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意法半導體和MACOM射頻硅基氮化鎵原型芯片制造成功

科技綠洲 ? 來源:意法半導體中國 ? 作者:意法半導體中國 ? 2022-05-20 09:16 ? 次閱讀
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意法半導體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司宣布,射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?;谶@一成果,意法半導體和MACOM將繼續(xù)攜手,深化合作。

數(shù)字社交媒體、視頻通話和移動設備上的互聯(lián)網(wǎng)應用正在增加對高性能5G/6G無線網(wǎng)絡的需求,以提供足夠的網(wǎng)絡覆蓋和服務質(zhì)量。在新冠疫情期間,這種趨勢愈演愈烈,因此,運營商正在推動5G/6G的推廣,以應對這種指數(shù)級增長的數(shù)據(jù)消費趨勢。

射頻硅基氮化鎵可為5G和6G移動基礎設施應用帶來巨大的發(fā)展?jié)摿?。初代射頻功率放大器(PA)主要是采用存在已久的橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)射頻功率技術,而GaN(氮化鎵)可以給這些射頻功率放大器帶來更好的射頻特性和更高的輸出功率。此外,雖然GaN既可以在硅片上制造,也可以在碳化硅(SiC)晶圓上制造,但射頻碳化硅基氮化鎵(RF GaN-on-SiC)終究不是一種主流半導體制造工藝,且還要考慮和高功率應用爭奪SiC晶圓,這些都可能會導致其成本更加昂貴。而意法半導體和MACOM正在開發(fā)的射頻硅基氮化鎵技術可以集成到標準半導體工業(yè)中,在實現(xiàn)具有競爭力的性能的同時,也有望帶來巨大的規(guī)模經(jīng)濟效益。

意法半導體制造的射頻硅基氮化鎵原型晶圓和相關器件已達到成本和性能目標,完全能夠與市場上現(xiàn)有的LDMOS和GaN-on-SiC技術展開有效競爭?,F(xiàn)在,這些原型即將進入下一個重要階段——認證測試和量產(chǎn)。意法半導體計劃將在 2022年實現(xiàn)這一新的里程碑。為取得這一進展,意法半導體和MACOM已著手研究如何加大投入力度,以加快先進的射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品上市。

意法半導體功率晶體管子產(chǎn)品部總經(jīng)理兼執(zhí)行副總裁 Edoardo Merli表示:

我們相信,這項技術的性能水平和工藝成熟度現(xiàn)已達到可以挑戰(zhàn)現(xiàn)有的LDMOS和射頻GaN-on-SiC的程度。我們可以為無線基礎設施等大規(guī)模應用帶來成本效益和供應鏈優(yōu)勢。射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品的商業(yè)化是我們與MACOM合作的下一個重要目標,隨著合作項目不斷取得進展,我們期待著釋放這一激動人心的技術的全部潛力。

MACOM 總裁兼首席執(zhí)行官 Stephen G. Daly表示:

我們推進硅基氮化鎵技術商業(yè)化和量產(chǎn)工作繼續(xù)取得良好進展。我們與意法半導體的合作是我們射頻功率戰(zhàn)略的重要組成部分,相信我們可以在硅基氮化鎵技術可以發(fā)揮優(yōu)勢的目標應用領域贏得市場份額。

審核編輯:彭靜
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