/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2024-12-03 01:03:29
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在功率半導體制程里,電鍍扮演著舉足輕重的角色,從芯片前端制程到后端封裝,均離不開這一關鍵工序。目前,我國中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術短板,而攻克這些技術難題的關鍵在于電鍍。借助電鍍實現(xiàn)
2025-06-09 14:52:26
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近年來,電動汽車、高鐵和航空航天領域不斷發(fā)展,對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達到其自身的材料性能極限,氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導體
2022-08-22 09:44:01
5287 的散熱方面,針對功率半導體器件在散熱路徑方面的結構設計進行歸納總結。通過對國內(nèi)外 功率器件封裝結構設計的綜述,梳理了功率器件封裝結構設計過程中在散熱方面的考慮及封裝散熱特點,并根據(jù)功率器 件散熱特點對功率器件封裝結構類型進行了分類。
2023-04-18 09:53:23
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針對功率器件的封裝結構,國內(nèi)外研究機構和 企業(yè)在結構設計方面進行了大量的理論研究和開 發(fā)實踐,多種結構封裝設計理念被國內(nèi)外研究機構提出并研究,一些結構設計方案已成功應用在商用功率器件上。
2023-05-04 11:47:03
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碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰(zhàn):傳統(tǒng)封裝雜
2023-09-24 10:42:40
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混合動力汽車有哪些分類?HEV系統(tǒng)中功率電子面臨哪些挑戰(zhàn)?功率器件在混動汽車(HEV)中的應用是什么?
2021-05-17 06:41:30
對于常見功率器件,整流橋,電解電容,IGBT,MOS管,這些功率器件的熱損耗功率該怎么計算?
尤其是電解電容,在母線支撐電路中,受到母線電壓跌落幅值的影響功率損耗很大,所以在常規(guī)的380V變頻器電解電容選型中,以輸出電流為準,多少A的電流應該配備多大容量的電解電容?
2024-06-12 16:44:14
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
在Tech Web的“基礎知識”里新添加了關于“功率元器件”的記述。近年來,使用“功率元器件”或“功率半導體”等說法,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導體)元器件備受矚目。這是
2018-11-29 14:39:47
功率半導體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結構、功能、特性和特征。另外,書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關內(nèi)容。
本書可作為微電子
2025-07-11 14:49:36
功率半導體器件應用手冊功率半導體器件應用手冊——彎腳及焊接應注意的問題本文將向您介紹大家最關心的有關TSE功率半導體器件封裝的兩個問題:一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性?二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
的需求,推動了功率電子器件的制造工藝的研究和發(fā)展,功率電子器件有了飛躍性的進步。器件的類型朝多元化發(fā)展,性能也越來越改善。大致來講,功率器件的發(fā)展,體現(xiàn)在如下方面:1.器件能夠快速恢復,以滿足越來越高
2018-05-08 10:08:40
為滿足晶體管用戶的需求,有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導體公司而言,為這些
2019-07-05 06:56:41
為滿足晶體管用戶的需求,有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導體公司而言,為這些
2019-07-09 08:17:05
所擁有的特性和特征的應用事例。均分別包含基礎內(nèi)容。如果是幾十瓦的電源,有內(nèi)置功率元器件,可減少個別地選擇MOSFET或工作確認。然而,在大功率電路中,切實地純熟掌握分立元器件極為重要。后文將詳細
2018-11-28 14:34:33
)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調節(jié)器等。2. 電路構成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
及新能源汽車要求在600V-1200V,而軌道交通要求最高,范圍在3300V-6500V之間。圖表4 功率半導體器件的應用及工作頻率(來源:Applied Materials)注:IPM即智能功率模塊,常見類型有IGBT類本文來源:來源:寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟
2019-02-26 17:04:37
全國電子設計比賽要到了,不知道要備些哪些芯片,不管賽題類型。大功率的電子元器件怎么理解?大功率的電子元器件有哪些?
2015-06-03 18:13:47
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫,如 MOSFET 或 IGBT 的結溫,是一個不可或缺的過程,功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法:
2021-03-11 07:53:26
常用的功率半導體器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
`20世紀初量子力學的飛速發(fā)展,使人類對微觀世界有了全新的認識,并且在固體物理學研究領域取得了巨大的成就。今天,小迪將帶領大家走進功率器件領域,一窺半導體功率器件的發(fā)展歷程。`
2015-12-22 18:08:46
各位大神們,求Allegro中的一些器件PCB封裝SP3232EEN DB9公頭/母頭插座 端子3P 功率電感5*5*2 功率電感4*4*2 SN74CB3Q3253 排針2X12p 排針2X12p
2017-09-30 17:31:25
測量功率器件的結溫常用二種方法
2021-03-17 07:00:20
`本書主要圍繞電機控制的設計與相關功率器件來展開解析,介紹了電機控制的基本概念以及功率器件運用技術。重點介紹了電機控制的設計方案,分別從DSP、MCU、FPGA這三個方面進行講解。并且通過常用的功率
2019-03-27 16:56:11
、降低線路寄生電感影響的方案
1、優(yōu)化PCB布局設計
▍縮短功率回路路徑
? 將功率開關器件、直流母線電容、驅動電路等盡可能靠近布局,減少功率回路的面積。
? 采用雙面布線的方式,在 PCB 正反兩面同時
2025-07-02 11:22:49
給電阻和電容添加封裝時,功率是怎么選定的,比如axial0.4他的功率是多少呢???
2013-07-24 19:14:55
大功率的電子元器件怎么理解?大功率的電子元器件有哪些?
2019-02-15 06:36:33
功率器件包括功率 IC 和功率分立器件,功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導體器件,功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),所應用的產(chǎn)品包括計算機領
2009-04-27 17:04:38
24 現(xiàn)代功率模塊及器件應用技術
引言
最近20年來,功率器件及其封裝技術的迅猛發(fā)展,導致了電力電子技術領域的巨大變化。當今的
2009-04-09 08:54:24
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智能功率器件的原理與應用
摘要:目前,功率器件正朝著集成化、智能化和模塊化的方向發(fā)展。智能功率器件為機電一體化
2009-07-15 07:56:56
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SiC功率器件的封裝技術要點
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料,與S
2009-11-19 08:48:43
2711 1、智能功率器件的特點
所謂智能功率器件,就是把功率器件與傳感器、檢測和
2010-12-02 11:22:16
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在模擬電路設計過程中難免會使用功率器件,如何處理和解決這些功率器件散熱問題對于電路設計師來說非常重要,因為這些功率器件的工作溫度將直接影響到整個電路的工作穩(wěn)定性和安
2011-10-14 17:53:43
230 針對一般失效機理的分析可提高功率半導體器件的可靠性. 利用多種微分析手段, 分析和小結了功率器件芯片的封裝失效機理. 重點分析了靜電放電( electrostatic d ischarge, ESD)導致的功率器
2011-12-22 14:39:32
71 高可靠功率器件金屬封裝外殼的技術改進
2017-09-12 14:30:47
14 元器件封裝類型查詢
2017-10-23 09:14:44
0 Carsem(嘉盛半導體)是分立功率器件行業(yè)的領先OSAT廠商,是全球最大的封裝和測試組合產(chǎn)品供應商之一。
2019-07-02 15:05:04
5581 功率器件的封裝方法,其特征在于,在管芯內(nèi)充以高熱導率的流體使之完全充滿。戚者也可以在芯片表面涂敷一層高熱導率的薄膜。
2020-05-09 10:28:41
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01功率半導體器件 功率半導體器件,也就是我們說的電力電子器件,是一種廣泛用于電力電子裝置的電能變換和控制電路方面的半導體元件。電力電子裝置的基本構思是把連續(xù)的能量流切割成能量小包,處理這些小包并
2022-12-02 17:07:19
6237 用于電力設備的電能變換和控制電路方面,因此得名“電力電子器件”。 Q:功率處理怎么理解? A:一般指的是變頻、變壓、變流、功率管理等電路處理動作。 Q:高電壓有多高?大電流有多大? A:電壓處理范圍通常為數(shù)百伏以上,電流為數(shù)十至數(shù)千安。 Q:典型的功率器件有哪些?
2020-10-30 18:17:11
1106 ? A: 一般指的是變頻、變壓、變流、功率管理等電路處理動作。 Q: 高電壓有多高?大電流有多大? A: 電壓處理范圍通常為數(shù)百伏以上,電流為數(shù)十至數(shù)千安。 Q: 典型的功率器件有哪些? A: Diode、GTR、Thyristor、SCR、GTO、MOSFET 、IGBT、MCT、IGCT、
2021-01-08 09:58:55
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器件的可靠性備受業(yè)界的期待。而其中關鍵的影響因素是功效器件封裝失效的問題。本文介紹功率器件封裝的內(nèi)涵和分類,通過對失效機理的分析,提出功率器件封裝工藝優(yōu)化的路徑。 封裝工藝是為了提升電子設備運行的可靠性,采取的相應保護措施,即
2021-07-05 16:45:15
5553 PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件
2022-07-14 16:35:41
2558 今天,由于該領域眾多公司的研究,功率器件已經(jīng)達到了極高的效率水平。出色的結果是由于不同電子和物理部門的協(xié)同作用,結合在一起,可以達到最高水平。讓我們看看功率器件的封裝和集成如何實現(xiàn)非常高的效率,尤其是在高開關速度下,從而主動使用所有可用功率。
2022-08-03 08:04:42
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常見的功率半導體器件有哪些? 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。按照分類來看,功率半導體可以分為功率IC和功率分立器件兩大類,其中功率
2022-11-17 08:15:02
4760 功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導體重要的設計目標。
2023-02-06 14:24:20
3472 
隨著小信號器件概念的出現(xiàn),半導體分立器件按照功率、電流指標又劃分出了小信號器件及功率器件兩大類:世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)也將小信號器件定義為耗散功率小于1W(或者額定電流小于1A)的分立器件,而耗散功率不小于1W(或者額定電流不小于1A)的分立器件則歸類為功率器件;
2023-02-07 09:42:35
1318 全控器件:通過控制信號既能夠控制其導通,又能夠控制其關斷的功率半導體分立器件, 器件有絕緣柵雙極晶體管、功率場效應晶體管、門極可關斷晶閘管等;
2023-02-07 09:56:04
2360 功率器件被稱為功率電子器件,即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導體器件。它是電子部件和電子設備-發(fā)電機的統(tǒng)稱。功率放大是晶體管的電流控制效果或FET的電壓控制功能,以將電源轉換為根據(jù)輸入信號
2023-02-07 18:12:38
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近年來,萬物互聯(lián)的呼聲越來越高,幾乎全行業(yè)的電子化發(fā)展都與功率半導體器件掛鉤,大大增加了對功率半導體器件的需求。根據(jù)功能和使用場景的不同,功率器件自 然就分為了常見的和不常見的類型,上次我們列舉了常見的功率器件,這次我們再來聊一聊不常見的功率器件有哪些。
2023-02-15 16:33:47
1 常見的分類有: MOS 控制晶閘管MCT(MOS Controlled Thyristor) MCT是一種新型MOS與雙極復合型器件。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅動圖MCT的功率、快開關速度的特性與晶閘
2023-02-15 15:49:33
3 功率器件的選擇應根據(jù)電路的要求,考慮功率器件的功率、電壓、電流、溫度、頻率等參數(shù),以及功率器件的尺寸、重量、成本等因素,以確保功率器件的可靠性和性能。
2023-02-15 15:39:18
1125 電力電子器件又稱為功率半導體器件,主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。 功率半導體器件通常
指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上。 功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),包括
2023-02-16 15:36:33
1 變換和控制電路方面,因此得名“電力電子器件”。 Q: 功率處理怎么理解? A:一般指的是變頻、變壓、變流、功率管理等電路處理動作。 Q: 高電壓有多高? 大電流有多大? A:電壓處理范圍通常為數(shù)百伏以上
2023-02-16 15:39:25
3 功率器件的選擇要根據(jù)應用環(huán)境、工作條件和性能要求等因素進行綜合考慮。首先,要考慮功率器件的工作溫度范圍,以確定功率器件的耐溫性能。其次,要考慮功率器件的電壓等級,以確定功率器件的耐壓性能。此外,還要考慮功率器件的封裝形式,以確定功率器件的散熱性能。最后,要考慮功率器件的成本,以確定功率器件的性價比。
2023-02-16 14:11:10
1189 微波半導體器件在微波系統(tǒng)中能發(fā)揮各方面性能,歸納起來,即在微波功率產(chǎn)生及放大,控制、接收三個方面。而微波功率器件要求有盡可能大的輸出功率和輸出效率及功率增益。 進入20世紀90年代后,由于MOCVD(金屬有機化學氣相淀積)和MBE(分子束外延)技術的發(fā)展,以及化合物材料和異質結工藝的日趨成熟
2023-02-16 16:27:37
1915 功率器件及功率模塊的散熱計算,其目的是在確定的散熱條件下選擇合適的散熱器,以保證器件或模塊安全、可靠地工作。目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件,但大功率器件及一些功率模塊仍然有不少用穿孔式封裝,這主要是可方便地安裝在散熱器上,便于散熱。
2023-02-16 17:52:29
1869 的控制電路和功率放大器來實現(xiàn)高效的功率轉換和管理。 功率器件是指能夠處理高功率電信號的電子器件。與一般的電子器件不同,功率器件通常需要具備較高的電流和電壓承受能力,能夠處理高功率信號并在不同負載條件下保持穩(wěn)定的性能。常見的功率器件包括晶體
2023-02-18 15:42:40
12132 我們知道功率器件是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心,它利用半導體單向導電的特性,改變電子裝置中電壓、頻率、相位和直流交流轉換等功能。根據(jù)可控性和其他使用因素,功率器件分成了很多種類別。
2023-02-20 16:12:29
13702 分立功率器件是指用于承載高功率信號的獨立電子器件。它們可以單獨使用,也可以與其他分立器件組合使用,以完成特定的功率放大和開關控制電路。
2023-02-24 15:31:57
1951 按照器件的導通類型分類:功率半導體分立器件可以分為開關型和線性型兩類。開關型器件通常用于電源開關、電機控制等領域,能夠實現(xiàn)高效的功率轉換;線性型器件則適用于需要進行精確控制的場合,例如電壓調節(jié)、電流調節(jié)等。
2023-02-24 15:40:02
1730 功率IC和分立器件都是電子元器件,但是它們之間有很多不同之處。我們來具體地看看它們的各個方面,以便更好地了解它們之間的差異。
1. 工作原理
2023-02-26 17:35:03
2900 功率半導體器件是一種用于控制和轉換大功率電能的半導體器件,主要包括以下幾種類型:
二極管:功率二極管是一種只允許電流單向流動的半導體器件,常用于整流、反向保護等應用中。
2023-02-28 11:41:34
4412 通過對現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻的總結,從器件封裝結構散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。
2023-04-26 16:11:33
2687 
器件的大規(guī)模集成化、大功率小型化、高效率低損耗、超高頻的發(fā)展而引發(fā)的電路發(fā)熱也迅速提高,電子封裝對基板材料的要求有:熱導率高、介電常數(shù)低、與芯片材料的熱膨脹系數(shù)相匹配、力學強度優(yōu)良、加工性能好、成本低、耐熱沖擊和冷熱循環(huán)等。
2023-06-09 15:49:24
4073 
摘要半導體技術的進步使得芯片的尺寸得以不斷縮小,倒逼著封裝技術的發(fā)展和進步,也由此產(chǎn)生了各種各樣的封裝形式。當前功率器件的設計和發(fā)展具有低電感、高散熱和高絕緣能力的屬性特征,器件封裝上呈現(xiàn)出模塊化
2023-04-20 09:59:41
2525 
功率半導體包括功率半導體分立器件(含模塊)以及功率 IC 等。其中,功率半導體分立器件,按照器件結構劃分,可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:03
10787 
功率半導體,又稱電力電子器件或功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠實現(xiàn)電能轉換和電路控制,在電路中主要起著功率轉換、功率放大、功率開關、線路保護、逆變(直流轉交流)和整流(交流轉直流)等作用。
2023-07-27 16:17:15
5967 
封裝技術是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結構支持和保護、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作為模塊集成的核心環(huán)節(jié),封裝材料、工藝和結構直接影響到功率模塊的熱、電和電磁干擾等特性。
2023-08-24 11:31:34
3141 
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度,使其適用于高功率和高頻率應用,如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優(yōu)異的性能,氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:15
4484 目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導體包括的類型相對較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導體場效應、晶體管、晶閘管、結算場、效應晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件,單元結構和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關內(nèi)容進行分析。
2023-08-31 14:14:22
995 功率二極管是什么器件?功率二極管的類型主要有哪些?功率二極管分為哪幾類? 功率二極管是一種高壓、高電流、高功率的半導體器件,也叫高功率晶體管(High Power Transistor)。它是一種
2023-09-02 11:13:53
3296 尤其是在目前功率器件高電壓、大電流和封裝 體積緊湊化的發(fā)展背景下,封裝器件的散熱問題已 變得尤為突出且更具挑戰(zhàn)性。芯片產(chǎn)生的熱量 會影響載流子遷移率而降低器件性能。此外,高溫 也會增加封裝不同材料間因熱膨脹系數(shù)不匹配造 成的熱應力,這將會嚴重降低器件的可靠性及工作壽命。
2023-09-25 16:22:28
2586 
傳統(tǒng)的功率半導體封裝技術是采用鉛或無鉛焊接合金把器件的一個端面貼合在熱沉襯底上,另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高溫工作條件下缺乏可靠性,而且不具備足夠的堅固性。
2023-10-09 15:20:58
1207 
功率半導體冷知識:功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45
1652 
碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢,主要體現(xiàn)在以下幾個方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開關速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn),但
2023-12-21 11:27:09
1237 分析多方面因素綜合作用下的功率器件失效過程和機理。半導體模塊在實際的工作中不僅涉及熱應力,同時還受振動、濕度等因素影響,現(xiàn)有研究主要集中在溫度對器件可靠性的影響,較少分析多種因素共同作用下的失效機理。
2024-01-03 16:21:05
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功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件,是專門用來進行功率處理的半導體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力,處理電壓的范圍可以從幾十伏到幾千伏,通過電流的能力最高
2024-01-09 09:38:52
3295 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41
6137 就是特別重要的。在插件型功率電感的選型中,封裝是我們要重點功率的一個信息維度。那么,你知道插件型功率電感封裝類型對使用有影響嗎? 封裝是插件型功率電感應用的一個重要方面,我們都知道它對電感的選型有直接影響。封裝
2024-02-18 13:52:47
938 IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個,一是功率器件導通時,產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功率器件的開通與關斷過程中產(chǎn)生的開關損耗
2024-07-19 11:21:00
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在電動汽車、風力發(fā)電等電驅動系統(tǒng)中,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而,要充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢,其封裝技術尤為關鍵。本文將重點探討碳化硅功率器件封裝的三個關鍵技術:低雜散電感封裝技術、高溫封裝技術以及多功能集成封裝技術。
2024-08-19 09:43:34
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由于對提高功率密度的需求,功率器件、封裝和冷卻技術面臨獨特的挑戰(zhàn)。在功率轉換過程中,高溫和溫度波動限制了設備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結兩種不同的技術,以最大化功率模塊和器件的熱性
2024-09-03 10:37:04
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碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,碳化硅器件具有更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的飽和電子漂移速度以及更高的工作溫度等優(yōu)勢,因此在高壓、高頻和高溫等苛刻條件下表現(xiàn)優(yōu)異。
2024-09-11 10:25:44
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本文要點芯片制造商必須平衡集成電路的許多設計參數(shù)(有時這些參數(shù)會相互沖突)。不同器件封裝類型之間的主要區(qū)別在于將封裝焊接到電路板上的方式。設計人員可能會遇到的一些常見封裝類型。電子產(chǎn)品的形狀和尺寸
2024-09-15 08:06:06
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(IPM)封裝工藝 工藝特點: 塑封、多芯片封裝,包括ICBT、FRD及高低壓IC等元器件。 采用引線框架、DBC(直接敷銅板)、焊料裝片、金鋁線混打等工藝。 目標市場為白電應用、消費電子及部分功率不大的工業(yè)場所。 封裝類型: 純框架銀
2024-12-02 10:38:53
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隨著第三代半導體材料如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的快速發(fā)展,功率器件的性能要求日益提高。傳統(tǒng)的封裝材料已無法滿足功率器件在高功率密度和高溫環(huán)境下可靠服役的需求。納米銅燒結連接技術因其低溫連接
2024-12-07 09:58:55
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/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:48
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/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:11
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功率器件熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎。掌握功率半導體的熱設計基礎知識,不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設計的基本概念、散熱形式、熱阻與導熱系數(shù)、功率模塊的結構和熱阻分析等方面,對功率器件熱設計基礎知識進行詳細講解。
2025-02-03 14:17:00
1357 碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關注和應用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術至關重要。本文將詳細解析碳化硅功率器件的封裝技術,從封裝材料選擇、焊接技術、熱管理技術、電氣連接技術和封裝結構設計等多個方面展開探討。
2025-02-03 14:21:00
1294 隨著半導體功率器件的使用環(huán)境和性能要求越來越高,器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問題導致的失效占了總失效的一半以上,而通過封裝技術升級,是提高器件散熱能力的有效途徑之一。
2025-01-23 11:13:44
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在現(xiàn)代電子技術飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應用領域以及未來發(fā)展趨勢。
2025-04-09 18:02:04
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