023-11-24 16:49:221796 、射頻和光電子等領域，能夠提供高效、高性能的功率轉換和信號放大功能。 GaN MOS管驅動芯片具有以下特點： 高功率密度：與傳統(tǒng)硅基材料相比，氮化鎵材料具有更高的擊穿電場強度和電導率。這使得GaN MOS管驅動芯片能夠承受更高的功率密度，并提供更
2023-12-27 14:43:233430 氮化鎵半導體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導體芯片在組成材料、性能特點、應用領域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個方面進行詳細介紹。 首先，氮化鎵半導體芯片和傳統(tǒng)的硅半導體芯片的組成
2023-12-27 14:58:242956 、電子設備領域： 1.1 功率放大器：氮化鎵技術在功率放大器的應用中具有重要的意義。相比傳統(tǒng)的硅基功率放大器，氮化鎵功率放大器具有更高的功率密度、更高的效率和更寬的頻率范圍。因此，它們廣泛用于射頻通信、雷達、無線電和太赫
2024-01-09 18:06:363961 對目前市場上的幾種主要氮化鎵芯片進行比較分析，幫助讀者了解不同型號芯片的特點和適用場景。 一、氮化鎵芯片的基本原理 氮化鎵（GaN）是一種硅基半導體材料，具有較高的載流子遷移率和較大的擊穿電場強度，使其具備優(yōu)秀的高
2024-01-10 09:25:573841 氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導體芯片，它們在性能、應用領域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個方面詳細比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點和差異。 首先，從材料屬性上來看，氮化鎵芯片采用
2024-01-10 10:08:143855 氮化鎵芯片是一種新型的半導體材料，由于其優(yōu)良的電學性能，廣泛應用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產工藝中，主要包括以下幾個方面：材料準備、芯片制備、工廠測試和封裝等。 首先，氮化鎵芯片
2024-01-10 10:09:414135 氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導體材料，在目前的電子設備中逐漸得到應用。它以其優(yōu)異的性能和特點備受研究人員的關注和追捧。在現代科技的進步中，氮化鎵芯片的研發(fā)過程至關重要。下面將詳細介紹氮化鎵
2024-01-10 10:11:392150 氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領域有著廣泛應用的潛力。以下是幾個氮化鎵芯片的應用領域
2024-01-10 10:13:193278 硅基氮化鎵（SiGaN）集成電路芯片是一種新型的半導體材料，具有廣闊的應用前景。它將硅基材料與氮化鎵材料結合在一起，利用其優(yōu)勢來加速集成電路發(fā)展的速度。本文將介紹硅基氮化鎵集成電路芯片的背景、特點
2024-01-10 10:14:582335 氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的功率半導體器件，具有很多優(yōu)點和一些缺點。以下是關于氮化鎵芯片的詳細介紹。 優(yōu)點： 1.高頻率特性：GaN芯片具有優(yōu)秀的高頻特性，可以實現高頻率工作，適合用于射頻和微波
2024-01-10 10:16:526202 中的性能差異源于材料物理特性，具體優(yōu)劣勢如下： 1. GaN（氮化鎵）功放芯片 優(yōu)勢： 功率密度高：GaN 的擊穿電場強度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面積下可承受更高電壓（600V+）和電流，功率密度可達硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573106
電子發(fā)燒友App
工商網監(jiān)
評論