導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
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瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021660 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:083409 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403499 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計人員在多個MOSFET并聯(lián)使用時減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211631 瑞薩電子開發(fā)第三代車載SJ-MOSFET，計劃1～2年內(nèi)開始量產(chǎn)。該器件降低了導(dǎo)通電阻和EMI（電磁噪聲）...
2013-05-31 09:22:201805 ? 1、超級結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368694 
瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中，實現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。
2012-04-13 09:19:341863 日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 (SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
的FemtoFET產(chǎn)品組合，。部件編號N/PVdsVgsId Cont. (A)典型的導(dǎo)通電阻 (mohm)輸入電容 (pF
2018-08-29 15:28:55
（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數(shù)，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優(yōu)勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及低柵極總電荷量特征、且進一步實現(xiàn)了
2018-11-28 14:27:08
獨創(chuàng)的小型大功率封裝，是低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品；預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進行；包裝
2018-08-24 16:56:26
23日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)）超小型封裝，配備優(yōu)異的功能和保護功能BD70522GUL采用超小型封裝，并配備了優(yōu)異的功能。如欲了解更詳細信息，請參考技術(shù)規(guī)格書。?固定導(dǎo)通時間（COT）控制利用固定導(dǎo)通時間
2018-12-05 10:03:29
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
PLC新一代超小型控制器(LOGO！)的編程方法與操作
2020-04-07 09:00:02
。此外，為了進一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)工作的要求。在這種背景下，ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發(fā)出在Nch
2021-07-14 15:17:34
忽略輸入開關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠大于外部電阻Rext，輸入開關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
兩方面的損耗少與效率改善密切相關(guān)。另外，損耗少的話，發(fā)熱就會少，因此也與可使用的IC封裝種類和尺寸等息息相關(guān)。－ 這涉及到第二個課題小型化對吧。進一步講，一般MOSFET的導(dǎo)通電阻很大程度地依賴于元件
2019-04-29 01:41:22
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗?！ iC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1.低導(dǎo)通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術(shù)相結(jié)合實現(xiàn)了低的導(dǎo)通電阻。這有助于提升您應(yīng)用中的產(chǎn)品性能。 2.小型封裝產(chǎn)品陣容3.封裝類型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
電氣技師和電子制造工程師用接地導(dǎo)通電阻測試儀驗證電器和消費產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當?shù)剡B接到了其機殼底座。當電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時，如果電器沒有適當?shù)剡B接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
系列Hybrid MOS是同時具備超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
”這個參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，按照同樣步驟來推導(dǎo)。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡圖上標出了作為開關(guān)的MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-11-30 11:48:22
NexFET 器件可在不影響高柵極電荷的情況下，通過 TO-220 封裝實現(xiàn)業(yè)界最低導(dǎo)通電阻，從而可在更大電流下為設(shè)計人員提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率。CSD19506 可在高達 80V 的輸入電壓下支持 2.0
2018-11-29 17:13:53
求推薦一款導(dǎo)通電阻毫歐級別的常閉型固態(tài)繼電器，或者其他的導(dǎo)通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態(tài)下是閉合，給電才導(dǎo)通
2021-01-09 09:50:06
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開關(guān)時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
小型化。然而，必須首先解決一個問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導(dǎo)通會造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
請問有人知道MOS管作為開關(guān)如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實部，但是出來的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
一種基于IRIG-A碼輸出的超小型GPS時鐘設(shè)計
2021-05-27 06:24:52
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
領(lǐng)域，MOSFET沒有競爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之以2.4-2.6次方增長，其增長速度使MOSFET制造者和應(yīng)用者不得不以數(shù)十倍的幅度降低額定電流，以折中額定電流、導(dǎo)通電阻和成本之間
2023-02-27 11:52:38
。本篇將以ROHM的產(chǎn)品陣容及其特征作為SJ-MOSFET的具體案例來進行說明。SJ-MOSFET的種類以ROHM為例，SJ-MOSFET是根據(jù)噪聲、導(dǎo)通電阻、高速性及獨有結(jié)構(gòu)等進行分類的。首先
2018-12-03 14:27:05
FET導(dǎo)通電阻Ron的修正電路圖
2009-08-15 17:30:051716 
超小型指示燈泡
超小型指示燈泡具有體積小、亮度高的特點，主要用于小型儀器儀表的照明及信號指示。表10-9 列出了一些超小型指示燈泡的主要參數(shù)，其外形如圖10
2009-09-19 17:46:15723 超小型保險絲管
超小型保險絲管外形尺寸小，外徑僅有φ2.4mm (如圖8-7 所示) ，可直接焊接在線路板中，特別適用于小型化電子產(chǎn)品。超小型保險絲管有快速熔斷型和
2009-09-19 17:54:48907 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負載開關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:061007 TI發(fā)布具備更低導(dǎo)通電阻的集成負載開關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標準導(dǎo)通電阻 (RON) 比同類競爭產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27623 TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負載開關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機驅(qū)動應(yīng)用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071572 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p
2012-06-20 16:57:37
95 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車應(yīng)用，還適用于電機驅(qū)動器和開關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:301159 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 推出其NexFET? 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。
2015-01-22 15:33:263434 MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V
2015-06-19 17:07:561374 德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負載開關(guān)低90%，同時，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負載開關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:361795 MTM非晶硅反熔絲導(dǎo)通電阻_馬金龍
2017-01-07 20:43:120 消除模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻影響電路增益的方法_張慶思
2017-01-19 21:54:151 哪個含硅量更高：一粒沙子還是TI最新的FemtoFET產(chǎn)品？坐在沙灘椅上，看著大西洋的浪潮拍打著澤西海岸，我的腦海中反復(fù)縈繞著這個問題。TI新發(fā)布的F3 FemtoFET，聲稱其產(chǎn)品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm（見圖1），但含硅量卻輕松超過大西洋城人行板道下飛揚的沙礫。
2017-04-18 07:49:541207 
不同于市場上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負載開關(guān)產(chǎn)品，Silego推出的三款功能豐富的低導(dǎo)通電阻集成電源開關(guān)，集合了頂級FETIP與系統(tǒng)級保護功能。
2017-09-19 17:34:597 接地導(dǎo)通電阻測試儀檢定規(guī)程
2017-10-09 09:15:180 MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:404976 對于功率半導(dǎo)體來說，當導(dǎo)通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:121262 對于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區(qū)域的電阻起到?jīng)Q定作用。
2021-05-01 17:26:0020575 
分立MOSFET數(shù)據(jù)手冊中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導(dǎo)通電阻，縮寫為R DS （on）。這個R DS （on）的想法看起來非常簡單：當FET截止時，源極和漏極之間的電阻非常高 - 我們假設(shè)零電流流動。
2021-05-15 09:49:5614521 
產(chǎn)品CSD15380F3在內(nèi)的FemtoFET產(chǎn)品組合，。
部件編號
N/P
Vds
Vgs
Id Cont. (A)
典型的導(dǎo)通電阻
2021-11-10 09:39:171162 
導(dǎo)通電阻是二極管的重要參數(shù)，它是指二極管導(dǎo)通后兩段電壓與導(dǎo)通電流之比。生活中常用的測量導(dǎo)通電阻的方法有測量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬用表測量法、接地搖表測量法以及專用儀器測量法。
2022-01-29 15:49:0029370 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250 )(統(tǒng)稱“東芝”)已經(jīng)開發(fā)了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531837 對于移動和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用中，尤其是可穿戴設(shè)備來說，準則是更精簡、更高效。通過使用高效的開關(guān)選項，設(shè)計者可以擁有更多空間來嵌入功能，同時最大限度降低電池消耗。Nexperia新發(fā)布的小信號MOSFET采用超小型DFN0606，擁有低導(dǎo)通電阻，能夠節(jié)省大量空間
2023-02-10 09:33:311073 
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:071710 
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:561877 
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新產(chǎn)品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06904 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項信息。 點擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021478 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結(jié)構(gòu)，對其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026127 
相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:335127 
的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:561064 在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2023-12-15 16:51:34918 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低導(dǎo)通電阻負載開關(guān)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 10:51:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有受控接通功能的超小型、低導(dǎo)通電阻負載開關(guān)TPS22929D數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 11:18:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小型，低輸入電壓低，低R導(dǎo)通負載開關(guān)TPS22924D數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 11:23:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可控接通功能的超小型、低導(dǎo)通電阻負載開關(guān)TPS22912 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 13:46:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有受控接通功能的超小型、低導(dǎo)通電阻負載開關(guān)TPS2291xx數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-02 10:45:080 近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0，導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應(yīng)用需求。
2024-05-11 10:15:441889 
MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。MOSFET的導(dǎo)通電壓，也稱為閾值電壓（Vth），是MOSFET從截止狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的電壓值。 MOSFET
2024-08-01 09:19:552998 近日，銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小尺寸P溝道FemtoFET MOSFET測試EVM.pdf》資料免費下載
2024-12-21 10:41:160 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041208 
AW2K21是一款同時實現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實現(xiàn)雙向電路保護，還可以通過改變引腳連接來作為單MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11616 
Texas Instruments TPS22995導(dǎo)通電阻負載開關(guān)支持可配置上升時間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負載開關(guān)包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續(xù)電流。
2025-09-02 14:57:49638 
在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達半導(dǎo)體MOSFET作為電池組充放電的開關(guān)與保護核心元件，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）參數(shù)對系統(tǒng)性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調(diào)試或可
2025-11-12 11:02:47340 
在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計中，MOSFET作為開關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導(dǎo)通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)
2025-12-16 11:01:13199 
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