近日，珠海鎵未來(lái)科技有限公司披露其已完成近億元A+輪融資，由順為資本、高瓴創(chuàng)投、盈富泰克聯(lián)合投資，深啟投資擔(dān)任獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問(wèn)。至今，這家專注于高端第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件研發(fā)、生產(chǎn)、營(yíng)銷和系統(tǒng)
2022-05-26 14:34:35
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，光電領(lǐng)域占氮化鎵市場(chǎng)的68%，市場(chǎng)規(guī)模約224.7億元。射頻和電力電子領(lǐng)域分別占據(jù)氮化鎵市場(chǎng)的20%和10%。氮化鎵的能量轉(zhuǎn)換效率，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了硅基器件的性能，依目前的市場(chǎng)占比來(lái)看，氮化鎵在電力電子領(lǐng)域市場(chǎng)滲透率較低，發(fā)展空間巨大，尤其是
2021-11-17 10:10:083917 器件銷售 2,772.30 億元，2020 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件銷售 2,966.30 億元，預(yù)計(jì) 2023 年分立器件銷售將達(dá)到 4,428 億元。
分立器件部分細(xì)分市場(chǎng)情況之場(chǎng)效應(yīng)管市場(chǎng)情況
2023-05-26 14:24:29
(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。
又過(guò)了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過(guò)1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
充電器6、AUKEY傲基27W氮化鎵充電器7、AUKEY傲基61W氮化鎵充電器8、AUKEY傲基65W氮化鎵充電器9、AUKEY傲基100W氮化鎵充電器10、amc 65W氮化鎵充電器11、Aohai奧海
2020-03-18 22:34:23
；魔棲、AOHI 等工廠自營(yíng)品牌陣型；閃極、TEGIC 等極客品牌陣型。這次聯(lián)想發(fā)起氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn)，在行業(yè)里先拔頭籌，將原本徘徊在百元區(qū)間的 65W 主流氮化鎵快充，直接拉至普通充電器價(jià)格水平。面臨
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
對(duì)充電器通用性、便攜性的需求提高，未來(lái)GaN快充市場(chǎng)規(guī)模將快速上升，根據(jù)中信證券數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2020年全球GaN充電器市場(chǎng)規(guī)模為23億元，2025年將快速上升至638億元，5年復(fù)合年均增長(zhǎng)率高達(dá)94
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。MACOM估計(jì)，采用0.1美元/千瓦時(shí)的平均能量率模型時(shí)，僅將一年內(nèi)部署的新大型基站轉(zhuǎn)換為MACOM硅基氮化鎵技術(shù)一項(xiàng)便可節(jié)省超過(guò)1億美元的費(fèi)用。 新時(shí)代 硅基氮化鎵從早期研發(fā)到商業(yè)規(guī)模
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
，3000多種產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋無(wú)線、光纖、雷達(dá)、有線通信及軍事通信等領(lǐng)域，2016年?duì)I收達(dá)到了5.443億美元。氮化鎵是目前MACOM重點(diǎn)投入的方向，與很多公司的氮化鎵采用碳化硅（SiC）做襯底
2017-09-04 15:02:41
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
，目前正尋求投前估值2億元人民幣的A2輪融資。勇往科技成立于2016年11月，團(tuán)隊(duì)的方向是做一款海外版的“得到+值乎live”，深耕地域在港澳臺(tái)與東南亞。4、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)寄云科技獲云啟資本、達(dá)晨創(chuàng)投投資
2018-07-03 09:24:35
% 的能源浪費(fèi)，相當(dāng)于節(jié)省了 100 兆瓦時(shí)太陽(yáng)能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統(tǒng)層面的能源利用率的提高。當(dāng)我們發(fā)現(xiàn)，制造一顆片氮化鎵功率芯片，可以在生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)減少80
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
民幣5220元）以下的晶圓才適用于功率半導(dǎo)體的量產(chǎn)。成功獲得適用于量產(chǎn)功率半導(dǎo)體的、高質(zhì)量、大尺寸氮化鎵晶圓氮化鎵晶片存在以上問(wèn)題的根源是其晶體生長(zhǎng)方式。目前批量生產(chǎn)的 Bulk氮化鎵晶片采用以下方式制造，利用
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況。據(jù)悉，今年南京智能電網(wǎng)產(chǎn)值突破500億元，2015年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)1000億元，躋身于國(guó)內(nèi)第一方陣?！ ∥挥诮瓕幍闹须姽夥且患疑a(chǎn)太陽(yáng)能電池的企業(yè)，電池片產(chǎn)能躋身于國(guó)內(nèi)同類企業(yè)前列
2012-06-05 15:52:28
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
一顆頂兩顆，SMT貼片費(fèi)用對(duì)應(yīng)降低，取代多顆時(shí)，成本下降更加明顯，并且PCB面積也得到減小。從這些方面，又攤薄了應(yīng)用成本壓力。充電頭網(wǎng)總結(jié)氮化鎵在PD快充上的應(yīng)用，通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)，減小了變壓器的尺寸，再
2023-02-21 16:13:41
近日，華秋完成近億元B+輪融資！為分享這份喜悅之情，華秋電路決定，6月份開(kāi)展免費(fèi)打樣活動(dòng)，籍此讓更多用戶體驗(yàn)高可靠打板服務(wù)！活動(dòng)對(duì)象2020.1.1-2020.6.30 期間 注冊(cè)且未下過(guò)首單的用戶
2020-06-11 14:55:01
主要用于大易有塑產(chǎn)業(yè)鏈服務(wù)市場(chǎng)布局?jǐn)U張、產(chǎn)業(yè)鏈配套設(shè)施擴(kuò)建、新材料產(chǎn)業(yè)鏈服務(wù)總部基地以及完善人才梯隊(duì)建設(shè)等。3、「雷石科技」獲近 2 億元 B 輪融資音樂(lè)互動(dòng)娛樂(lè)服務(wù)商“雷石科技”正式宣布完成近 2
2018-08-20 08:58:31
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
MAX3232EUE+T股28美元計(jì)算，蓋茨此次約套現(xiàn)1.26億美元(約7.87億元)。 微軟正對(duì)Windows操作系統(tǒng)進(jìn)行自1995年以來(lái)激進(jìn)的革新，10月26日就要向全球發(fā)售Win8。9月財(cái)報(bào)顯示，微軟
2012-10-25 16:21:19
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
據(jù)公司披露，金亞科技控股子公司瑞森思與東莞市遠(yuǎn)峰科技有限公司簽署了《采購(gòu)框架協(xié)議》，遠(yuǎn)峰科技2014年度預(yù)計(jì)向瑞森思采購(gòu)180萬(wàn)片電容式觸摸屏，估算價(jià)值為1億元人民幣，達(dá)到金亞科技2012年度經(jīng)審計(jì)
2013-11-13 17:56:22
季凈利潤(rùn)為234億元新臺(tái)幣。 鴻海是富士康科技集團(tuán)在臺(tái)北的旗艦上市公司。對(duì)夏普的投資虧損的撤銷、中國(guó)內(nèi)陸新工廠的效率提升，以及為各類設(shè)備供應(yīng)的零部件增多，都對(duì)鴻海的利潤(rùn)提升起到了幫助。另外
2012-10-31 16:38:37
臺(tái)達(dá)電1億元買下新工廠 三季度欲推彩色電子書(shū)
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)達(dá)電9日中標(biāo)展茂位于臺(tái)灣桃園平鎮(zhèn)的3.5代彩色濾光片(CF)廠，擠下另一競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手鴻海旗下的群創(chuàng)科
2010-03-12 10:42:021002 
哈爾濱賓西開(kāi)發(fā)區(qū)LED產(chǎn)業(yè)園又添新成員
近日，大連九久光電科技有限公司與賓西開(kāi)發(fā)區(qū)簽訂合作協(xié)議，該公司將投資20億元，進(jìn)入
2010-03-15 09:13:25724 三星砸1750億元建新工廠DRAM內(nèi)存顆粒,新工廠也同時(shí)具備內(nèi)存、閃存生產(chǎn)能力，但是三星尚未決定具體先做哪一個(gè)，肯定是要看后續(xù)市場(chǎng)需求，比如原有工廠最初就打算生產(chǎn)內(nèi)存。新工廠計(jì)劃在2019年第二季度末完工.
2018-03-03 11:38:013153 敦泰（17）日公告，透過(guò)子公司控告聯(lián)詠侵權(quán)，求償近8億元。若敦泰勝訴，將挹注每股純益2.66元，對(duì)聯(lián)詠的每股純益影響數(shù)則約為1.3元。
2018-09-20 08:56:224560 華為旗下全資子公司海思半導(dǎo)體已于7月11日將注冊(cè)資本由6億元提高至20億元。
2019-08-26 16:38:242030 36氪獲悉，諧波減速器廠商「來(lái)福諧波」已完成近億元C輪融資，本輪融資由國(guó)中創(chuàng)投和聯(lián)創(chuàng)永浚共同投資。本輪融資將主要用于研發(fā)團(tuán)隊(duì)的擴(kuò)充。截至目前，來(lái)福諧波已經(jīng)完成四輪融資：2017年7月，完成由如山資本
2019-11-06 09:45:319114 近日，氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目樁基開(kāi)工。這個(gè)項(xiàng)目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實(shí)施，全部達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年銷售30億元以上，可進(jìn)一步推動(dòng)嘉興集成電路新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
2020-07-06 08:46:052191 近日，砷化鎵晶圓代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體計(jì)劃投資850億元新臺(tái)幣（約合200億元人民幣），在南科高雄園區(qū)建廠，擴(kuò)充現(xiàn)有產(chǎn)能。
2020-10-19 17:07:483473 日前，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲在2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇上透露，雙循環(huán)模式推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化替代，2020年中國(guó)SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產(chǎn)值預(yù)計(jì)將約為70億元。
2020-11-26 16:23:072095 近日獲悉，家庭服務(wù)機(jī)器人研發(fā)商銀星智能宣布完成近億元B輪融資，由美的資本領(lǐng)投，傲基科技、深圳統(tǒng)達(dá)六號(hào)投資等機(jī)構(gòu)跟投。
2020-12-23 16:24:172839 近日，芯片設(shè)計(jì)公司紐瑞芯科技獲得Pre-A輪近億元融資，本輪融資由亦莊國(guó)投領(lǐng)投，中科科創(chuàng)、朗瑪峰創(chuàng)投、芯云資本、守正資本共同參與。
2021-01-21 10:49:552910 2月20日消息（南山）今日，企查查大數(shù)據(jù)研究院發(fā)布《我國(guó)5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究報(bào)告》。報(bào)告稱，中國(guó)5G產(chǎn)業(yè)近五年累計(jì)發(fā)生356件融資事件，披露融資總額達(dá)1278.74億元，中國(guó)聯(lián)通億780億元融資規(guī)模居首。聞泰科技、紫光展銳、魅族科技、千方科技、硅谷數(shù)模、中興微電子皆榜上有名。
2021-02-20 13:57:592093 
2月25日消息，繼完成天使輪融資兩個(gè)月后，星思半導(dǎo)體宣布完成近4億元Pre-A輪融資。
2021-02-25 09:55:313766 北京瞰瞰智能科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“瞰瞰智能科技”）宣布完成近億元人民幣A輪融資，由芯動(dòng)能領(lǐng)投，淳中科技、盛約電子跟投。
2021-10-28 11:35:234440 
%，市場(chǎng)規(guī)模約224.7億元。射頻和電力電子領(lǐng)域分別占據(jù)氮化鎵市場(chǎng)的20%和10%。氮化鎵的能量轉(zhuǎn)換效率，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了硅基器件的性能，依目前的市場(chǎng)占比來(lái)看，氮化鎵在電力電子領(lǐng)域市場(chǎng)滲透率較低，發(fā)展空間巨大，尤其是在大功率電源適配器、無(wú)線充電
2021-11-18 14:21:233783 氮化鎵充電器從最開(kāi)始量產(chǎn)至今，已過(guò)去了四年多，售價(jià)也從原本數(shù)百元天價(jià)到逐漸走向親民，近日充電頭網(wǎng)發(fā)現(xiàn)，聯(lián)想悄然地發(fā)動(dòng)氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn)，65W 雙口氮化鎵快充直接將價(jià)格拉低至 59.9 元，一瓦已經(jīng)不足一元，并且順豐包郵。
2022-06-14 10:13:494379 中國(guó)氮化鎵芯片市場(chǎng)占據(jù)全球約 %的市場(chǎng)份額，為全球最主要的消費(fèi)市場(chǎng)之一，且增速高于全球。2021年市場(chǎng)規(guī)模約 億元，2017-2021年年復(fù)合增長(zhǎng)率約為 %。
2023-02-05 13:30:115291 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007546 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。
2023-02-06 09:46:093643 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化鎵和藍(lán)寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料，但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能，可以用于制造電子元件，而藍(lán)寶石基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性，可以用于制造熱敏元件。此外，硅基氮化鎵的成本更低，而藍(lán)寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751 氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:1429358 納微半導(dǎo)體如何在氮化鎵上造芯片？ 作者丨 周雅 剛剛過(guò)去的10月底，納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）成功在納斯達(dá)克上市，上市當(dāng)天企業(yè)價(jià)值10億美元。1個(gè)月后，納微半導(dǎo)體再進(jìn)
2023-02-21 14:57:11
0 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來(lái)源。
2023-02-25 17:25:151497 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-05-26 10:10:412272 
氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，因此廣泛用于以下領(lǐng)域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍(lán)、綠、白光LED，廣泛應(yīng)用于照明
2023-06-02 15:34:4613933 近日，氮化鎵行業(yè)新增了4個(gè)項(xiàng)目，涉及單晶襯底、器件等環(huán)節(jié)。
2023-07-24 10:35:341827 
【概要描述】日前，地芯科技完成近億元人民幣B輪融資，由潤(rùn)城資本，眾海投資、中潤(rùn)投資、深圳高新投共同參與完成。本輪融資將用于新產(chǎn)品研發(fā)投入、市場(chǎng)推廣和團(tuán)隊(duì)建設(shè)等方面，也將進(jìn)一步提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力
2023-08-01 17:52:16531 
2023年第三季度，北方華創(chuàng)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入57.3億至65.6億元，比上年同期增長(zhǎng)25.42%至43.59%。歸屬上市公司股東的凈利潤(rùn)利潤(rùn)10億至11.6億元，比上年同期增長(zhǎng)7.36%至24.53%。扣除非經(jīng)常性損益后，純利潤(rùn)9.5億元至11億元，比上年同期增長(zhǎng)14.30%至32.35%。
2023-10-13 14:18:181147 據(jù)外媒報(bào)道，格芯已獲得美國(guó)政府3500萬(wàn)美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該工廠目前每月可生產(chǎn)超過(guò)5萬(wàn)片晶圓。
2023-10-20 09:22:061110 氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實(shí)際使用場(chǎng)景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場(chǎng)景。首先要明確使用的具體場(chǎng)景，如音頻、視頻、計(jì)算還是其他應(yīng)用場(chǎng)景。不同的場(chǎng)景對(duì)氮化鎵芯片的性能和特點(diǎn)要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時(shí)，要充分考慮應(yīng)用的場(chǎng)景。
2023-10-26 17:02:181576 士蘭微公告將于8月28日，擬與關(guān)聯(lián)人大基金二期、非關(guān)聯(lián)人海創(chuàng)發(fā)展基金以貨幣方式出資12億元，認(rèn)繳出資關(guān)聯(lián)公司廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司本次新增注冊(cè)資本加快11億元的“sic功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目的推進(jìn)。
2023-11-08 10:28:161228 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過(guò)程和所
2023-11-24 11:15:206429 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場(chǎng)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵開(kāi)關(guān)管整合到一個(gè)...
2023-11-24 16:49:221796 近日，第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數(shù)億元融資以來(lái)的又一融資進(jìn)展。
2023-12-09 10:49:071507 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416137 氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，屬于六方晶系晶體。在過(guò)去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料，受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會(huì)詳盡地介紹氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)、性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域。 首先，我們來(lái)介紹
2024-01-10 10:03:216728 氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)良的電學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產(chǎn)工藝中，主要包括以下幾個(gè)方面：材料準(zhǔn)備、芯片制備、工廠測(cè)試和封裝等。 首先，氮化鎵芯片
2024-01-10 10:09:414135 氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336032 瑞薩電子近日宣布了一項(xiàng)重大收購(gòu)，以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)美國(guó)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm。這次收購(gòu)總額為3.39億美元，相當(dāng)于24.34億元人民幣。相比1月10日的收盤價(jià)，此次收購(gòu)溢價(jià)約35%。
2024-01-23 15:53:211413 近日，科韻激光成功完成了近億元的C輪融資，投后估值超過(guò)17億元。這標(biāo)志著科韻激光在資本市場(chǎng)上的價(jià)值得到了進(jìn)一步的認(rèn)可。本輪融資將主要用于公司在晶硅太陽(yáng)能和薄膜太陽(yáng)能領(lǐng)域激光精密加工設(shè)備的市場(chǎng)推廣。
2024-02-01 10:38:471515 蘇州科韻激光科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“科韻激光”）近日宣布，公司已完成近億元的C輪融資，此輪融資后，科韻激光的估值超過(guò)17億元人民幣。此次融資由湖北來(lái)鳳城投領(lǐng)投，這表明了投資方對(duì)科韻激光在晶硅太陽(yáng)能和薄膜太陽(yáng)能領(lǐng)域激光精密加工設(shè)備技術(shù)的強(qiáng)烈信心。
2024-02-02 15:56:552061 新工廠預(yù)計(jì)將于今年2月24日啟動(dòng)并投入使用，領(lǐng)受的政府補(bǔ)貼可達(dá)至驚人的4760億日元（按目前匯率折合人民幣約228億元）。臺(tái)積電Sabine Cantot在此前所提交的報(bào)告中公布了第二個(gè)工廠的計(jì)劃，融合第一工廠的總投資預(yù)計(jì)將超越200億美元（即1438億元人民幣）。
2024-02-23 14:06:491031 近日，億緯鋰能洽談投資至少12英鎊（約109億元）在英國(guó)新建一個(gè)電動(dòng)汽車電池工廠，目前磋商正處于高級(jí)階段。
2024-03-26 09:46:25782 近日，中國(guó)低空經(jīng)濟(jì)頭部企業(yè)「VOLANT 沃蘭特航空」宣布順利完成近億元 A+ 輪融資，本輪融資由華強(qiáng)資本領(lǐng)投、晶凱資本共同投資。
2024-04-30 09:21:111164 云山動(dòng)力（寧波）有限公司宣布接連完成天使輪和Pre-A輪共計(jì)近億元人民幣融資。
2024-05-27 15:13:341797 杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司近日宣布成功完成近億元的Pre-A輪融資，同時(shí)與杭州銀行達(dá)成重要戰(zhàn)略合作。本輪融資由九智資本領(lǐng)投，普華資本鼎力參與，彰顯了資本市場(chǎng)對(duì)鎵仁半導(dǎo)體在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域創(chuàng)新實(shí)力的認(rèn)可與信心。
2024-08-12 11:10:541757 來(lái)源：集邦化合物半導(dǎo)體 7月底，總部位于比利時(shí)奧德納爾德（Oudenaarde, Belgium）的硅基GaN（氮化鎵）晶圓代工廠宣布申請(qǐng)破產(chǎn)，近日傳出新進(jìn)展：意向買家已經(jīng)出現(xiàn)。 據(jù)外媒報(bào)道
2024-08-29 17:29:14843 氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個(gè)更先進(jìn)，并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的二元對(duì)立問(wèn)題，因?yàn)樗鼈兊南冗M(jìn)性取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)
2024-09-02 11:37:167233 近日，半導(dǎo)體封測(cè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)日月光投控發(fā)布了一項(xiàng)重要公告，其旗下子公司矽品精密已投資新臺(tái)幣4.19億元（約合人民幣近1億元），成功取得中部科學(xué)園區(qū)彰化二林園區(qū)的土地使用權(quán)。此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注，并傳出矽品此舉主要是為了擴(kuò)大CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能。
2024-10-30 16:40:591268 近日，紫光展銳在全球合作伙伴大會(huì)上宣布了一個(gè)重要的融資進(jìn)展。在已完成40億元股權(quán)融資的基礎(chǔ)上，公司即將再獲得近20億元的股權(quán)增資，此次增資由知名集成電路產(chǎn)業(yè)投資人陳大同旗下的元禾璞華提供。
2024-12-02 10:12:26874 近日，機(jī)器視覺(jué)廠商北京博視像元科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“博視像元”）宣布完成近億元A+輪融資，本輪融資由國(guó)投創(chuàng)業(yè)、北京創(chuàng)投等投資。
2025-01-03 11:34:451639 4月15日，上海緯鈦科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“緯鈦機(jī)器人”）宣布連續(xù)完成近億元天使及天使+輪融資。
2025-04-16 17:24:131217
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