因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。

Rds(on)是MOSFET工作（啟動(dòng)）時(shí)，漏極D和源極S之間的電阻值，單位是歐姆。對(duì)于同類MOSFET器件，Rds(on)數(shù)值越小，工作時(shí)的損耗（功率損耗）就越小。

首先是平面柵的MOSFET，其基本結(jié)構(gòu)以及電流走向示意圖如下圖所示（這里糾正一下，上一篇中的電壓標(biāo)反了）：

其導(dǎo)通電阻主要由RCS、RN+、RCH、RA、RJFET、RD、RSUB、RCD這8部分組成。

其結(jié)構(gòu)位置如下圖所示：

RCS：源接觸電子，是最上面源極金屬層與半導(dǎo)體接觸的接觸面產(chǎn)生的接觸電阻，其計(jì)算表達(dá)式如下所示；

ρc：元胞結(jié)構(gòu)內(nèi)每個(gè)N+源區(qū)的接觸電阻；

WC：接觸口窗口寬度；

WS：N+源區(qū)離子注入窗口寬度；

Z：圖中橫截面垂直方向的元胞長(zhǎng)度；

通常采用低勢(shì)壘的金屬接觸，比如鈦或者鈦硅化物來降低特征接觸電阻。

RN+：源區(qū)電阻，電流流過的N+區(qū)域內(nèi)，存在一個(gè)區(qū)域電阻，其計(jì)算表達(dá)式如下所示：

RCH：溝道電阻，顧名思義在溝道內(nèi)部產(chǎn)生的電阻，導(dǎo)通電阻不僅僅指溝道形成電流通路時(shí)候的溝道電阻，其構(gòu)成還有其他部分，其計(jì)算表達(dá)式如下所示：

RA：積累電阻，位于溝道邊緣與JFET區(qū)域中間，其計(jì)算表示如下所示：

RJFET：JFET區(qū)域電阻，JFET叫做結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，在圖中位于兩個(gè)P型區(qū)域中間的區(qū)域，當(dāng)中間出現(xiàn)夾斷的情況，電流就斷了。其計(jì)算表達(dá)式如下所示：

RD：漂移區(qū)電阻，在器件的結(jié)構(gòu)中對(duì)應(yīng)的是外延層，整個(gè)區(qū)域是用來?yè)跄蛪河玫模溆?jì)算表達(dá)式如下所示：

RSUB：N+襯底電阻，其計(jì)算表達(dá)式如下所示：

RCD：漏接觸電阻，通常采用低勢(shì)壘的金屬接觸，鈦?zhàn)鳛榻佑|層，鎳作為阻擋層，銀層作為焊料層。

接下來我們來看看溝槽結(jié)構(gòu)的構(gòu)成情況，首先來看看溝槽的基本結(jié)構(gòu)以及對(duì)應(yīng)的電流流向示意圖，如下圖所示：

溝槽柵和平面柵都是垂直導(dǎo)電型的MOSFET，兩種不同的技術(shù)路線，溝槽柵晚出現(xiàn)，兩者在結(jié)構(gòu)上面有相似之處。源極在頂層，漏極在底層，兩者的區(qū)別在柵極。平面柵的柵極在平面平鋪的，溝槽的柵極是向內(nèi)挖出一個(gè)槽，然后在這個(gè)槽里面填入氧化硅，這個(gè)工序叫做柵極氧化，對(duì)應(yīng)圖中的紫色部分。然后在構(gòu)建藍(lán)色部分對(duì)應(yīng)的柵極，實(shí)際工藝中使用的柵極材料是多晶硅。黃色區(qū)域?qū)?yīng)的柵極加壓之后形成的溝道，電流從溝道向上穿過向源極流動(dòng)。

溝槽柵的主要由RCS、RN+、RCH、RA、RD、RSUB、RCD等7大部分構(gòu)成：

其在元胞中的位置示意如下圖所示：

和平面柵的MOSFET相比，溝槽柵MOSFET通過構(gòu)建溝槽結(jié)構(gòu)，穿過了P型基區(qū)的最下端，形成的溝道位于N+源極與N漂移區(qū)之間，消除了JFET區(qū)域，也消除了JFET電阻，因此總的特征電阻減小了一部分。

另外溝槽柵的結(jié)構(gòu)是的元胞的節(jié)的間距可以比平面柵的更小，從而進(jìn)一步減小了總的電阻，使得溝槽的電阻進(jìn)一步降低。因此溝槽的SiC MOSFET能夠做到更小的導(dǎo)通電阻值，功耗大大降低。但是其挖槽的工藝難度、復(fù)雜度提高，帶來的就是良率和成本的問題。