MOS管有三個(gè)引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個(gè)腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過(guò)改變引腳的電平，我們可以直接控制這個(gè)MOS管的開(kāi)與關(guān)。漏極D和源極S這兩個(gè)引腳，就相當(dāng)于，開(kāi)關(guān)電路的兩頭，一個(gè)腳連接電源，一個(gè)腳，連接電路的地。
2023-02-27 17:41:29
7362 
首先說(shuō)一下電源IC直接驅(qū)動(dòng)，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過(guò)多處理，因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長(zhǎng)度，增加走線寬度，盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進(jìn)的位置，從而達(dá)到減少寄生電感，消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386460 
柵極浮空，顧名思義，就是 MOS 管的柵極不與任何電極相連，處于懸浮狀態(tài)。
2024-02-25 16:32:13952 
柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
關(guān)于mos管的驅(qū)動(dòng)知識(shí)點(diǎn)不看肯定后悔柵極電阻的作用是什么？
2021-09-18 09:17:37
了一種獨(dú)特但簡(jiǎn)單的柵極脈沖驅(qū)動(dòng)電路，為快速開(kāi)關(guān)HPA提供了另一種方法，同時(shí)消除了與漏極開(kāi)關(guān)有關(guān)的電路。實(shí)測(cè)切換時(shí)間小于200 ns，相對(duì)于1 s的目標(biāo)還有一些裕量。其他特性包括：解決器件間差異的偏置編程
2019-02-27 08:04:56
柵極驅(qū)動(dòng)和電流反饋信號(hào)隔離說(shuō)明
2021-03-11 06:43:47
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
系統(tǒng)中各種功能電路之間的電氣分離，使得它們之間不存在直接導(dǎo)通路徑。這樣，不同電路可以擁有不同的地電位。利用電感、電容或光學(xué)方法，仍可讓信號(hào)和/或電源在隔離電路之間通過(guò)。對(duì)于采用柵極驅(qū)動(dòng)器的系統(tǒng)，隔離
2021-07-09 07:00:00
負(fù)電壓柵極驅(qū)動(dòng)器中的負(fù)電壓處理是指承受輸入和輸出端負(fù)電壓的能力。這些不必要的電壓可能是由于開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換、泄漏或布局不良引起的。柵極驅(qū)動(dòng)器的負(fù)電壓承受能力對(duì)于穩(wěn)健可靠的解決方案至關(guān)重要。圖1顯示了TI柵極
2019-04-15 06:20:07
方波控制，三相上橋mos柵極波形都是這樣。有沒(méi)有遇到過(guò)這種情況的。
2022-11-10 14:56:56
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案選項(xiàng)最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
2021-03-08 07:53:35
MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開(kāi)通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開(kāi)通過(guò)程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)柵極很容易發(fā)生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個(gè)小電阻，我想問(wèn)為什么電阻可以抑制振蕩？請(qǐng)眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
?！ 《?dāng)柵極開(kāi)路的時(shí)候，這個(gè)電流只能給下方的Cgs電容充電，然后就會(huì)導(dǎo)致柵極電壓突然升高。當(dāng)超過(guò)MOS管的門線電壓VTH的時(shí)候，MOS管就會(huì)很容易誤導(dǎo)通?！ ∷晕覀冃枰Ｗo(hù)MOS管的柵極電壓來(lái)防止誤導(dǎo)
2023-03-15 16:55:58
嗎，為什么？2、導(dǎo)通之后，三極管基極和MOS管柵極的電流幾乎一樣，而且是pf級(jí)別的，非常小。所以具體過(guò)程是不是剛開(kāi)始MOS柵極電流很大，等到MOS管完全導(dǎo)通后柵極電流就變小，但為什么這個(gè)電流會(huì)變小呢？
2021-04-27 12:03:09
PCB表面OSP的處理方法PCB化學(xué)鎳金的基礎(chǔ)步驟
2021-04-21 06:12:39
來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng)本期圍繞著PCB設(shè)計(jì)內(nèi)容為主，主要是給大家總結(jié)了幾點(diǎn)關(guān)于失誤導(dǎo)致電路故障的原因，并給出了解決對(duì)策。本文以FR-4電介質(zhì)、厚度0.0625in的雙層PCB為例，電路板底層接地。工作頻率介于315MHz到915MHz之間的不同頻段，Tx和Rx功率介于-120dBm至+13dBm之間。
2020-10-23 07:13:16
STM32片內(nèi)FLASH燒寫錯(cuò)誤導(dǎo)致ST-LINK燒錄不進(jìn)程序怎么解決？
2022-01-27 06:44:41
從本文開(kāi)始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來(lái)要介紹
2018-11-30 11:31:17
變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器，還執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開(kāi)關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，某些特性至關(guān)重要。
2020-10-29 08:23:33
分享一下十幾年我一直使用的按鍵處理方法看見(jiàn)大家發(fā)了那么多按鍵的處理方法，我也發(fā)一個(gè)。
2013-12-04 15:21:07
上一篇文章對(duì)全SiC模塊柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)之一“柵極誤導(dǎo)通”進(jìn)行了介紹。本文將作為“其2”介紹柵極誤導(dǎo)通的處理方法?！?b class="flag-6" style="color: red">柵極誤導(dǎo)通”的抑制方法柵極誤導(dǎo)通的對(duì)策方法有三種。①是通過(guò)將Vgs降至負(fù)電
2018-11-27 16:41:26
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開(kāi)關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因。
2023-03-15 17:28:37
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
在設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器時(shí)，保護(hù)操作重型機(jī)械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應(yīng)考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統(tǒng)中提供安全隔離
2022-11-10 06:40:24
"低邊誤導(dǎo)通"或 "dv/dt 引起的導(dǎo)通", 是同步降壓轉(zhuǎn)換器中一種常見(jiàn)的潛在危險(xiǎn)。 本設(shè)計(jì)注釋深入探討如何防止這種情況的發(fā)生。
2018-08-27 13:51:13
和下橋臂驅(qū)動(dòng)器需要高度匹配的時(shí)序特性，以實(shí)現(xiàn)精確高效開(kāi)關(guān)操作。這減少了半橋關(guān)斷和開(kāi)通之間的死區(qū)時(shí)間。實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)功能的典型方法是使用光耦合器進(jìn)行隔離，后跟高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC，如圖1所示。該電路
2018-10-16 16:00:23
與專用柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行特性對(duì)比。在電路構(gòu)成中，有上次介紹過(guò)的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，作為柵極誤導(dǎo)通對(duì)策，增加微法級(jí)的CGS，對(duì)VGS施加-5V作為負(fù)偏壓（搭載第二代
2018-11-27 16:36:43
總線延遲產(chǎn)生的原因是什么？延遲錯(cuò)誤導(dǎo)致會(huì)什么結(jié)果？如何檢測(cè)傳輸延遲？消除延時(shí)誤差的方法有哪些？
2021-05-14 06:08:39
分享一下十幾年我一直使用的按鍵處理方法看見(jiàn)大家發(fā)了那么多按鍵的處理方法，我也發(fā)一個(gè)。
2013-12-04 15:20:05
防止由米勒電容引起的故障的另一種方法包括在IGBT的柵極發(fā)射極之間進(jìn)行短路。配置電路以從外部組件安全地鉗位柵極是復(fù)雜的并且需要額外的PWB空間。 TLP5214具有內(nèi)部功能，稱為有源米勒鉗位功能，可
2020-05-11 09:00:09
在labview中 波形
處理都有哪些
方法？謝謝！?。?/div>
2013-12-10 14:58:14
各位工程師大家好，初入電子領(lǐng)域，目前在研究高頻驅(qū)動(dòng)電路，在高頻柵極驅(qū)動(dòng)芯片的選型上遇到了難題，目前有沒(méi)有比TI的LMG1020，更適合小功率高頻驅(qū)動(dòng)的柵極驅(qū)動(dòng)芯片或者有沒(méi)有推薦的搜索網(wǎng)站，希望各位大佬指點(diǎn)一下
2023-02-21 11:10:50
【不懂就問(wèn)】看到TI的一個(gè)三相逆變器設(shè)計(jì)資料中，關(guān)于有源米勒鉗位的設(shè)計(jì)這是一段原話“開(kāi)關(guān)IGBT過(guò)程中，位移電流流經(jīng)IGBT的GE極電容，使其柵極電壓上升，可能讓器件誤導(dǎo)通原因是，當(dāng)逆變器的上管導(dǎo)
2017-12-21 09:01:45
若遇到有人發(fā)內(nèi)容與主題不符，誤導(dǎo)別人購(gòu)買，花的積分要如何追回？
2017-08-04 10:31:54
`如圖所示，在上電瞬間Q1（PMOS）為什么偶爾會(huì)出現(xiàn)誤導(dǎo)通情況，誤導(dǎo)通后就不受IO5控制了，請(qǐng)問(wèn)各位前輩如何能解決這個(gè)誤導(dǎo)通問(wèn)題，謝謝。`
2021-05-13 20:20:37
不同的地電位。利用電感、電容或光學(xué)方法，仍可讓信號(hào)和/或電源在隔離電路之間通過(guò)。對(duì)于采用柵極驅(qū)動(dòng)器的系統(tǒng)，隔離對(duì)功能的執(zhí)行可能是必要的，并且也可能是安全要求。圖6中，VBUS可能有幾百伏，在給定時(shí)間可能有
2018-10-25 10:22:56
：隔離是指系統(tǒng)中各種功能電路之間的電氣分離，使得它們之間不存在直接導(dǎo)通路徑。這樣，不同電路可以擁有不同的地電位。利用電感、電容或光學(xué)方法，仍可讓信號(hào)和/或電源在隔離電路之間通過(guò)。對(duì)于采用柵極驅(qū)動(dòng)器的系統(tǒng)
2018-11-01 11:35:35
：高速公路布局。中心：VSW布局。右：CSW 布局 區(qū)段布局實(shí)驗(yàn) 外環(huán)柵極如何影響非對(duì)稱器件的電流可控性和柵極金屬化魯棒性的不確定性導(dǎo)致了對(duì)此類器件中柵極金屬化的阻抗特性的廣泛仿真（仿真方法在［2］中
2023-02-24 15:37:38
小功率電子管電性能測(cè)試方法對(duì)陰極具有負(fù)電位的柵極電流的測(cè)試方法 GB 3306.3-82
本標(biāo)準(zhǔn)適用于陽(yáng)極耗散功率不大于25W的電子管。并規(guī)定了以下的測(cè)試方法：直
2010-04-26 14:31:30
44
共柵極電路圖
2009-05-06 16:15:174398 
三端光控晶閘管抗誤導(dǎo)通電路圖
2009-06-06 09:37:48495 
FET柵極的驅(qū)動(dòng)方法電路圖
2009-08-15 17:31:21719 
一般水處理方法及原理
常用的水處理方法有：(一)沉淀物過(guò)濾法、(二)硬水軟化法、(三)活性炭吸附法、(四)去離子法、(五)逆滲透法、(六)超過(guò)濾法、(七)
2009-11-19 10:40:252517 柵極/浮置柵,柵極/浮置柵是什么意思
多極電子管中最靠近陰極的一個(gè)電極，具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線的形狀，有控制板極電流的強(qiáng)度﹑改變電子管的
2010-03-04 16:14:532013 IGBT的柵極出現(xiàn)過(guò)壓的原因: 1.靜電聚積在柵極電容上引起過(guò)壓.
2011-01-29 19:18:352679 
昨天，蘋果再次就與深圳唯冠（微博）之間的iPad商標(biāo)權(quán)糾紛發(fā)布聲明稱，唯冠蓄意誤導(dǎo)法院和公眾，并試圖從商標(biāo)權(quán)案中獲取超額利益。深圳唯冠代理律師則回應(yīng)稱其“維權(quán)行為”沒(méi)有
2012-03-14 08:46:29672 了關(guān)鍵的柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)。涉及的主題包括負(fù)電壓處理、延遲匹配、寬VDD和工作溫度范圍等。這篇博文將更全面地解釋這些主題。
2017-04-26 15:18:383420 
由式(5)和式(6)可知，反饋電流IL值為正。IL不能直接加在柵極，以免對(duì)柵極電流造成沖擊，因此需要引入一個(gè)由Q5、Q6組成的鏡像電路，將流過(guò)Q6的電流鏡像到流過(guò)Q5的電路上反饋到柵極。這樣，實(shí)現(xiàn)了對(duì)IGBT開(kāi)通時(shí)柵極電流的調(diào)控，IGBT開(kāi)通時(shí)di/dt得到控制，如式(7)所示。
2018-04-17 08:48:5012138 
蘋果CEO蒂姆·庫(kù)克（Tim Cook）此前在專訪中稱，高通和蘋果之間近期沒(méi)有展開(kāi)任何和解談判。而高通周二表示，這是“誤導(dǎo)”的說(shuō)法。
2019-01-10 10:42:58818 當(dāng)驅(qū)動(dòng)中/高功率MOSFET和IGBT時(shí)，一旦功率器件上的電壓變化速率較高，就會(huì)存在密勒效應(yīng)導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)。電流通過(guò)柵極-漏極電容或柵極-集電極電容注入到功率器件的柵極。如果電流注入足夠大，使柵極電壓高于器件的閾值電壓，則可以觀察到寄生導(dǎo)通效應(yīng)，從而導(dǎo)致效率降低，甚至出現(xiàn)器件故障。
2019-04-10 10:38:414735 
的值，但柵極對(duì)漏電容實(shí)際上更重要，也更難處理，因?yàn)樗鞘茈妷汉瘮?shù)影響的非線性電容；柵極對(duì)源電容也受電壓函數(shù)影響，但影響程度要小得多。
2020-03-09 08:00:0024 )時(shí)MOSFET才開(kāi)始導(dǎo)通。這就要求柵極驅(qū)動(dòng)的柵極電流足夠大，能夠瞬時(shí)充滿MOSFET柵極電容。因此，柵極驅(qū)動(dòng)就是起到驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)電源導(dǎo)通與關(guān)閉的作用。 柵極驅(qū)動(dòng)器工作狀態(tài) 柵極驅(qū)動(dòng)器工作輸出電壓使開(kāi)關(guān)管導(dǎo)迢并運(yùn)行于開(kāi)關(guān)狀態(tài)下。這種通過(guò)高壓穩(wěn)壓器自給供電的方法就是第節(jié)所介
2022-11-16 17:50:18987 深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)是一種使用數(shù)學(xué)模型處理圖像以及其他數(shù)據(jù)的多層系統(tǒng)，而且目前已經(jīng)發(fā)展為人工智能的重要基石。 深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)得出的結(jié)果看似復(fù)雜，但同樣有可能受到誤導(dǎo)。而這樣的誤導(dǎo)輕則致使其將一種動(dòng)物錯(cuò)誤識(shí)別
2020-11-25 14:39:561189 據(jù)外媒報(bào)道，意大利反壟斷機(jī)構(gòu)今天宣布，對(duì)蘋果公司處以1000萬(wàn)歐元（約合7890萬(wàn)元）的罰款，原因是蘋果在iPhone促銷中存在誤導(dǎo)性的商業(yè)行為。
2020-11-30 16:07:291425 FET柵極驅(qū)動(dòng)器和電源的支持組件集成在柵極驅(qū)動(dòng)器中，從而縮減了串聯(lián)柵極電阻器、柵極灌電流路徑二極管、柵源電壓(VGS)鉗位二極管、柵極無(wú)源下拉電阻器和電源等組件的物料清單(BOM)和組裝成本。
2021-01-13 14:06:282800 關(guān)于高壓柵極驅(qū)動(dòng)器自舉電路設(shè)計(jì)方法介紹。
2021-06-19 10:14:0476 介紹了柵極電阻的作用。
2021-06-21 15:08:2826 介紹3種跨時(shí)鐘域處理的方法，這3種方法可以說(shuō)是FPGA界最常用也最實(shí)用的方法，這三種方法包含了單bit和多bit數(shù)據(jù)的跨時(shí)鐘域處理，學(xué)會(huì)這3招之后，對(duì)于FPGA相關(guān)的跨時(shí)鐘域數(shù)據(jù)處理便可以手到擒來(lái)。 本文介紹的3種方法跨時(shí)鐘域處理方法如下：
2021-09-18 11:33:4921439 
STM32片內(nèi)FLASH燒寫錯(cuò)誤導(dǎo)致ST-li
2021-12-02 18:06:077 根據(jù)實(shí)際測(cè)量的柵極電流計(jì)算柵極漏電流是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。柵極電容器的充電和放電瞬態(tài)過(guò)程支配著柵極電流。電感器引入了二階振鈴，這使得計(jì)算過(guò)程更加復(fù)雜。上述挑戰(zhàn)的解決方案是引入一種用于測(cè)量柵極電荷的原位方法。
2022-08-03 09:34:412202 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：通過(guò)采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來(lái)防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒(méi)有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過(guò)米勒鉗位進(jìn)行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過(guò)增加誤導(dǎo)通抑制電容器來(lái)處理。
2023-02-09 10:19:15515 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 
如果特定功率器件需要正極和負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)，電路設(shè)計(jì)人員無(wú)需尋找專門處理雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器。使用這個(gè)簡(jiǎn)單的技巧使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供雙極性電壓！
2023-02-16 11:04:58518 
晶體管柵極的最簡(jiǎn)單方法是利用 PWM 控制其直接控制柵極，如 圖 8 所示。 直接柵極驅(qū)動(dòng)最艱巨的任務(wù)是優(yōu)化電路布局 。如 圖 8 中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅(qū)動(dòng)和接
2023-02-23 15:59:0017 的接地參考示例中，柵極驅(qū)動(dòng)在 -VCL和 VDRV-VCL電平之間，而不是驅(qū)動(dòng)
器的初始輸出電壓電平 0V和 VDRV 之間。
電壓 VCL由二極管鉗斷網(wǎng)絡(luò)決定，在耦合電容器上形成。此技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是能夠以簡(jiǎn)單的方法在開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)和關(guān)斷狀態(tài)下為柵極提供負(fù)偏置，從而
2023-02-23 15:31:242 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)主開(kāi)關(guān)晶體管柵極的最簡(jiǎn)單方法是利用 PWM 控制器的柵極驅(qū)動(dòng)輸出，如圖（1）如 圖 8中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅(qū)動(dòng)和接地環(huán)路跡線
2023-02-24 10:45:172 這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器與專用柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行特性對(duì)比。在電路構(gòu)成中，有上次介紹過(guò)的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，作為柵極誤導(dǎo)通對(duì)策，增加微法級(jí)的CGS，對(duì)VGS施加-5V作為負(fù)偏壓（搭載第二代SiCMOSFET的全SiC模塊）。
2023-02-27 13:38:59221 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 上一篇文章已經(jīng)講過(guò)了單bit跨時(shí)鐘域的處理方法，這次解說(shuō)一下多bit的跨時(shí)鐘域方法。
2023-05-25 15:07:19584 
當(dāng)前柵極模型量子處理器的性能調(diào)查 演講ppt分享
2023-07-17 16:34:150 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開(kāi)關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 什么是漏極？什么是源極？什么是柵極？柵極源極漏極怎么區(qū)分？漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極？ 漏極、源極和柵極都是指晶體管（如三極管）的不同極性。 首先，我們需要了解晶體管的基本結(jié)構(gòu)，它由兩個(gè)PN
2023-11-21 16:00:457831 橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)
2023-12-05 16:35:57129 
MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 之一，它對(duì)FET的工作狀態(tài)和性能有著直接影響。本文將詳細(xì)介紹場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流的概念、計(jì)算方法以及其在不同工作狀況下的特點(diǎn)和影響。 一、場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流的概念 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)由源極、漏極和柵極組成。當(dāng)FET處于工作狀態(tài)時(shí)，柵極電流即為通過(guò)柵極電極
2023-12-08 10:27:08655 光耦3083是一種常用的光耦合器件，通常用于用于將輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)并隔離輸出信號(hào)的電氣器件。然而，光耦3083在操作中存在誤導(dǎo)通問(wèn)題，這可能是由于以下幾個(gè)原因造成的： 設(shè)計(jì)問(wèn)題：光耦3083
2024-01-15 09:21:55220 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論