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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>柵極型推挽電路不用上P下N的原因

柵極型推挽電路不用上P下N的原因

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2021-08-04 19:51:3735

PMOS管開關(guān)電路及工作原理詳解-KIA MOS管

PMOS管開關(guān)電路圖PMOS是指n襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況,PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-21 19:36:1158

GPIO推挽輸出和開漏輸出模式區(qū)別詳解

以STM32參考手冊中的GPIO輸出配置圖為例:看到輸出驅(qū)動器虛線框中的內(nèi)容,輸出驅(qū)動器中的P-MOS和N-MOS兩個MOS管就是實現(xiàn)推挽輸出和開漏輸出的關(guān)鍵。推挽輸出模式,P-MOS和N
2022-01-13 16:24:1019

關(guān)于PNP與NPN三極管的區(qū)別 npn輸出是正還是負

在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。如下圖所示,推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是上PN,以及上NP。
2022-03-15 07:56:3620933

柵極推挽電路為什么不用上PN

在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是上PN,以及上NP。其原理圖如下所示,
2023-02-02 09:12:131014

一文詳解推挽電路

在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是上PN,以及上NP。 其原理圖如下所示。
2023-03-13 14:04:2329146

MOS管的柵極電阻和GS電阻

MOS管,又叫絕緣柵場效應(yīng)管,屬于電壓控制電流型元件,是開關(guān)電路中的基本元件。其特點是柵極(G)的內(nèi)阻極高。場 效應(yīng)管分為PN,P場效應(yīng)管由于跨導(dǎo)小、閾值電壓高等原因,已經(jīng)逐漸被NMOS所取代。
2023-03-20 11:21:432

改進推挽電路設(shè)計

上節(jié)我們給差分電路加入一個簡單的推挽電路,如圖。
2023-04-25 15:47:372464

推挽電路如何加快控制速度

在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:上PN,上NP。其原理圖分別如下所示。
2023-05-17 09:33:592916

推挽電路原理:“上PN”及“上NP”的區(qū)別

在做信號控制以及驅(qū)動時,為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成:分別是上PN,以及上NP。
2023-05-23 18:20:193435

推挽電路兩種模型詳解:上PN、上NP

推挽電路(push-pull)就是兩個不同極性晶體管間連接的輸出電路
2023-05-25 14:08:554260

太陽能硅片中NP的區(qū)別

太陽能硅片又稱為“太陽能芯片”或“光電池”,是一種利用太陽光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體薄片。它只要被光照到,瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況產(chǎn)生電流。   硅片就是大塊兒硅切割成片子太陽能電池片,一般主流的就是硅片做成晶硅太陽能電池片,一般有N硅片P硅片。太陽能硅片中的NP有以下區(qū)別:
2023-06-20 16:59:4414082

為什么不用SiC來做IGBT?未來是否會大規(guī)模的使用SiC來做IGBT呢?

IGBT芯片是IGBT器件的主要部分,通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成:N+集電極、P漏極、N溝道和P+柵極。
2023-08-08 09:45:121930

柵極推挽電路為什么不用上PN

柵極推挽電路為什么不用上PN
2023-12-07 16:11:077013

如何判定一個MOS晶體管是N溝道還是P溝道呢?

柵極則負責控制這個通道的導(dǎo)電性。 MOS晶體管既可以是N溝道(n-channel)的,也可以是P溝道(p-channel)的。N溝道MOS晶體
2023-11-30 14:24:542647

n半導(dǎo)體和p半導(dǎo)體在導(dǎo)電機制上有何不同?

n半導(dǎo)體和p半導(dǎo)體之間的主要區(qū)別在于它們的載流子類型和濃度。
2023-12-13 11:12:325705

推挽輸出電路的工作原理

推挽輸出電路是一種常見的功放電路,它能夠在輸入信號變化時提供高效的功率放大。本文將詳細介紹推挽輸出電路的工作原理。 推挽輸出電路通常由兩個晶體管組成,一個是NPN晶體管,另一個是PNP晶體管
2023-12-26 10:36:574268

什么是N單導(dǎo)體與P半導(dǎo)體

N單導(dǎo)體和P半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:184984

推挽電路和H橋電路一樣嗎?

推挽電路和H橋電路是兩種不同的電力電子電路,它們在結(jié)構(gòu)和應(yīng)用上存在顯著差異。下面將詳細介紹這兩種電路的特點、工作原理以及它們之間的不同。
2024-05-12 17:16:002571

推挽和開漏是怎么利用電路實現(xiàn)的

推挽和開漏是數(shù)字電路中兩種常見的輸出結(jié)構(gòu),它們在電路設(shè)計中有著廣泛的應(yīng)用。 一、推挽輸出 推挽輸出的工作原理 推挽輸出是一種數(shù)字電路的輸出結(jié)構(gòu),它由兩個互補的晶體管組成,一個為NPN,另一個為
2024-07-09 14:24:101468

NPTOPCON區(qū)別在哪里

NPTOPCon(隧道氧化物鈍化接觸)是太陽能電池領(lǐng)域中兩種不同的技術(shù),它們在材料、結(jié)構(gòu)和性能方面存在一些差異。以下是對這兩種技術(shù)的介紹。 材料差異 NTOPCon和PTOPCon的主要
2024-08-08 09:23:374388

光伏np怎么分別的

光伏電池是將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的設(shè)備,其核心部分是半導(dǎo)體材料。根據(jù)半導(dǎo)體材料的類型,光伏電池可以分為np兩種。 一、np光伏電池的區(qū)別 材料類型不同 n光伏電池使用的是n半導(dǎo)體材料,如
2024-08-08 09:25:028209

光伏組件怎么區(qū)分p還是N

光伏組件是太陽能發(fā)電系統(tǒng)的核心部件,其性能和質(zhì)量直接影響到整個系統(tǒng)的發(fā)電效率和使用壽命。光伏組件主要分為PN兩種,它們在材料、生產(chǎn)工藝、性能等方面都存在一定的差異。 一、PN光伏組件
2024-08-08 09:26:4416387

推挽電路如何使兩只管子都關(guān)斷

的放大。但是,在某些情況,我們可能需要使兩只管子都關(guān)斷,以實現(xiàn)特定的功能。 一、推挽電路的工作原理 1.1 推挽電路的基本結(jié)構(gòu) 推挽電路由一個NPN晶體管和一個PNP晶體管組成,它們的集電極分別連接到輸出端。在NPN晶體管的基
2024-08-15 17:10:031462

p半導(dǎo)體和n半導(dǎo)體區(qū)別是什么

P半導(dǎo)體和N半導(dǎo)體是半導(dǎo)體材料的兩種基本類型,它們在電子器件中具有廣泛的應(yīng)用。 定義 P半導(dǎo)體和N半導(dǎo)體都是由半導(dǎo)體材料制成的,它們的主要區(qū)別在于摻雜元素的不同。P半導(dǎo)體是指在半導(dǎo)體材料
2024-08-16 11:22:1018432

推挽電路放大什么電阻

。 1. 推挽電路的工作原理 推挽電路的基本結(jié)構(gòu)包括兩個晶體管,一個NPN晶體管和一個PNP晶體管,它們共享一個公共的集電極(或漏極)和基極(或柵極)。當輸入信號為正半周期時,NPN晶體管導(dǎo)通,PNP晶體管截止;當輸入信號為負半周
2024-10-09 09:56:161322

6p1單端與6p1推挽有區(qū)別嗎

6P1單端與6P1推挽在電子管功放領(lǐng)域中確實存在顯著的區(qū)別,這些區(qū)別主要體現(xiàn)在電路結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點以及適用場景等方面。以下是對兩者的比較: 一、電路結(jié)構(gòu) 6P1單端 單端電路是指僅使用一個
2024-10-09 17:33:494998

推挽式功放電路原理 功放電路設(shè)計與實現(xiàn)

周期導(dǎo)通,另一個在負半周期導(dǎo)通,從而實現(xiàn)全波形的放大。 互補晶體管對 :在推挽式功放中,通常使用一對互補的晶體管,如NPN和PNP晶體管,或者N溝道和P溝道MOSFET。這兩個晶體管的基極(或柵極)分別連接到輸入信號的正負半周期。 輸出波
2024-12-03 10:27:253430

選型手冊:MOT3650J N+P 增強 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT3650J是一款N+P增強MOSFET,集成N溝道與P溝道單元,憑借超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷特性,適用于計算設(shè)備電源管理、負載開關(guān)、快速無線充電、電機驅(qū)動等場景。一
2025-11-14 16:12:52519

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