說(shuō)實(shí)話，這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn)，考察一下大家對(duì)三極管的理解。 但真正在實(shí)際電路中，很少看到三極管工作在放大區(qū)。

說(shuō)到這里，也給在學(xué)校的大學(xué)生們吃個(gè)定心丸，課本里一天天“集電極正偏”“共集共射”這個(gè)極正偏那個(gè)極反偏，說(shuō)實(shí)話在工作里沒(méi)多大用處，你把這些題都做會(huì)也設(shè)計(jì)不出來(lái)實(shí)際的電路； 設(shè)計(jì)實(shí)際電路的工程師也不一定會(huì)解題。

所以不必被這些圖嚇著，在實(shí)際應(yīng)用中，更多的，三極管被用來(lái)作為邏輯，或者驅(qū)動(dòng)電路，那么更多的是了解其開(kāi)關(guān)特性就足夠了。

今天來(lái)講一個(gè)在實(shí)際案例中使用的比較多的一個(gè)場(chǎng)景，就是三極管作為mosfet的驅(qū)動(dòng)電路：

先放一張Pmos的圖，以便方便對(duì)應(yīng)下面應(yīng)用的圖中各個(gè)極的名稱(chēng)。 好的，然后我們直接跳到下面這個(gè)實(shí)際電路中（假設(shè)M1是PMOS）R1這里畫(huà)的有問(wèn)題請(qǐng)忽略那一條線。

先大致看一下這個(gè)電路的邏輯。

當(dāng)三極管Q1的基極驅(qū)動(dòng)為低電平，Q1不導(dǎo)通，PMOS M1的Vgs沒(méi)有電壓差，M1右側(cè)無(wú)電壓；

當(dāng)三極管Q1的基極驅(qū)動(dòng)為高電平，Q1導(dǎo)通，PMOS的Vgs接近-12V，M1導(dǎo)通，右側(cè)為V2輸入電壓12V。

當(dāng)然順便寫(xiě)一下Pmos導(dǎo)通的條件，我知道很多人都不會(huì)記得：

PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）導(dǎo)通的條件是其?柵極電位低于源極電位?，形成正向偏置，使得溝道中形成一個(gè)可導(dǎo)電的電子通道，從而形成漏極-源極導(dǎo)通的通路。 （關(guān)注公眾號(hào) 電路一點(diǎn)通）當(dāng)PMOS的柵極電位低于源極電位一定的閾值電壓時(shí)，漏極-源極通路的電阻會(huì)顯著降低，PMOS器件就開(kāi)始導(dǎo)通了。 （哪個(gè)是柵極，源極，漏極對(duì)照上面的圖，不能再幫更多了）

理解了原理，我們更進(jìn)一步，如何給電阻電容取值。

先看連接Pmos gate的?R2?，對(duì)于Pmos來(lái)說(shuō)，gate上的阻抗很大，所以R2可以選擇較大的電阻，這里流過(guò)它的電流無(wú)論如何都很低。

R3：?選擇10K，經(jīng)驗(yàn)法則，當(dāng)三極管導(dǎo)通時(shí)，流過(guò)它的電流為12/10K=1.2mA. 這里需要返回去查三極管的手冊(cè)，

2N3904查到電流放大倍數(shù)大約在80左右，所以Ib=1.2mA/80=15uA。

**R1： **根據(jù)Ib的電流就很容易算出R1的阻值，假設(shè)三極管的驅(qū)動(dòng)電壓為3.3V，那么R1就為（3.3-0.7）/15uA=173K.

我們上面剛剛說(shuō)過(guò)，多數(shù)三極管的應(yīng)用 ，我們根本不會(huì)用到其放大區(qū)的功能。

當(dāng)Ic已知時(shí)，根據(jù)三極管的特性曲線，可以得到對(duì)應(yīng)的最大Ib值，也就是使三極管處于放大區(qū)的臨界值。 如果Ib超過(guò)了這個(gè)臨界值，三極管就可能進(jìn)入飽和區(qū)，導(dǎo)致輸出信號(hào)失真。

那我們是希望其進(jìn)入飽和區(qū)，所以R1選擇比173KΩ小就ok，這里我們選擇了10K。

最后的最后，再講講為什么MOSFET需要三極管來(lái)驅(qū)動(dòng)，當(dāng)前沒(méi)有看到一篇文章來(lái)講這個(gè)事情，可能大多數(shù)工程師也是根據(jù)過(guò)往的經(jīng)驗(yàn)法則。

在MOSFET開(kāi)關(guān)電路中，使用三極管作為驅(qū)動(dòng)電路可以帶來(lái)以下幾個(gè)好處：

降低開(kāi)關(guān)電路的驅(qū)動(dòng)電壓要求?：MOSFET需要一定的門(mén)極電壓才能開(kāi)啟，但在實(shí)際應(yīng)用中，需要對(duì)門(mén)極電壓進(jìn)行一定程度的升壓以達(dá)到要求的電壓水平。 使用三極管作為驅(qū)動(dòng)電路可以通過(guò)其電壓放大功能，將門(mén)極電壓升高到所需的水平，從而降低了對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的要求。

提高開(kāi)關(guān)速度和響應(yīng)速度?：使用三極管作為驅(qū)動(dòng)電路可以提供更高的驅(qū)動(dòng)電流，從而加快MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和響應(yīng)速度，降低開(kāi)關(guān)過(guò)程中的功耗和損耗。

提高開(kāi)關(guān)效率和穩(wěn)定性?：由于三極管具有較高的電壓放大系數(shù)和電流放大系數(shù)，可以提供穩(wěn)定的電流和電壓輸出，從而提高開(kāi)關(guān)電路的效率和穩(wěn)定性。

需要注意的是，使用三極管作為MOSFET驅(qū)動(dòng)電路也存在一些缺點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜度較高、功耗較大等，因此在實(shí)際應(yīng)用中需要根據(jù)具體情況進(jìn)行權(quán)衡和選擇。

最后再說(shuō)一下C1的作用，mosfet和三極管一樣，都比較靈敏，這里為了防止誤導(dǎo)通，所以增加這個(gè)RC。

審核編輯：湯梓紅

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