關(guān)于功率半導(dǎo)體分立器件分類，功率半導(dǎo)體按照器件結(jié)構(gòu)，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其 率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。

　　一、按照功率處理能力，分為低壓小功率半導(dǎo)體分立器件、 率半導(dǎo)體分立器件、大功率半導(dǎo)體分立器件和高壓特大功率半導(dǎo)體分立器件。

　　二、按照控制電路信號(hào)對(duì)器件的控制程度，可分為不可控型、半控型和全控型。

　　不可控器件：不能通過控制信號(hào)來控制其通斷的功率半導(dǎo)體分立器件， 器件為功率二極管；

　　半控器件：通過控制信號(hào)能夠控制其導(dǎo)通而不能控制其關(guān)斷的功率半導(dǎo)體分立器件， 器件為晶閘管及其大部分派生器件；

　　全控器件：通過控制信號(hào)既能夠控制其導(dǎo)通，又能夠控制其關(guān)斷的功率半導(dǎo)體分立器件， 器件有絕緣柵雙極晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、門極可關(guān)斷晶閘管等；

　　三、按照器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況，可分為單極型器件、雙極型器件和復(fù)合型器件。

　　按照驅(qū)動(dòng)電路加在器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)， （除功率二極管外）可分為電流驅(qū)動(dòng)型與電壓驅(qū)動(dòng)型。

　　電流驅(qū)動(dòng)型：通過從控制端注入或抽出電流實(shí)現(xiàn)其關(guān)斷的功率半導(dǎo)體分立器件。

　　電壓驅(qū)動(dòng)型：通過在控制端和公共端之間施加一定的電壓信號(hào)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或關(guān)斷的功率半導(dǎo)體器件。

　　四、按照功率半導(dǎo)體器件襯底材料的不同，現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體分立器件的材料可分為三代：

　　代半導(dǎo)體材料主要是以鍺（早期產(chǎn)品，現(xiàn)已不常見）和硅為 。

　　第二代半導(dǎo)體材料主要是以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）為 的化合物半導(dǎo)體材料。

　　第三代半導(dǎo)體材料主要是以即碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為 的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

　　來源：藤谷電子

　　審核編輯 ：李倩